存儲器市場已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能型手機(jī)為中心的行動時代（mobile era），逐步轉(zhuǎn)進(jìn)人工智能（AI）等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時代。

數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運(yùn)算，預(yù)計2021年將出現(xiàn)另一個半導(dǎo)體超級周期，半導(dǎo)體公司正在加大努力以獲取更大的市場份額。尤其在存儲器半導(dǎo)體市場中，對新技術(shù)的競爭正在加劇。

明年將是DDR5的DRAM競爭

而因為其性能突出，使得DDR5產(chǎn)品因為世代交替的市場需求下，有空間為存儲器廠帶來不小收益，這也是預(yù)期全球存儲器產(chǎn)業(yè)將迎接新成長周期的主因。

DDR5 DRAM作為下一代產(chǎn)品，其傳輸速度和容量都比當(dāng)前市場主流DDR4DRAM快得多。

DDR5DRAM的工作電壓為1．1V，這比DDR4芯片的1．2V降低了9%。DDR5的最大容量為64Gb，是當(dāng)前DDR4的四倍。

DDR5產(chǎn)品有望提高芯片制造商的盈利能力，因為其單價高于DDR4 DRAM，DDR4 DRAM的單價比DDR3 DRAM高1．5倍，DDR5 DRAM的價格漲幅應(yīng)該也是差不多。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，DDR5在PC DRAM市場中的市占率，將從2020年的不到1%，成長到2021年的10%，足足是10倍以上的成長。

尤其是DDR5產(chǎn)品在服務(wù)器DRAM市場中，其市占率也將從2020年的4%，提升到2021年的15%。

因此，在市場快速成長的情況下，全球三大存儲器廠都開始準(zhǔn)備搶攻商機(jī)。

隨著2021年全球三大存儲器廠將陸續(xù)大規(guī)模量產(chǎn)下一代DDR5 DRAM，預(yù)計存儲器市場將迎接下一個成長周期。

而存儲器市場有望在2021年重回增長軌道，但預(yù)計市場規(guī)模只有1331億美元，無法超越2018年創(chuàng)下的歷史記錄1633億美元;到2022年，預(yù)計存儲器市場規(guī)模同比增長29%至1710億美元。

在NAND Flash快閃存儲器上相互角力

業(yè)界預(yù)期，NAND Flash快閃存儲器市場的成長將比DRAM市場更快，原因在于智能手機(jī)向5G發(fā)展，以及資料中心的服務(wù)器對SSD的需求所造成。

這使得NAND Flash快閃存儲器市場到2024前將以每年30%到35%的速度增長，相較于DRAM的年平均成長率為15%到20%而言，NAND Flash快閃存儲器市場的成長速度快很多。

美光在2020年11月宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)全球首批176層堆疊的NAND Flash快閃存儲器。

2020年10月，SK海力士宣布將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)，使得SK海力士在全球NAND Flash快閃存儲器市場的市占率有望達(dá)到20%以上;在今年12月日宣布已經(jīng)完成176層堆疊NAND Flash快閃存儲器的開發(fā)。

三星方面則是計劃2021年發(fā)布第7代V-NAND快閃存儲器，第7代V-NAND快閃存儲器最多可以達(dá)到256層堆疊的能力。

對智能型手機(jī)來說，在導(dǎo)入3D感測、4K影像、虛擬及擴(kuò)充實境（VR/AR）功能后，終端邊緣運(yùn)算也得搭載更多的DRAM及NAND Flash。

此外，正在快速起飛的車用電子、云端運(yùn)算、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用，對存儲器需求更是較今年呈現(xiàn)倍數(shù)成長。

NAND Flash進(jìn)入3D NAND制程要全面更改設(shè)備，資本支出同樣龐大，但至2021年的位元年復(fù)合成長率僅40—45%。

預(yù)計明年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS與eMMC（41%）與NAND Wafer（8%）。

由于供貨商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長的幅度居高不下，預(yù)計2021年價格仍將逐季下跌。

手機(jī)存儲容量升級驅(qū)動移動存儲器需求

目前智能手機(jī)仍然是市場中消耗DRAM最多的一個項目，未來三到五年之內(nèi)仍將維持這種狀態(tài)。

隨著明年服務(wù)器、智能手機(jī)以及PC 的增長，會帶來需求的變緊，尤其是下半年，價格會隨之稍漲，具體漲幅多少主要取決于明年三大領(lǐng)域的增長幅度。

未來手機(jī)上存儲芯片的容量將不會下降，反而是會越來越大，短期來看，至少明年的容量與今年持平，但長期來看，容量的增長將會是不可逆的。

未來容量的增長將會依靠中低端手機(jī)驅(qū)動，所以隨著時間的推移，存儲方面未來將會呈現(xiàn)增長趨緩。

現(xiàn)在手機(jī)基本上都是12GB、16GB的內(nèi)存，再往上增長就會出現(xiàn)浪費(fèi)，除非有新的功能或者技術(shù)的出現(xiàn)，帶動DRAM的增長。

高通預(yù)計到2022年5G智能手機(jī)出貨量將超過7．5億部，在低端手機(jī)市場，2GB DRAM及以下的占比逐漸減少，高端手機(jī)逐漸普及至8GB甚至12GB。

而閃存單芯片容量也從128GB/256GB推進(jìn)至256GB/512GB，5G智能手機(jī)的加速滲透以及存儲容量升級有望驅(qū)動存儲產(chǎn)品需求提升。

全球存儲器巨頭將導(dǎo)入EUV技術(shù)

目前全球3大DRAM存儲器廠商美光在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程，準(zhǔn)備與韓國三星、SK海力士競爭。

目前三星已在第3代10納米級DRAM存儲器生產(chǎn)導(dǎo)入EUV技術(shù)，且還預(yù)計2021年發(fā)表第4代10納米級的DRAM存儲器生產(chǎn)增加EUV技術(shù)。

至于SK海力士則將在2021年量產(chǎn)第4代10納米級DRAM存儲器導(dǎo)入EUV技術(shù)，目前SK海力士也分批導(dǎo)入EUV設(shè)備，預(yù)計在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術(shù)產(chǎn)線。

英特爾 12 代酷睿 Alder Lake （ADL）混合架構(gòu)處理器會支持DDR5，但最早也要到2021年Q3。

AMD的Zen4已經(jīng)規(guī)劃了對DDR5的支持，發(fā)布時間也在2021年。DDR5要全面在PC上普及，看來至少還需要2年的時間。

結(jié)尾：國產(chǎn)代表長信存儲差距縮小

存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支，約占2019年全球半導(dǎo)體市場的30%。長期以來，我國使用的存儲芯片嚴(yán)重依賴進(jìn)口，占到我國集成電路進(jìn)口總額的40%左右。

目前，長江存儲、長鑫存儲、福建晉華這三家國內(nèi)廠商正奮力追趕。隨著量產(chǎn)的推進(jìn)，依賴進(jìn)口的局面有望得到緩解。

2019年三季度，長江存儲實現(xiàn)64層3D NAND的量產(chǎn)，預(yù)計128層產(chǎn)品今年底到明年上半年量產(chǎn)，公司也在去年宣布要投資DRAM。

如今，長鑫存儲主要量產(chǎn)19nm內(nèi)存產(chǎn)品，技術(shù)水平落后兩三年的時間。不過在2021年，長鑫存儲將實現(xiàn)17nm內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，內(nèi)存存儲密度將進(jìn)一步提升，差距也將進(jìn)一步縮小。

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