1. 硅片國產(chǎn)替代正當時，但規(guī)劃產(chǎn)能或過高過熱

半導(dǎo)體用硅片產(chǎn)品包括硅拋光片、SOI硅片、外延片、退火片、返拋片、研磨片、NTD硅等。目前主流為12英寸（占比65%）、8英寸（占比28%）。2016-2020年增長率在20%~30%。全球前五大廠商壟斷了92%的市場份額，寡頭壟斷的形成是不斷積累、不斷兼并的結(jié)果。據(jù)報道，環(huán)球晶已同意以37.5億歐元（45.3億美元）收購德國同業(yè)世創(chuàng)（Siltronic），合并后的企業(yè)將成為全球12英寸硅晶圓市場中第二大生產(chǎn)業(yè)者，而若以營收計，將成為全球最大硅晶圓業(yè)者。

半導(dǎo)體晶圓制造材料的產(chǎn)業(yè)態(tài)勢，供應(yīng)高度壟斷，供方商高度集中，單一半導(dǎo)體材料只有少數(shù)幾家可以提供。同時，先進制程的晶圓公司越來越少，對新供應(yīng)商而言，試線機會少。因為晶圓大廠對供應(yīng)商的選擇慎之又慎，上線的機會少之又少。國際供應(yīng)商的態(tài)度和服務(wù)不盡如人意，國內(nèi)晶圓線有很強的國產(chǎn)替代需求。而目前國內(nèi)供應(yīng)商必須要解決的關(guān)鍵問題是產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。

國內(nèi)市場上8-12英寸硅片有效供給較少，于是大硅片項目遍地開花。近幾年國內(nèi)硅片項目總投資1580億，國內(nèi)12英寸大硅片生產(chǎn)線項目（含擬在建）達到561萬片/月，產(chǎn)能規(guī)劃4倍于國內(nèi)晶圓線，規(guī)劃產(chǎn)能或可滿足全球供給。

2. 士蘭微12英寸產(chǎn)線正式投產(chǎn)

12月21日，士蘭微官微發(fā)布消息稱，其公司位于廈門的12英寸芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。

士蘭微電子12英寸芯片生產(chǎn)線項目總投資170億元，由廈門士蘭集科微電子有限公司負責(zé)實施運營。項目規(guī)劃建設(shè)兩條以功率半導(dǎo)體芯片、MEMS傳感器芯片為主要產(chǎn)品的12英寸特色工藝功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線。

士蘭微電子第一條12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項目總建筑面積約25萬平方米，總投資70億元，分二期。

第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產(chǎn)8萬片。本次投產(chǎn)的產(chǎn)線就是其中的一期項目，總投資50億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬片；項目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產(chǎn)能4萬片。

第二條12英寸生產(chǎn)線預(yù)計總投資100億元，將建設(shè)工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。

此前預(yù)計項目一期投產(chǎn)后，年銷售額將超過10億元。二期項目建成后，年生產(chǎn)總值可達40—50億元。

士蘭微表示，廈門12英寸芯片生產(chǎn)線的投產(chǎn)，進一步夯實了士蘭微電子IDM策略，進一步提升了企業(yè)的整體競爭力，有利于更好地通過芯片設(shè)計研發(fā)與工藝技術(shù)平臺研發(fā)，不斷豐富產(chǎn)品群，進一步推動企業(yè)邁上新的臺階。

3. 青島半導(dǎo)體高端封測項目主廠房順利封頂

12月22日，位于中日（青島）地方發(fā)展合作示范區(qū)的青島半導(dǎo)體高端封測項目主廠房順利封頂。

青島西海岸新區(qū)國際招商消息顯示，青島半導(dǎo)體高端封測項目總投資10億元，是2020年青島市、區(qū)兩級重點項目。

4月15日，通過網(wǎng)上“云簽約”，項目落地中日（青島）地方發(fā)展合作示范區(qū)，主要運用世界領(lǐng)先的高端封裝技術(shù)，封裝目前需求量快速增長的5G、人工智能等應(yīng)用芯片。

據(jù)介紹，該項目從開工到主廠房封頂用時176天，為2021年生產(chǎn)設(shè)備安裝和投產(chǎn)打下良好基礎(chǔ)，實現(xiàn)了當年簽約、當年落地、當年開工、當年封頂。

4. 國內(nèi)首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設(shè)備成功試產(chǎn)

12月23日，由西安理工大學(xué)和西安奕斯偉設(shè)備技術(shù)有限公司共同研制的國內(nèi)首臺新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設(shè)備在西安實現(xiàn)一次試產(chǎn)成功。

據(jù)科技日報指出，2018年起，西安理工大學(xué)劉丁教授團隊與西安奕斯偉建立了促進成果轉(zhuǎn)化、支撐產(chǎn)業(yè)發(fā)展的緊密協(xié)作關(guān)系。雙方發(fā)揮各自的技術(shù)創(chuàng)新和市場優(yōu)勢，以開發(fā)新一代大尺寸集成電路硅單晶生長設(shè)備及核心工藝為目標，針對7-20nm集成電路芯片要求，開展技術(shù)攻關(guān)。

雙方共同研制的面向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的硅單晶生長成套設(shè)備按照集成電路硅單晶材料的要求，成功生長出直徑300mm，長度2100mm的高品質(zhì)硅單晶材料。實現(xiàn)了采用自主研發(fā)的國產(chǎn)技術(shù)裝備，拉制成功大尺寸、高品質(zhì)集成電路級硅單晶材料的重大突破并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

這一成果的取得，達到了基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究相互支撐，產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作、解決國家重大需求的明確目標，充分體現(xiàn)重大科技成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用，為加快解決我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的“卡脖子”問題提供有力支撐的突出作用。

5. 華芯投資換帥，孫曉東任總裁

據(jù)財新網(wǎng)報道，12月23日，華芯投資管理有限責(zé)任公司（下稱華芯投資）總裁路軍已于近期調(diào)回國家開發(fā)銀行總行，其職位將由孫曉東接任。這是華芯投資2014年成立以來的首次換帥。

天眼查信息顯示，華芯投資成立于2014年8月27日，法定代表人樊海斌。國家開發(fā)銀行全資子公司國開金融有限責(zé)任公司出資45%，是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的唯一管理人，負責(zé)基金的投資運作。

路軍現(xiàn)任國開新能源創(chuàng)始人、法人代表，國開金融有限責(zé)任公司副總裁，曾任國家開發(fā)銀行上海市分行副行長、投資業(yè)務(wù)局產(chǎn)業(yè)整合創(chuàng)新處處長、江蘇省分行客戶處處長等職。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期成立于2014年9月，規(guī)模超過人民幣1300億元，投資期為5年，回收期亦為5年。二期成立于2019年10月，規(guī)模超過2000億元，是支持國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。

6. 證監(jiān)會同意銀河微電科創(chuàng)板IPO注冊

12月23日，據(jù)證監(jiān)會同意銀河微電的科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊，銀河微電及其承銷商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程，并陸續(xù)刊登招股文件。

2017年度、2018年度、2019年度，銀河微電實現(xiàn)營業(yè)收入分別為61,170.46萬元、58,538.27萬元、52,789.38萬元，歸屬于母公司股東的凈利潤（扣非后）分別為5,284.49萬元、5,315.85萬元、4,961.14萬元。

銀河微電2019年技術(shù)人員共202人，占公司總員工比18.69%，2019年研發(fā)費用為3,221.85萬元，占營收比為6.10%。

銀河微電表示，本次募集資金投向半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)提升項目及研發(fā)中心提升項目，依托公司現(xiàn)有的技術(shù)積累和生產(chǎn)能力，重點進行超薄型光電耦合器、隔離驅(qū)動光電耦合器、高密度封裝小信號器件、功率MOS器件、快恢復(fù)二極管芯片、ESD保護用TVS二極管芯片等新型分立器件產(chǎn)品及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)。

關(guān)于未來的發(fā)展目標，銀河微電表示，公司將繼續(xù)實施技術(shù)創(chuàng)新，專注于半導(dǎo)體分立器件行業(yè)做精做強，進一步拓寬產(chǎn)品種類，提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品檔次；公司將繼續(xù)推進結(jié)構(gòu)調(diào)整，堅持縱向一體化發(fā)展戰(zhàn)略，全面優(yōu)化芯片和封測技術(shù)，增強生產(chǎn)柔性和效率，擴大經(jīng)營規(guī)模；公司將繼續(xù)堅持市場導(dǎo)向，提升市場營銷能力，強化技術(shù)服務(wù)支撐，拓展國內(nèi)外中高端市場領(lǐng)域，全面提升公司的盈利能力。

7. 中芯國際回應(yīng)被列入“實體清單”

美國商務(wù)部網(wǎng)站當?shù)貢r間12月18日發(fā)布消息宣稱，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）將中國芯片制造商中芯國際（SMIC）列入“實體清單”。

美國商務(wù)部稱，中芯國際被列入實體名單后，美國出口商必須申請許可證才能向該公司銷售產(chǎn)品。公告中還指出，生產(chǎn)10納米工藝制程或以下半導(dǎo)體所需獨特物品的出口申請。

12月20日，中芯國際公告，關(guān)注到美國商務(wù)部以保護美國國家安全和外交利益為由，將公司及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”；對用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點（包括極紫外光技術(shù)）的產(chǎn)品或技術(shù)，美國商務(wù)部會采取“推定拒絕”的審批政策進行審核。

公告如下：

2020年12月18日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱“中芯國際”或“公司”）關(guān)注到美國商務(wù)部以保護美國國家安全和外交利益為由，將中芯國際及其部分子公司及參股公司列入“實體清單”。

公司被列入“實體清單”后，根據(jù)美國相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定，針對適用于美國《出口管制條例》的產(chǎn)品或技術(shù)，供應(yīng)商須獲得美國商務(wù)部的出口許可才能向公司供應(yīng)；對用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點（包括極紫外光技術(shù)）的產(chǎn)品或技術(shù)，美國商務(wù)部會采取“推定拒絕”（Presumption of Denial）的審批政策進行審核；同時公司為部分特殊客戶提供代工服務(wù)也可能受到一定限制。

自2020年9月5日公司從媒體獲悉可能被美國商務(wù)部列入貿(mào)易黑名單以來，一直努力與美國政府相關(guān)部門溝通，以期得到公平、公正的對待。但遺憾的是，公司仍然被列入了“實體清單”。對此，中芯國際表示堅決反對，并再次重申，公司自成立以來一貫恪守合規(guī)運營的原則，嚴格遵守生產(chǎn)經(jīng)營活動所涉及相關(guān)國家和地區(qū)的法律法規(guī)，從未有任何涉及軍事應(yīng)用的經(jīng)營行為。

經(jīng)公司初步評估，該事項對公司短期內(nèi)運營及財務(wù)狀況無重大不利影響，對10nm及以下先進工藝的研發(fā)及產(chǎn)能建設(shè)有重大不利影響，公司將持續(xù)與美國政府相關(guān)部門進行溝通，并視情況采取一切可行措施，積極尋求解決方案，力爭將不利影響降到最低。

中芯國際將根據(jù)后續(xù)事件的發(fā)展情況，嚴格遵守相關(guān)規(guī)則，及時履行信息披露義務(wù)，敬請廣大投資者及時關(guān)注公司公告，注意投資風(fēng)險。

8. 臺積電230億元美國建廠計劃獲批

據(jù)媒體報道，臺積電投資35億美元(約合人民幣230億元)赴美建廠的計劃得到了有關(guān)部門的正式批準。

此前在12月11日，臺積電董事會內(nèi)部通過了這一項目。

臺積電計劃在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)一座300mm晶圓廠，2021年動工，2023年裝機試產(chǎn)，2024年上半年規(guī)模投產(chǎn)，直接部署目前最新的5nm工藝，規(guī)劃月產(chǎn)能2萬片晶圓。

當然到那個時候，5nm就不是最先進的了，臺積電計劃2022年量產(chǎn)下一代3nm，2023年量產(chǎn)增強版的3nm Plus，2024年則有望量產(chǎn)2nm。

2020年5月，臺積電宣布，在美國聯(lián)邦政府、亞利桑那州政府的共同理解、承諾支持之下，有意于美國建設(shè)并運營一座先進晶圓廠，將直接創(chuàng)造1600個高科技就業(yè)崗位。

2021-2029年期間，臺積電將為此工廠支出約120億美元。

9. 英特爾三家晶圓廠聚焦10納米制程

先前因為技術(shù)瓶頸，延后多年才推出10納米制程的處理器龍頭英特爾，目前為了市場需求，旗下3座晶圓廠正在擴大生產(chǎn)10納米制程芯片，以滿足需求。

據(jù)外媒《TechPowerUp》報導(dǎo)，為了應(yīng)付龐大的客戶需求，英特爾過去幾年將14納米和10納米等制程的產(chǎn)能增加一倍。不過，目前英特爾現(xiàn)在正將重點放在10納米制程產(chǎn)能擴大。

現(xiàn)階段，英特爾旗下包括美國俄勒岡州、亞利桑那州，以及以色列等地的3座晶圓廠都在加速生產(chǎn)10納米制程的芯片。

英特爾高級副總裁兼制造與運營總經(jīng)理KeyvanEsfarjani表示，過去3年英特爾的晶圓產(chǎn)能翻了一倍，這是一項重大投資。

接下來，英特爾將繼續(xù)投資晶圓廠的產(chǎn)能，以確保能跟上客戶日益成長的需求。10納米制程的進展也非常順利，目前全球3座晶圓廠正在加速生產(chǎn)10納米制程芯片。

報導(dǎo)指出，2020年期間，英特爾終于推出延宕已久的10納米制程，生產(chǎn)包括第11代英特爾Core-i處理器，以及無線基地臺的Atom P5900芯片。

此外，英特爾還在10納米制程發(fā)展出SuperFin技術(shù)，英特爾直指可達成英特爾史上最大單節(jié)點內(nèi)芯片性能的增強功能，并提供與全節(jié)點提升相當?shù)男阅芴嵘?/p>

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