內存行情已經低迷了快兩年,進入2021后,廠商們很快要開始嘗到甜頭了。
本周,南亞科技表示,預計DRAM的價格在今年一季度將開始上漲,且會持續到二季度。
最新的媒體報道中,存儲模組制造商也釋放信號,DRAM的合約價格將一季度將上漲超過5%到10%左右,二季度仍將上漲。
關于內存漲價的原因據說是供應不足、供不應求所致。
實際上,美光斷電事件后,在財報中,這家顆粒大廠已經給出今年DRAM芯片漲價的預期。另外,上周有爆料,三星決定將存儲工廠改造為CMOS工廠,一方面是為滿足CMOS客戶的強烈需求并以量換取市場份額,和索尼競爭,另一方面也是想改善內存的利潤狀況。
至于SK海力士,收購Intel閃存業務后,已經不愿在花費更多的資金進行增產。
責編AJX
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2319瀏覽量
183605 -
內存
+關注
關注
8文章
3034瀏覽量
74137
發布評論請先 登錄
相關推薦
國產DDR5內存上市,內存市場價格戰一觸即發
隨著國產DDR5內存的上市,內存市場的競爭態勢即將迎來新的變化。DRAM內存作為半導體產業的明星產品,據市調機構Trendforce預估,2024年
2025年Q1 DRAM內存市場步入淡季,價格預計下滑
近日,據TrendForce最新分析,2025年第一季度,DRAM內存市場將進入傳統淡季階段。受智能手機等終端設備需求持續萎縮的影響,加之部分產品已提前進行庫存備貨,預計明年一般型
2023年全球DRAM內存模組市場營收下滑,金士頓領跑
,導致DRAM內存產品價格大幅下滑。同時,三星電子、SK海力士和美光等三大DRAM內存原廠的高產能利用率策略進一步加劇了
預計2025年DRAM產業將年增25%
根據市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發布的報告,DRAM產業在經歷了2024年前三季度的庫存消化和價格回升后,其價格動能在第四季度出現了明顯的弱化趨勢。
半導體迎來觸底反彈,半導體時代即將綻放光彩
在經歷了波濤洶涌的市場調整和周期性低谷后,全球半導體行業終于迎來了曙光,一場觸底反彈的盛宴正在悄然拉開序幕。這不僅僅是數字的躍動,更是技術、市場與政策三重奏下的華麗轉身,預示著一個新的半導體時代即將綻放光彩。
預計第四季度DRAM市場僅HBM價格上漲
據市場研究公司TrendForce預測,2024年第四季度DRAM市場將呈現出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲器(HBM)領域。預計HBM價格將
DRAM與NAND閃存價格大幅下跌
近期,DRAM和NAND存儲行業再次遭遇消費者需求下滑的沖擊,導致存儲合約價格在短短一個月內出現大幅下跌。據分析公司DRAMeXchange的數據顯示,DRAM價格尤其受到重創,近一個
DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調
近日,DRAM(動態隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務器需求持續強勁及產能排擠效應顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內存價格進行新一輪調整。據供應鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發出通知,宣布
DRAM與NAND市場迎高增長,2024年收入飆升
據集邦咨詢最新報告,全球DRAM內存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結構持續優化、價格顯著上揚以及HBM(高帶寬內存)技術興起的共同驅動,兩大存儲芯片
TrendForce預測2025年DRAM與NAND閃存產業營收將創歷史新高
型產品的涌現,預計到2024年度,全球DRAM和NAND閃存產業的總營業收入有望實現75%和77%的驚人同比增長。而在此之后的2025年度,這兩大領域的營收增長勢頭仍將持續,預計DRAM
DRAM價格下半年或將持續上漲
隨著全球科技行業的不斷發展,尤其是人工智能(AI)領域的迅猛崛起,存儲芯片市場正迎來新的機遇與挑戰。據行業分析師的最新預測,DRAM(動態隨機存取存儲器)價格在接下來的半年里將持續上漲,這一趨勢源于多方面的因素共同推動。
戴爾預測DRAM與固態硬盤下半年價格將持續上漲
在全球科技產業中,戴爾一直以其精準的市場洞察和卓越的供應鏈管理能力而著稱。然而,在近期舉行的2025財年第一季度財報電話會議上,戴爾首席運營官杰弗里?克拉克(Jeffrey Clarke)卻發出了一個令人關注的警告:下半年DRAM內存和固態硬盤的
明年固態硬盤及內存價格將大幅上揚,存儲市場有望恢復至2022年水平
首先,來看固態硬盤的情況。據科技媒體xda-developers觀察,自2023年10月以來,亞馬遜平臺上的固態硬盤價格持續上漲。以Crucial MX500和三星980 Pro為例,其價格相較于2023
三星2025年后將首家進入3D DRAM內存時代
在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現性能提升;
持久內存(PMEM)將成為DRAM的替代者?
SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示,如SK海力士和美光研發的鉿鐵電隨機存取內存,盡管已達到現代DRAM速度,但目前尚不知曉何種新興內存技術會脫穎而出,從而取代
評論