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長江存儲或將2021年存儲芯片產量提高一倍

我快閉嘴 ? 來源:科創板日報 ? 作者:宋子喬 ? 2021-01-12 14:47 ? 次閱讀

據媒體報道,長江存儲計劃今年把產量提高一倍,計劃到下半年將每月的存儲芯片產量提高到10萬片晶圓,并準備試產192層NAND快閃記憶體晶片,最快將于2021年中試產,不過該試產計劃可能會推遲至2021下半年。

市場一流供應商目前仍在開發176層3D NAND晶片,而當前可量產的最先進版本為128層NAND晶片。

此前4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。

作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。據長江存儲介紹,128層QLC版本將率先應用于消費級SSD,并逐步進入企業級服務器、數據中心等領域。

2020年三季度以來,長江存儲一直忙于引進與安裝必要的生產設備與擴大生產線。目前長江存儲同時生產64層與128層3D快閃記憶體晶片,但將逐步將更多產能轉向后者。

據透露,長江存儲最快將于2021年中展開192層3D NAND快閃晶片試產,將是中國半導體業者首次試產這類晶片。如三星、美光等市場一流供應商,目前仍在開發176層3D NAND晶片,而當前可量產的最先進版本為128層NAND晶片。

半導體行業掀產能擴張+國產替代潮

2018年-2020年,長江存儲實現了從32層到64層再到128層的技術躍進,在市場份額高度集中的存儲芯片市場,國產存儲芯片的量產和上市對填補國產存儲的空白具有重要意義。具體表現在,長江存儲和合肥長鑫的產線處于產能爬坡過程中,尚存在較大的產能空間,在其產能擴張過程中將有力拉動國產半導體設備廠商釋放業績。

中信證券1月7日發布研報稱,長江存儲、華虹集團、中芯國際、長鑫存儲等晶圓廠積極擴產,驅動國內半導體設備市場增速兩倍于全球,行業產能緊張下擴產進度有望加快。其中,長江存儲一期項目于2019年產能達到2萬片/月,2020年擴產至5萬片/月以上水平,預計一期項目未來將達到10萬片/月產能,另外二期土建已于2020年6月開工,兩期產能規劃共30萬片/月。

據中信證券整理的長江存儲2018年至2020年三年間的約2500臺設備招標情況,日本、美國廠商仍占據主導地位,但國內廠商占比逐年上升。2019年長江存儲1088臺設備招標中,中國廠商設備占比9.65%,而2020年長江存儲1107臺設備招標中,中國廠商設備占比達到14.36%,呈現上升趨勢。北方華創、中微公司、盛美股份分別累計中標97臺/45臺/25臺,位于國產廠商前列。

由此,中信證券表示,產能擴張+國產替代積極推進,看好2021年半導體設備行業發展。展望2021年,包括長江存儲、長鑫存儲等IDM廠、華虹無錫、華力集成、中芯國際等晶圓代工廠均有持續產能擴增計劃,在當前行業產能緊張背景下,包括晶圓制造封裝測試設備訂單均有望爆發。另一方面,中芯國際事件進一步激發國內廠商危機意識,國產新機臺的驗證工作有望積極推進,利好國內設備廠商。
責任編輯:tzh

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