誠(chéng)然，量子計(jì)算具有非常強(qiáng)大的計(jì)算能力，也可用于化學(xué)、密碼學(xué)等其他領(lǐng)域，但其自身存在固有缺陷。量子設(shè)備需要放置于接近絕對(duì)零度的環(huán)境中，還要阻斷電噪聲等外界干擾，因此穩(wěn)定的環(huán)境至關(guān)重要。在近日發(fā)表于《自然 · 電子學(xué)》雜志上的一項(xiàng)研究中，微軟聯(lián)合悉尼大學(xué)開(kāi)發(fā)了一個(gè)低溫量子控制平臺(tái)，可以同時(shí)控制數(shù)千個(gè)量子比特，可稱(chēng)得上量子計(jì)算領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。

量子計(jì)算對(duì)化學(xué)、密碼學(xué)等領(lǐng)域帶來(lái)極大影響。量子計(jì)算機(jī)的構(gòu)造塊不只是 0 和 1，而是 0 和 1 的疊加。這些量子計(jì)算基礎(chǔ)單元叫做量子比特。將量子比特植入復(fù)雜設(shè)備并進(jìn)行操作可以解決經(jīng)典計(jì)算機(jī)無(wú)法處理的問(wèn)題。

盡管量子比特帶來(lái)了強(qiáng)大的計(jì)算能力，然而它們也存在缺陷：不穩(wěn)定性。量子態(tài)極易受環(huán)境干擾，研究人員必須努力保護(hù)它們。這就需要降低環(huán)境溫度使其逼近絕對(duì)零度，將它們與電噪聲等外界干擾阻斷。因此，有必要開(kāi)發(fā)一個(gè)完整系統(tǒng)，來(lái)維護(hù)一個(gè)穩(wěn)定的環(huán)境。然而，這還需要維持量子比特的通信。此前，此類(lèi)系統(tǒng)只能處理有限數(shù)量的量子比特，無(wú)法適用于大規(guī)模量子計(jì)算機(jī)。

最近，來(lái)自微軟和悉尼大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一個(gè)低溫量子控制平臺(tái)，利用專(zhuān)門(mén)的 CMOS 芯片接收數(shù)字輸入，并生成很多并行量子比特控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)千個(gè)量子比特的支持。支持該平臺(tái)的芯片叫做 Gooseberry，它在 100 毫開(kāi)爾文 （mK） 的低溫下運(yùn)行，而且能耗很低，從而解決量子計(jì)算機(jī)中的多個(gè) I/O 問(wèn)題。相關(guān)研究發(fā)表在 Nature 子刊《Nature Electronics》上，微軟也專(zhuān)門(mén)寫(xiě)了一篇博客介紹這項(xiàng)研究。

博客地址：https://www.microsoft.com/en-us/research/blog/full-stack-ahead-pioneering-quantum-hardware-allows-for-controlling-up-to-thousands-of-qubits-at-cryogenic-temperatures/

該研究團(tuán)隊(duì)還創(chuàng)建了一種通用的低溫計(jì)算核心，其運(yùn)行溫度為 2 開(kāi)爾文 （K），可通過(guò)浸入液氦來(lái)實(shí)現(xiàn)。該溫度是 Gooseberry 運(yùn)行溫度的 20 倍，制冷功率是 400 倍，因此該核心能夠執(zhí)行通用計(jì)算。

Gooseberry 和該計(jì)算核心可以幫助管理大規(guī)模量子計(jì)算機(jī)中不同部件以及計(jì)算機(jī)與用戶(hù)之間的通信，是向每個(gè)量子比特收發(fā)信息的復(fù)雜「神經(jīng)系統(tǒng)」的核心元素，同時(shí)維持穩(wěn)定的低溫環(huán)境，這對(duì)于具備成千上萬(wàn)量子比特的大規(guī)模商業(yè)系統(tǒng)而言是很大的挑戰(zhàn)。

概覽：拓?fù)淞孔佑?jì)算和量子堆棧

衡量量子計(jì)算設(shè)備時(shí)往往會(huì)統(tǒng)計(jì)它們包含多少個(gè)量子比特。但是，并非所有量子比特都是相同的，因此相應(yīng)的計(jì)數(shù)往往無(wú)法精準(zhǔn)地實(shí)現(xiàn)。微軟量子團(tuán)隊(duì)的研究者正率先開(kāi)發(fā)拓?fù)淞孔颖忍兀鼈冊(cè)?a href="http://www.1cnz.cn/v/tag/1751/" target="_blank">硬件層面內(nèi)置了高級(jí)別的誤差保護(hù)，由此減少了軟件層面誤差糾錯(cuò)所需的開(kāi)銷(xiāo)，并能夠使用更少的物理量子比特完成更有意義的計(jì)算。

圖 1：量子堆棧圖。

這是微軟提出方法的獨(dú)特特征之一，但并不是唯一一個(gè)。在量子堆棧中，量子比特構(gòu)成基底（base）。如上圖 1 所示，量子平面（quantum plane）是由一系列拓?fù)淞孔颖忍兀ㄋ鼈冏陨碛?a target="_blank">半導(dǎo)體、超導(dǎo)體和電介質(zhì)組成）、門(mén)、接線(xiàn)以及其他有助于處理原始量子比特信息的封裝包組成。

至關(guān)重要的通信過(guò)程位于堆棧的中間層（圖 1 中的「Quantum-Classical Interface」）。Gooseberry 芯片和低溫計(jì)算（cryo-compute ）核心協(xié)同工作完成通信。其中，低溫計(jì)算核心位于 Classical Compute 底部。而與其他控制平臺(tái)相比，Gooseberry 的獨(dú)特之處在于：它與量子比特一起處于與量子平面相同的溫度下，能夠?qū)⒌蜏赜?jì)算核心的經(jīng)典指令轉(zhuǎn)化為發(fā)送至量子比特的電壓信號(hào)。

保持低溫：在基于 CMOS 的控制平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)散熱

Gooseberry 芯片的放置位置為什么如此重要呢？部分原因在于熱量。當(dāng)連接控制芯片與量子比特的接線(xiàn)很長(zhǎng)時(shí)（如果控制芯片處于室溫條件下，則接線(xiàn)必然如此），冰箱（fridge）內(nèi)部就會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。將控制芯片放置于量子比特附近可以避免出現(xiàn)此問(wèn)題。現(xiàn)在的折衷方案也是芯片靠近量子比特，并且芯片生成的熱量可能會(huì)使量子比特升溫。

Gooseberry 通過(guò)將控制芯片放置在靠近量子比特的位置（又不太近）來(lái)控制競(jìng)爭(zhēng)效應(yīng)。將 Gooseberry 放置于冰箱中并且與量子比特?zé)岣綦x，則芯片產(chǎn)生的熱量從量子比特中被吸走并進(jìn)入混合室（mixing chamber）中。

具體如下圖 2 所示：

圖 2：左：Gooseberry（Cryo-CMOS）芯片的熱傳導(dǎo)模型原理圖示；右：Gooseberry 芯片（紅色）靠近量子比特測(cè)試芯片（藍(lán)）和共振器芯片（紫色）。

芯片靠近量子比特解決了溫度問(wèn)題，但同時(shí)也產(chǎn)生了其他問(wèn)題。若要在量子比特所在位置操作芯片，則需要在與量子比特相同的溫度（100 mK）下工作。在此溫度下操作標(biāo)準(zhǔn)塊狀 CMOS 芯片具有挑戰(zhàn)性，因此 Gooseberry 芯片采用了全耗盡絕緣體硅片（fully-depleted silicon-on-insulator， FDSOI）技術(shù)，優(yōu)化系統(tǒng)在低溫下的操作性能。

此外，Gooseberry 芯片具有背柵偏置（back-gate bias），其中晶體管的第四終端可用于補(bǔ)償溫度變化。晶體管和門(mén)的系統(tǒng)允許對(duì)量子比特進(jìn)行單獨(dú)地校準(zhǔn)，晶體管為每個(gè)量子比特發(fā)送單獨(dú)的電壓。

大量的門(mén)：不需要從室溫到每個(gè)量子比特的單獨(dú)控制線(xiàn)

Gooseberry 芯片的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，在設(shè)計(jì)時(shí)，控制量子比特的電子門(mén)通過(guò)單個(gè)電壓電源充電。同時(shí)，該電壓電源以「循環(huán)」的方式周期性地通過(guò)門(mén)，并在必要時(shí)充電。

如下圖 3 所示，Gooseberry 芯片由數(shù)字和模擬塊組成。耦合的數(shù)字邏輯電路通過(guò)一個(gè)有限狀態(tài)機(jī)（finite-state machine， FSM）執(zhí)行芯片的通信、波形存儲(chǔ)和自動(dòng)化操作，同時(shí)芯片的數(shù)字部分也包含一個(gè)主控振蕩器（master oscillator）。

該芯片還使用串行外設(shè)接口（Serial Peripheral Interface， SPI），以在高于量子堆棧的位置實(shí)現(xiàn)便捷通信。芯片的模擬組件是一系列的單元，它們被稱(chēng)為「charge-lock fast-gate， CLFG」單元。

cryo-CMOS 控制與量子點(diǎn)芯片的基準(zhǔn)結(jié)果

研究者測(cè)試了 Gooseberry 芯片，查看將其與基于 GaAs 的量子點(diǎn) （QD） 設(shè)備連接后的性能。在室溫下，將量子點(diǎn)設(shè)備中的一些門(mén)與數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 連接，對(duì)比其與標(biāo)準(zhǔn)控制方法的結(jié)果。CLFG 單元的功率泄露可以通過(guò)設(shè)備中的第二個(gè)量子點(diǎn)來(lái)衡量，對(duì)量子點(diǎn)電導(dǎo)率的度量提供了一種監(jiān)測(cè) charge-locking 過(guò)程的方式。該芯片中所有組件的溫度都在控制芯片充電后測(cè)量，這表明在必要的頻率或時(shí)鐘速度范圍內(nèi)，溫度能夠保持在 100 mK 以下（參見(jiàn)下圖 4）。

根據(jù)這些結(jié)果，研究者估計(jì)，Gooseberry 控制芯片所需的總系統(tǒng)功率是頻率和輸出門(mén)數(shù)量的函數(shù)。這些結(jié)果考慮了拓?fù)淞孔颖忍厮璧臅r(shí)鐘速度和溫度。下圖 5 展示了 Gooseberry 芯片能夠在可接受的限制下運(yùn)行，同時(shí)滿(mǎn)足數(shù)千量子比特的通信。這一基于 CMOS 的方法還可用于基于電子自旋或 gatemon 的量子比特平臺(tái)。

責(zé)編AJX