魔性的2020終于過去,對于半導(dǎo)體供應(yīng)鏈從業(yè)者,缺貨漲價估計會是他們這一年中最深刻的回憶。疫情爆發(fā)、停工停產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備需求暴增、代工廠產(chǎn)能不足、線上辦公在家上學(xué)需求持續(xù)。..。..這一系列連鎖反應(yīng)徹底打亂了2020年初的既定計劃,整個產(chǎn)業(yè)在措手不及的應(yīng)對中經(jīng)歷著一波又一波的缺貨漲價風(fēng)潮。
但這其中,存儲芯片價格一直持續(xù)穩(wěn)定,甚至在年中還小有下降。但從11月開始,全行業(yè)的漲價潮流終于刮到內(nèi)存這里了,部分內(nèi)存價格開始上漲,內(nèi)存相關(guān)廠商也紛紛看漲明年的市場。國內(nèi)廠商能否乘著這波趨漲行情,迎來國產(chǎn)替代的春天呢?
暴漲引發(fā)的大跌觸底反彈,2021年內(nèi)存芯片有望迎來漲價?
存儲芯片主要分為DRAM內(nèi)存、NAND/NOR Flash閃存等產(chǎn)品,在半導(dǎo)體總體營收中,占比高達(dá)1/3。受廠商投資,產(chǎn)能以及市場需求的多方因素影響,存儲芯片價格常呈現(xiàn)周期性的波動變化。
上一波存儲芯片漲價潮起于2016年,一直持續(xù)到2018年,三星公司甚至憑借這波大漲價而在2017年營收首次超越英特爾,一舉成為全球第一大半導(dǎo)體公司。但這波暴漲也為其后續(xù)的降價埋下伏筆,到2019年存儲需求供大于求導(dǎo)致價格大跌,直到年底才出現(xiàn)止跌回穩(wěn)。進(jìn)入2020年,雖然有小幅回升,但在疫情爆發(fā),手機(jī)市場低迷的大環(huán)境下,再一次讓存儲芯片價格維持在欲升還降的層面上。直到2020年底,這種趨勢終于迎來改變。
據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket的最新報價顯示,近一個月(12月)以來,內(nèi)存市場漲價明顯,部分渠道內(nèi)存條價格累積漲幅已超過10%,行業(yè)內(nèi)存條價格漲幅則在5%左右。
存儲器IC設(shè)計廠晶豪科技也公開表示,利基型DRAM與NOR Flash均已漲價。晶豪科技指出,利基型DRAM部分價格已開始調(diào)高,合約價方面則將從明年第一季起開始調(diào)漲,上半年價格有望一路走漲;NOR Flash 市場情況相同,同樣已漲價,明年有望進(jìn)一步調(diào)漲。據(jù)晶豪科技透露,漲價原因主要是近期的產(chǎn)能供不應(yīng)求,晶圓代工與封測成本上漲,如果產(chǎn)能持續(xù)緊張,明年第一、二季價格將持續(xù)走高。而據(jù)TrendForce的最新預(yù)測,2021年第一季整體DRAM均價將止跌回穩(wěn)。
存儲芯片大廠中,三星、海力士和美光仍然持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)韓媒消息,三星2021年DRAM資本支出計劃與2020年持平,但會將一些DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)為圖像傳感器產(chǎn)線,這意味著,三星實際上消減了2021年的DRAM資本支出。SK海力士也同樣持保守態(tài)度,不會增加DRAM晶圓代工和NAND資本支出。另外,華為被美國制裁,美光作為華為的重要客戶,頗受影響,為此,美光此前曾向外界警告稱,由于一些公司客戶的需求疲弱,預(yù)測明年的關(guān)鍵市場恐出現(xiàn)DRAM供應(yīng)過剩的情況。
一方面,存儲市場已給出漲價信號,另一方面,國外芯片大廠仍然持保守態(tài)度,消減或維持原有產(chǎn)能,減少供應(yīng)量,這讓2021年的存儲市場充滿了山雨欲來的漲價味道。
趨漲行情下,國內(nèi)廠商機(jī)會幾何?
在存儲芯片市場上,三星、海力士、美光、Kioxia、西部數(shù)據(jù)等頭部廠商占據(jù)了90%的市場份額。雖然留下的空間不大,但是,中國龐大的市場需求仍然孕育出了本土的存儲芯片廠商,例如,紫光國芯、合肥長鑫、長江存儲、兆易創(chuàng)新等廠商。
內(nèi)存產(chǎn)品方面,長鑫存儲于2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的DDR4/LPDDR4X芯片,接下來,長鑫存儲規(guī)劃將推出17nm DDR5/LPDDR5等下一代內(nèi)存產(chǎn)品。前不久,長鑫存儲又獲得了156億投資,這無疑將加速其在DRAM先進(jìn)技術(shù)及產(chǎn)能方面的推進(jìn)。TrendForce公布的2020-2021年全球內(nèi)存廠商晶圓投片量的預(yù)估數(shù)據(jù)顯示,長鑫存儲今年一季度投片量為1萬片/月,但到四季度其投片量已經(jīng)快速提升到了4.5萬片/月,到2021年四季度,預(yù)計長鑫存儲的投片量將達(dá)到8.5萬片/月,將超越目前排名第四的南亞科技(7.1萬片/月)。
閃存方面,長江存儲一枝獨秀,已實現(xiàn)國際先進(jìn)閃存技術(shù)的突破。長江存儲堅持走創(chuàng)新差異化路線,于2018年8月推出了自研Xtacking架構(gòu),又創(chuàng)新性地跳過國際廠商的慣例96層堆疊閃存技術(shù),率先推出了128層堆棧的QLC 3D NAND閃存。據(jù)長江存儲CEO楊士寧透露,目前長江存儲的技術(shù)已經(jīng)處于全球一流的水準(zhǔn),下一步就是解決128層閃存產(chǎn)品的產(chǎn)能問題。TrendForce公布的今年三季度全球NAND Flash閃存市場數(shù)據(jù)顯示,三星作為閃存老大,占有33.1%的全球份額,其他六家依次為Kioxia、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光和Intel。雖然留給其他閃存廠商的份額只有1.5%,但其中長江存儲份額最高,預(yù)計超過1%。
在這波趨漲的行情驅(qū)動下,國內(nèi)存儲芯片無疑將更易加速進(jìn)入目標(biāo)市場。另外,在國家芯片自給率提升的有力政策指導(dǎo)下,國產(chǎn)替代正逐步深入到各級廠商意識中。但歸根結(jié)底,要想實現(xiàn)國產(chǎn)替代,首要的保證是自身產(chǎn)品質(zhì)量,不僅要滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),性能需求,還要滿足用戶成本要求。據(jù)悉,在長江存儲的Xtacking閃存生態(tài)圈中,目前已有20多家廠商和100多款產(chǎn)品,其中,華為Mate40手機(jī)就使用了長江存儲的64層閃存產(chǎn)品。而長鑫存儲的DRAM產(chǎn)品,目前也已經(jīng)獲得了威剛科技、江波龍、光威等主流內(nèi)存品牌廠商的采用,從長鑫存儲官網(wǎng)可以看到,長鑫存儲目前供應(yīng)的DDR4/LPDDR4X芯片以及DDR4模組,可應(yīng)用于PC、筆記本電腦、服務(wù)器、消費電子類產(chǎn)品等領(lǐng)域。
公開數(shù)據(jù)顯示,中國每年進(jìn)口的芯片高達(dá)3000多億美元,這其中將近1/3是存儲芯片,在國產(chǎn)替代之路上,國內(nèi)存儲芯片廠商尚任重道遠(yuǎn),但未來可期。
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