臺積電3nm制程預計下半年試產量產
臺積電董事長劉德音近日受邀于2021年國際固態電路會議（ISSCC 2021）開場線上專題演說時指出，臺積電3nm制程依計劃推進，甚至比預期還超前了一些。3nm及未來主要制程節點將如期推出并進入生產。臺積電3nm制程預計今年下半年試產，明年下半年進入量產。
劉德音指出半導體制程微縮腳步并未減緩，摩爾定律仍然有效，臺積電3nm比預期進度超前，至于2nm之后的電晶體架構將轉向環繞閘極（GAA）的nm片（nano-sheet）架構，而極紫外光（EUV）技術可支持到1nm。
臺積電2020年推出5nm制程并進入量產，與7nm相較，邏輯密度提升1.83倍，運算速度增加13％，運算功耗下降21％。臺積電預計2022年推出3nm制程，與5nm相較邏輯密度提升1.7倍，運算速度提升11％且運算功耗可減少27％。
臺積電日前宣布將在日本成立研發中心擴展3D IC材料研究，劉德音也提及臺積電在新材料上的技術創新，包括六方氮化硼（hBN）已接近實現量產。他強調，系統整合是半導體未來發展方向，Chiplet（小芯片）是能讓技術朝向正確方向發展的關鍵，而臺積電的SoIC先進封裝技術可實現3D芯片堆迭。
責任編輯:pj
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