三星1nm時(shí)代光刻機(jī)體積將增加
近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
目前，ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub?1nm都已經(jīng)做出了清晰的路徑規(guī)劃，據(jù)了解，1nm時(shí)代的光刻機(jī)在體積方面將會(huì)增加不少。
體積增加的主要原因是光學(xué)器件增大所致，潔凈室指數(shù)也達(dá)到天花板。
據(jù)悉，在臺(tái)積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光設(shè)備，也就是NA=0.55。
現(xiàn)在，ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計(jì)（NXE：5000系列），預(yù)計(jì)將會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
ASML目前在售的兩款極紫外光刻機(jī)分別是TWINSCAN?NXE：3400B和TWINSCAN?NXE：3400C，預(yù)計(jì)3600D計(jì)劃在明年年中出貨，其生產(chǎn)效率將會(huì)提升18%。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15859瀏覽量
180985 -
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1150瀏覽量
47379 -
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
718瀏覽量
41228
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
臺(tái)積電1nm進(jìn)展曝光！預(yù)計(jì)投資超萬(wàn)億新臺(tái)幣，真有必要嗎？
電子發(fā)燒友網(wǎng)（文/吳子鵬）根據(jù)臺(tái)灣媒體的最新消息，臺(tái)積電1nm制程將落腳嘉義科學(xué)園區(qū)，臺(tái)積電已向相關(guān)管理局提出100公頃用地需求，其中40公頃將先設(shè)立先進(jìn)封裝廠，后續(xù)的60公頃將作為1nm
三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量
近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存的生產(chǎn)路線圖，并計(jì)劃在這一生產(chǎn)過(guò)
用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹
? 本文介紹了用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過(guò)去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長(zhǎng)卡在193
光刻機(jī)的工作原理和分類
，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。芯片的加工過(guò)程對(duì)精度要求極高，光刻機(jī)通過(guò)一系列復(fù)雜的技術(shù)手段，將光束透射過(guò)畫著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款Hi
發(fā)表于 10-31 10:56
?808次閱讀
三星電子計(jì)劃在2026年推出最后一代10nm級(jí)工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來(lái)幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高
三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營(yíng)。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要
三星欲提前量產(chǎn)1nm工藝，計(jì)劃2026年量產(chǎn)
據(jù)悉，三星電子晶圓代工部門將于6月12日至13日在美國(guó)硅谷舉行晶圓代工及SAFE論壇，期間將披露其技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖以及強(qiáng)化晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的相關(guān)策略。
俄羅斯首臺(tái)光刻機(jī)問(wèn)世
的一部分，目前正在對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，下一步將是開發(fā)90nm
臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-NA EUV
光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程
光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)發(fā)展到浸沒(méi)步進(jìn)式投影
發(fā)表于 03-21 11:31
?6223次閱讀
淺談不同階段光刻機(jī)工作方式
在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，
發(fā)表于 03-08 10:42
?1278次閱讀
光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
三星清空ASML股份，11年盈利超16倍
根據(jù)資料顯示，在2012年，為了支持ASML EUV光刻機(jī)的研發(fā)與商用，并獲得EUV光刻機(jī)的優(yōu)先供應(yīng)，在2012年，英特爾、臺(tái)積電、三星均斥資入股了ASML。2012年7月，英特爾入股ASML獲得15%股權(quán)，并出資10億美元支持
三星泰勒市新晶圓廠量產(chǎn)推遲至2025年
早在2022年5月，三星就表達(dá)了在美國(guó)得克薩斯州泰勒市建芯片代工廠的意愿，初始投資設(shè)定為170億美元，后追加至250億美元。該工廠將配備極紫外光刻機(jī)，瞄準(zhǔn)5nm制程芯片生產(chǎn)；而如今在奧
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論