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半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況,第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展

牽手一起夢(mèng) ? 來源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 作者:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 2020-12-29 14:59 ? 次閱讀

第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè),是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。為加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展,國(guó)家層面先后引發(fā)《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》、《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》等鼓勵(lì)性、支持性政策;而地方層面也積極響應(yīng),通過政策將實(shí)質(zhì)性的人、財(cái)、物資源注入,推動(dòng)著各地半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的集聚和發(fā)展。

1、半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

第一代半導(dǎo)體材料是以硅(Si)、鍺(Ge)為主,第二代半導(dǎo)體材料是以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(lnSb)為主。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,被稱為第三代半導(dǎo)體材料,目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。

與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的導(dǎo)熱頻,以及更強(qiáng)的抗輻射能力等諸多優(yōu)勢(shì),在高溫、高頻、強(qiáng)輻射等環(huán)境下被廣泛應(yīng)用。

2、國(guó)家層面政策匯總

第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè),是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)?!笆濉睍r(shí)期以來,國(guó)家層面的政府部門發(fā)布了多項(xiàng)關(guān)于半導(dǎo)體行業(yè)、半導(dǎo)體材料行業(yè)的支持、引導(dǎo)政策,這些鼓勵(lì)政策涉及減免企業(yè)稅負(fù)、加大資金支持力度、建立產(chǎn)業(yè)研發(fā)技術(shù)體系等等:

圖表2:截至2020年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)政策規(guī)劃匯總(國(guó)家層面)(一)

圖表3:截至2020年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)政策規(guī)劃匯總(國(guó)家層面)(二)

3、地方層面政策匯總

除了國(guó)家層面的支持政策外,我國(guó)地方各級(jí)政府也進(jìn)一步支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,支持的方面包括集群培育、科研獎(jiǎng)勵(lì)、人才培育以及項(xiàng)目招商等,各地通過政策將實(shí)質(zhì)性的人、財(cái)、物資源注入,推動(dòng)著各地產(chǎn)業(yè)集聚加速:

圖表4:2019-2020年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)政策規(guī)劃匯總(地方層面)(一)

圖表5:2019-2020年中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)政策規(guī)劃匯總(地方層面)(二)

4、重點(diǎn)政策解讀

——《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》

為進(jìn)一步做好重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用保險(xiǎn)補(bǔ)償試點(diǎn)工作,工信部于2019年12月發(fā)布的《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》(自2020年1月1日起施行),其中碳化硅、氮化鎵和氮化鋁材料均有入選《目錄》,具體如下:

圖表6:《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》中的第三代半導(dǎo)體材料詳情

——《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》

集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心,是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。為進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境,深化產(chǎn)業(yè)國(guó)際合作,提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量,國(guó)務(wù)院于2020年7月發(fā)布《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》,《政策》在財(cái)稅、投融資、研究開發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用以及國(guó)際合作八個(gè)方面闡述了支持舉措。其中與半導(dǎo)體材料相關(guān)的內(nèi)容如下:

圖表7:《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》相關(guān)內(nèi)容解讀

責(zé)任編輯:gt

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