21 世紀初，以金剛石、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為主的第三代半導體材料進入大眾的視野，其中金剛石更是憑借其特有的性質成為備受關注的芯片材料，甚至被業界評為“終極半導體材料”。

據IT之家1月11日報道，哈爾濱工業大學的韓杰才院士團隊在通過與香港城市大學、麻省理工學院等單位合作后，在金剛石芯片領域取得了新進展。

據報道，韓杰才院士帶領的團隊首次通過納米力學新方法，從根本上改變金剛石復雜的能帶結構，為實現下一代金剛石基微電子芯片提供了全新的方法。

但目前該技術仍具備一定的局限性。據報道，金剛石芯片雖然比硅芯片更強、更耐抗，但在迄今為止的實驗中，由于金剛石分子結構保持較強的獨立性，無法對電流產生有效影響，所以在實際應用上還存在不少難題。

不過，當前中國團隊全新科研成果的發布，正有力地推進這一難題的攻關。要知道，一旦金剛石芯片研發成功，也將有力推動芯片國產化，并有望攻克美國“卡脖子”難題。

作為具有巨大發展潛力的頂尖行業，半導體行業正獲國家以及國內企業的大力傾注。當前，我國已宣布為芯片行業提供10年的免稅保護期；同時，我國官方還定下了一個目標：到2025年，芯片自給率達到70%。在此背景下，據統計，當前我國入局半導體行業的企業數量已超過24萬家。

原文標題：芯片國產化再傳好消息！中國這一領域又獲新突破，望打破美國壟斷

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