隨著互聯網、5G、物聯網等行業的快速發展,PC數據量爆炸式的增長,個人數據存儲成為了痛點,本地硬盤存不下,網盤效率較低且價格昂貴、機械硬盤效率低下等等。
個人數據存儲爆發,存儲痛點該如何解決?這已經不是個人的問題,而是整個存儲行業的問題。
當下存儲行業的主要矛盾點在于性能與容量的兼顧性,眾多存儲廠商的主要發力點依然在性能上。
例如PCIe 4.0 SSD,這僅僅能夠滿足部分高端用戶的需求,而應用更廣的高性能SATA SSD卻少之又少。
從不同消費者的需求出發,大容量、高性能的SATA SSD正是解決當下以及未來個人存儲的重要維度。
在此之前,三星就發布了一款全球最大的消費級SATA SSD——三星870QVO固態硬盤,并在容量方面再次實現了驚人的突破,設計最大容量達到8TB。
而今日,三星再次重拳出擊,全新一代的870 EVO SSD震撼登場。
全新一代的870 EVO SSD在性能、可靠性、體驗上都有了一定的升級,并且在可靠性上的表現一鳴驚人,話不多說,按照慣例,在評測之前先來了解一下這款SSD都有哪些特點。
容量豐富:容量最大可達4TB,提供絕佳的數據存儲方案。
顆粒升級:采用第六代V-NAND 3bit MLC顆粒,性能再次提升。
全新主控:搭載新一代MKX主控,可靠性顯著提升。
智能緩存技術:搭載了第二代TurboWrite技術,固態硬盤走向AI化的一大步。
看完這些創新技術和功能特性,相信大家已經對這款三星870 EVO SSD已經產生了濃厚的興趣,接下來步入正題,來給大家介紹一下這款SSD的產品參數以及特性。
產品概述
全新的三星870 EVO SSD采用簡潔的設計理念,搭配黑色主色調,彰顯出十足的商務氣息。
在硬盤的正中央印有三星的標志性LOGO,采用銀色的配色,主視覺把控的恰當好處,顏色層次顯著,主次分明。
三星870 EVO SSD在容量方面提供了250GB、500GB、1TB、2TB、4TB多種容量選擇,消費者可以根據自己的需求進行選擇。
在接口方面,三星870 EVO SSD采用SATA 6 Gb/s接口,最大理論性能600MB/S左右,能夠兼容各類主板,具有十足的兼容性與拓展性。
在耐用性方面,4TB版本的三星870 EVO SSD提供了高達2400TB的總寫入字節數,按照用戶每天寫入100GB的數據來計算,可以使用約67年。
而以當下數據交互量大的創作者看來計算,很難達到每天寫入100GB的數據文件,這也就意味著,我們無需擔心硬盤的壽命問題。
三星870 EVO SSD搭載了全金屬的外殼,表面還采用了磨砂工藝的設計,這樣的設計具有三重優勢,首先不會留下指紋,具有十足的質感。
其次,具有高效散熱的作用,以保障大數據傳輸的穩定性。最后,可以防止硬盤內部的核心元器件受到碰撞,有保護的作用。
三星870 EVO SSD還支持TRIM、S.M.A.R.T、垃圾回收等功能。TRIM指令讓操作系統可以合理的運用SSD空間,快捷引導控制器回收閑置數據塊,進一步增強SSD的使用效率。
S.M.A.R.T技術是硬盤的自動狀態監測與預警系統,它監控著硬盤內的各種信息,SSD如果出現異常,可以進行自我修復,以此來保障硬盤的數據安全。
垃圾回收功能可以將SSD內部有效的數據整理到一起,刪除無效的數據塊,這樣不僅能夠保障SSD的性能,還可以釋放空間。
相信大家已經對三星870 EVO SSD已經有了一定的了解,接下來看一看三星870 EVO SSD的內部情況。
三星870 EVO SSD拆解:主控+顆粒+緩存顆粒
三星870 EVO SSD從主控到閃存再到緩存全部都由三星自主研發生產,這種端到端集成的做法讓產品得到深度優化,可以使產品性能更優、質量更好、故障率更低。本次拆解的三星870 EVO SSD是4TB版本。
此前,我們已經領略到了三星第五代V-NAND顆粒的實力所在。
此次三星870 EVO SSD新品在顆粒方面,搭載的是三星最新一代技術成果,增強型1xx層的第六代V-NAND 3bit MLC顆粒,集成了三星數年來在NAND閃存行業的技術積累和產品創新,實現了多維度的突破。
據悉,第六代V-NAND顆粒在制程工藝上,充分利用三星獨創的“通道孔蝕刻”技術,通過建立一個由100多個層組成的導電晶片堆棧。
然后從上到下垂直穿孔,形成均勻的三維電荷阱閃存(CTF)單元,從而實現了,在顆粒單堆棧結構基礎上增加了大約40%的存儲單元。
第六代V-NAND顆粒同比于上一代,不僅在性能上更為出色,更為關鍵的是三星采用了速度優化的電路設計。
使其能夠實現比第五代V-NAND更快的數據傳輸速度,寫入操作的時間少于450微秒(μs),讀取操作的時間少于45μs。
與上一代產品相比,性能提高了10%以上,而功耗也進行了一定程度上的降低。
此次的三星870 EVO 4TB SSD搭載了4顆閃存顆粒,僅僅一個拇指大小的顆粒,容量就高達1TB。
主控方面, 采用了全新一代三星自研MKX主控芯片,MKX主控搭載了三星研發的新一代ECC算法和糾錯機制,能夠進一步提升固態硬盤整體的穩定性和可靠性。
三星870 EVO SSD在三星增強型1xx層的第六代V-NAND 3bit MLC顆粒與MKX主控芯片的加持下,使得硬盤的讀寫速度進一步接近接口協議帶寬的上限,讀取速度最高可達560MB/s,寫入速度最高可達530MB/s。
介紹完三星870 EVO SSD的內部核心情況,開始進行測試。
測試平臺介紹
為了能夠發揮出三星870 EVO SSD的實力所在,在處理器方面我們使用的是目前桌面級旗艦處理器Intel i9-10900K,最大睿頻5.3GHz,主板使用的是微星MEG Z490 ACE主板,內存頻率為4266MHz。
CrystalDiskMark測試
CrystalDiskMark是一款來自日本的老牌硬盤性能測試軟件,它能夠在保證了連續讀寫、512KB和4KB數據包隨機讀寫性能。
以及隊列深度(Queue Depth)為32的情況下的4K隨機性能等常規測試外,還在隊列設置,性能描述,以及測試數據塊選擇上都進行了優化,更符合當下硬盤的測試需求。
在CrystalDiskMark測試測試中我們可以看到,三星870 EVO 4TB SSD的順序讀取速度達到了559.2MB/s,順序寫入速度達到了528.1MB/s。
ATTO測試
接著是ATTO測試,在ATTO測試中,我們采用全新4.0版本的ATTO進行測試,ATTO的優勢在于,可以通過測試不同維度的數據塊,進行模擬日常的實際工作場景,從而更符合產品的實際功能,測試成績更有參考意義。
在ATTO測試中,不同數據塊下,三星870 EVO 4TB SSD的性能基本維持在較高水準。其中,最大的連續讀取性能也達到了533.33MB/s,最大的寫入速度突破到了503.06MB/s。
最后,我們將通過Txbench進行連續性能測試,Txbench是一款能夠從不同隊列,不同數據塊進行存儲性能測試的老牌軟件。
在Txbench的測試中,三星870 EVO 4TB SSD的最大順序讀取速度為558.372MB/s,順序寫入速度為527.62MB/s。
綜合CrystalDiskMark、ATTO、Txbench等三個軟件的連續性能測試,三星870 EVO 4TB SSD的成績十分出色,幾乎達到SATA協議的理論帶寬峰值。
4K隨機測試
接下來進入4K隨機測試環節,我們將使用AS SSD進行測試,AS SSD Benchmark是一個專門為SSD測試而設計的標準檢測程序。
它涵蓋了持續性讀寫、單線程4KB隨機讀寫、64線程4KB隨機讀寫以及磁盤尋道時間等關鍵數據的測試,最后還會根據公式將成績標準化,能比較科學的反映固態硬盤的真實性能。
在AS SSD 4K隨機性能中,三星870 EVO 4TB SSD最大64線程下的4K讀取達到95003 IOPS,最大64線程下4K寫入達到了85925 IOPS。
CrystalDiskMark隨機性能測試
CrystalDiskMark涵蓋連續讀寫、512K和4KB數據包隨機讀寫性能,以及隊列深度(Queue Depth)為32的情況下的4K隨機性能。隊列深度描述的是硬盤能夠同時激活的最大IO值,隊列深度越大,實際性能也會越高。
在CrystalDiskMark測試中,三星870 EVO 4TB SSD的4K隨機速度達到95532IOPS,4K隨機寫入速度達到了86313 IOPS,與之前測試的AS SSD Benchmark中數據幾乎一致。
穩定性測試
當然,固態硬盤的穩定性是一個重要環節,目前市面上有很多的固態硬盤會內置SLC加速機制,會導致在大數據傳輸過程中,前后性能會有明顯的差異,無法真實反應產品的性能,所以本次測試使用HDTune軟件,來驗證三星870 EVO 4TB SSD的真實效能。
三星870 EVO 4TB SSD搭載了新一代TurboWrite技術,借助TurboWrite,在固態硬盤中創建一個固定空間的高性能SLC寫入緩沖區,在一定寫入容量下維持SLC級別的高性能,進而實現了在3bit MLC顆粒基礎上維持高性能的寫入。
從HDTune軟件測試中我們可以看到,三星870 EVO 4TB SSD經過文件長度為100GB的寫入后,沒有任何掉速的表現,穩成一條直線。
根據官方資料顯示,三星870 EVO 4TB SSD默認緩存容量為6GB,智能動態緩存容量為72GB,總計為78GB,但是我們從上述測試中可以看到,三星870 EVO 4TB SSD即使是達到了100GB的寫入量,依然沒有掉速。
這一點上,筆者十分詫異,按照TurboWrite技術的原理,在緩存區間寫入完畢后,存儲盤應該會出現一定的掉速現象,為何此款三星870 EVO 4TB SSD還能保持緩內外速度高度一致呢?
為此,筆者再次查閱了三星提供的實驗室測試數據圖,通過數據圖展示,在500GB和250GB型號中,三星870 EVO SSD依舊會受到TurboWrite技術的影響,而出現掉速現象;
而到了1TB及以上容量的產品,三星870 EVO SSD則會保持著緩內外相同的速度表現,究其原因,筆者猜想應該是三星870 EVO 4TB SSD搭載的增強型1xx層的第六代V-NAND 3bit MLC顆粒的功勞。
全新增強的第六代V-nand顆粒擁有著更低的延遲,更高的響應速度,配合著更大的存儲容量,使得三星870 EVO SSD能夠在緩存內外都保持著SATA接口下的巔峰性能。
為了進一步驗證三星870 EVO SSD 4TB容量的緩外內性能,筆者使用HDTune軟件進行一次全盤寫入測試,以展現三星870 EVO SSD 4TB的真實表現。
從測試們可以看到,在連續寫入4TB的數據文件后,整體曲線沒有明顯的波動情況,不得不說全新升級三星870 EVO 4TB SSD的強悍。
在提供強悍的寫入性能同時還能保障全盤寫入不掉速,在當下的SSD市場可謂是實屬難得,坐實了SATA SSD行業的第一把交椅。
PCMARK 10測試
PCMark 10是PCMark8升級版本,相比于PCMark8 ,PCMark 10進行了大幅度的功能簡化,從前者具體、繁雜的家用、創造、工作、存儲、和應用五個大項直接刪減成了完整、快速和拓展模式三種,用戶能夠快速簡明的了解到計算機的性能。
在這項測試中我們使用的是控制變量法,在保障計算機其他硬件不變的條件下,通過更換SSD的方式,來實現三星870 EVO SSD與SATA SSD存儲性能之間的差異。
PCMark 10測試:三星870 EVO SSD對比傳統SATA SSD
通過測試成績我們可以看到,三星870 EVO SSD在常用基本功能、內容創作有一定的優勢,在生產力方面略微落后于傳統的SATA SSD。但在總分上,三星870 EVO SSD也更勝一籌,由此可見,三星870EVO SSD的綜合性能還是有著明顯的優勢。
作為一款定位于全能的SSD,綜合性能是一個重要的參考維度,通過PC Mark10的測試,我們可以明顯看出,三星870 EVO SSD在實際應用領域以及全面性上的突出優勢,適用于游戲、娛樂、生活、商務等多層次領域的用戶。
高階測試:高負載、多頻段的QD下性能
在多頻段的高端QD測試中,我們將采用4KB的單位數據塊,在QD1/QD4/QD8/QD16/QD32等五個不同QD維度下,進行連續寫入5000秒,進行真實4K隨機寫入、寫入性能測試。
在日常的存儲任務中,QD即隊列深度的不同,對于硬盤存儲效率也有著不同的提升,通過測試不同QD下固態硬盤的IOPS值,即每秒IO性能,能夠更加全面的反映固態硬盤的真實效能。
在不同隊列下的4K隨機讀取中能夠看出,基礎的QD1上的4K隨機讀取達到了22K左右的IOPS,而在QD16-QD32的隊列中的4K隨機讀取中,則基本維持在95K的IOPS。
在不同隊列下的4K隨機寫入中能夠看出,基礎的QD1上的4K隨機寫入達到了37K左右的IOPS,而在QD4-QD32的隊列中的4K隨機寫入中,則基本維持在80K-85K的IOPS。
Samsung Magician軟件
三星品牌存儲在性能上一直在行業中名列前茅,最為關鍵的細節上也是相當到位,除了硬核的售后服務,三星還提供了Samsung Magician管理軟件,方便用戶更好的管理存儲設備,也能夠進行數據遷移,還有一些強大的便攜功能,帶給用戶更加舒心的使用體驗。
還有,三星870 EVO具有休眠低功耗的功能,可以在Samsung Magician軟件中進行設置,電腦在非工作狀態時,硬盤會自動進行休眠,功耗低于5mW。
這樣一來我們就可以享受如同智能手機一般的休眠和活躍模式的即時開關切換。并且系統和SSD在休眠模式下可以保持后臺活動更新。
此外,Samsung Magician還可以進行硬盤測試,筆者使用三星870 EVO 4TB SSD進行了對應的測試,成績如下。
在Samsung Magician的Performance Benchmark測試中,三星870 EVO 4TB SSD的讀取速度為562MB/s,寫入速度為532MB/s,隨機讀取速度為97656 IOPS,隨機寫入速度為87646IOPS,與此前的測試成績幾乎一致。
此外,Samsung Magician還可以時刻了解硬盤的狀態和使用量,并且還可以進行更新固件、驅動和其他設置。
寫在最后
三星自2013年首發840 EVO之后,便一直常年霸榜客戶端SATA固態硬盤市場,市場份額達到了54%,可以見得消費者對EVO系列的火熱程度。
而在近日,三星再次出臺了全新的870 EVO,在性能上達到了協議帶寬的理論峰值,精益求精,帶給消費者全新的高規格產品。
而此次發布的三星870 EVO SSD更是亮點十足,搭載了三星自主研發生產增強型1xx層的第六代V-NAND 3bit MLC顆粒,集成了三星數年來在NAND閃存行業的技術積累和產品創新,實現了性能的突破。
而且還采用自家的全新一代三星自研MKX主控芯片,支持智能TruboWrite機制,通過智能識別技術,能夠為用戶提供更加穩定和高效的存儲性能。
過去,存儲空間主要面臨的挑戰在于游戲以及應用上,例如下載幾個3A游戲就會將硬盤空間占滿。
現在,以個人為主的小型生產力PC指數逐漸增高,更高性能、穩定的硬盤是重要的需求點。
未來,個人的手機、相機等設備的規格提升、電腦軟件升級等因素,將會讓個人的數據存儲需求全面呈現指數增長。
而三星870 EVO SSD的誕生,在某種程度上正是為了解決過去遇到的存儲困境,直面現在日益復雜多樣的存儲需求,以及著眼未來全面爆發的、指數級的存儲變化。
不負過去,迎合當下,著眼未來,可能這就是全能且多面的SSD最真實的模樣。
責任編輯:pj
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