晶圓代工需求夯、加上內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁，傳出南韓三星電子已告知設(shè)備商、今年（2021 年）半導(dǎo)體部門設(shè)備投資額有望續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。

日經(jīng)新聞 9 日報導(dǎo)，三星電子半導(dǎo)體部門今年（2021 年）設(shè)備投資額有望首度突破 3 兆日元大關(guān)、將續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄，主因晶圓代工需求急速擴(kuò)大、加上三星握有全球四成市占率的內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁，讓三星擴(kuò)增投資額，期望在新冠肺炎疫情沖擊下、藉由積極投資搶攻市場。

報導(dǎo)指出，三星在去年（2020 年）10 月公布的 2020 年半導(dǎo)體設(shè)備投資額（預(yù)估值）為 28.9 兆韓元、將年增 28% 創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，而據(jù)多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商指出，三星在去年底之前告知了 2021 年的下單計劃，預(yù)估會較 2020 年增加兩到三成。

三星雖稱“具體金額未定”，不過若照上述下單計劃進(jìn)行的話、今年三星半導(dǎo)體部門設(shè)備投資額很有可能將高達(dá) 35 兆韓元的規(guī)模。

據(jù)報導(dǎo)，三星主要的投資對象為韓國的平澤工廠，該座工廠將部署內(nèi)存和晶圓代工的最先進(jìn)設(shè)備、陸續(xù)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。中國的西安工廠也將持續(xù)增產(chǎn) NAND 型閃存（Flash Memory），而正擴(kuò)大廠房用地的美國德州奧斯汀晶圓代工廠也將更新產(chǎn)線。

2020年第1到第3季，三星半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益率高達(dá)27%，遠(yuǎn)高于該公司IT與行動通訊事業(yè)（涵蓋手機(jī)）的12%及消費(fèi)電子事業(yè)的8%，而且上季仍保持相同趨勢。

和其他半導(dǎo)體業(yè)者相比，這等獲利能力也同樣突出。例如，韓國SK海力士（SK Hynix）和美國美光科技（Micron）的營業(yè)利益率分別在17%及19%左右。

強(qiáng)勁的現(xiàn)金流使三星能以超越競爭對手的速度進(jìn)行投資，并在市場上升時賺進(jìn)大把營收。能夠盡可能快速接下客戶訂單，也給了三星更多空間和供應(yīng)商協(xié)商價格與交貨時間。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）最新預(yù)測報告顯示，2021 年全球半導(dǎo)體銷售額預(yù)估將年增 8.4% 至 4，694.03 億美元，將超越 2018 年的 4，687 億美元、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。其中，2021 年內(nèi)存（Memory）銷售額預(yù)估將年增 13.3% 至 1，353.11 億美元，成長幅度高于 Logic 的 7.1%、Micro 的 1.0%、Analog 的 8.6%，居芯片（IC）產(chǎn)品之冠。
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