有市場消息傳出，臺積電正擴大采購買氮化鎵相關半導體設備，6英寸廠內相關產能將翻倍。

自去年開始就陸續有消息傳出，臺積電看好化合物半導體領域，將與國外大廠合作進軍此領域，尤其是氮化鎵晶圓。魏哲家當初表示，氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性，適合用在高頻半導體，而臺積電在氮化鎵制程技術上已有所進展，符合客戶要求，看好未來氮化鎵應用前景。如今，小批量生產正在擴大。

臺積電目前是提供6英寸硅基氮化鎵晶圓代工服務，且在結盟意法半導體后，又與納微半導體進行合作，先進功率氮化鎵解決方案正陸續開發，預期能搶攻目前最熱門的電動車市場商機。作為一種寬禁帶半導體材料，氮化鎵運作將比硅元件快上20倍，應用在充電器上，將可使速度快3倍，但卻能大幅縮小體積與重量。雖然氮化鎵還不能用在制作如CPU等邏輯IC，主要是光電、通訊射頻及電源功率元件，但仍然相當重要，且造價并不便宜。

此類化合物半導體已被認為是第三代半導體，各國正積極投入生產及研究，還有如碳化硅等，具有耐高溫、耐高壓的特點，在電力電子系統上能有相當廣泛的應用，當然也包括電動車，所以除了手機快充外，目前投入化合物半導體的業者基本上都相當積極的想要打入電動車供應鏈。

此外，氮化鎵極其穩定的化合物，堅硬和高熔點材料，熔點為 1700℃。具有高的電離度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度，且具有低導通損耗、高電流密度等優勢。

通常用于微波射頻、電力電子、光電子三大領域。微波射頻包含了5G通信、雷達預警、衛星通訊等應用；電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等應用；光電子方向包括了 LED、激光器、光電探測器等應用。

隨著5G到來，GaN在Sub-6GHz 宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元，這主要受電信基礎設施和國防兩個方向應用推動，衛星通信、有線寬帶和射頻功率也做出了一定貢獻。

隨著新的基于GaN的有源電子掃描陣列（AESA）雷達系統的實施，基于GaN的軍用雷達預計將主導GaN軍事市場，從2018年的2.7億美元增長至2024年的9.77億美元，CAGR達 23.91％。

GaN射頻功率市場規模從2018年的200萬美元增長至2024年的10,460萬美元，CAGR達 93.38%，具有很大成長空間。

如臺灣地區的茂矽、漢磊科等也早已布局相關應用，搶先跨過技術門檻來爭搶市占，自去年Q4以來，車用電子急遽升溫，客戶訂單開始激增，目前產能都已滿載，價格當然也攀高，市場相當看好，甚至預期下半年客戶不會修正庫存，動能將持續，并一舉反虧為盈。

雖然這只是期望，但無論如何，化合物半導體市場正在擴大，將會是趨勢。據臺灣工研院報告，2025年就將成長到1780億美元，而相對來講投入的廠商仍少，但有的廠商已取得不錯的成果。

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