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臺積電3nm工藝技術研發(fā)超預期

我快閉嘴 ? 來源:創(chuàng)投時報 ? 作者:諦林 ? 2021-02-26 16:33 ? 次閱讀

近日,2021年國際固態(tài)電路會議正式召開。在會議上,臺積電董事長劉德音向外界公布了公司3nm工藝的研發(fā)進度。

據(jù)劉德音透露,目前臺積電3nm工藝技術的研發(fā)超出預期。此前預計的2022年量產(chǎn)節(jié)點有望提前。

要知道,在不久前多方媒體報道,臺積電和三星的3nm工藝研發(fā)陷入瓶頸。對此消息,業(yè)內外傳出不少認為兩巨頭3nm量產(chǎn)時間會延后的聲音。

就連也有這樣的看法,但出人意料的是,臺積電卻扭轉乾坤,非但沒有延后量產(chǎn)時間,反而有希望提前進入3nm時代。

臺積電的技術實力之強大可見一斑,不愧是中國第一大芯片代工巨頭。

世界第一芯片代工巨頭

值得注意的是,臺積電不僅在中國市場穩(wěn)居龍頭地位,在全球晶圓代工領域同樣是難以撼動的霸主。

公開資料顯示,臺積電還是全球第一家專業(yè)晶圓代工廠,堪稱晶圓代工領域的鼻祖。毫不客氣地說,是臺積電一手推動半導體芯片行業(yè)走向垂直分工。

自臺積電將業(yè)務規(guī)模擴張開來后,公司便一直占據(jù)著全球晶圓代工領域50%以上的市場份額。

而之所以臺積電的市場占有率在數(shù)十年來都遙遙領先,一方面得益于公司口碑,另一方面就要歸功于能夠長期引領整個行業(yè)的工藝精度。

以7nm時代和現(xiàn)如今正是市場主流的5nm工藝為例,臺積電都是全球第一家實現(xiàn)相關工藝芯片量產(chǎn)的晶圓代工廠。

尤其是在5nm時代,臺積電不僅領先三星近半年時間,而且制造出來的產(chǎn)品功耗穩(wěn)定性,遠超基于三星5nm工藝的芯片。

誠然,芯片的功耗穩(wěn)定性也與架構設計有關,但這也的確在一定程度上,受制作工藝的影響。

正因如此,蘋果、高通、華為之流的全球各大芯片設計商,才會將臺積電視為首選合作伙伴。

3nm節(jié)點戰(zhàn)況激烈

不過,像三星這樣的科技巨頭,自然不甘心一直戴著“萬年老二”的帽子。

了解到,早在2019年,三星就開始為趕超臺積電制定計劃;2020年,三星更是迫不及待地啟動了“半導體2030計劃”。

該計劃內容是,三星要在2030年之前投資133萬億韓元,并將全球最大的半導體公司視為現(xiàn)行目標。

同時,三星方面也屢屢透露出,要在3nm工藝節(jié)點追上臺積電的決心。為此,三星除了加大研發(fā)投入之外,還決定在3nm工藝上應用全新的GAA技術。

相比傳統(tǒng)的FinFET,GAA技術能夠更加精準地控制跨通道的電流,在縮小芯片面積的同時降低芯片功耗。

據(jù)悉,臺積電在3nm工藝上會保守采用成熟的FinFET技術。如果GAA技術能夠成功應用,屆時臺積電恐怕真的會被三星追平甚至趕超。

三星反超希望渺茫

不過,想要追上穩(wěn)居世界霸主之位多年的臺積電,并沒有那么容易。

雖然三星大膽采用新技術,但這項技術畢竟不成熟,量產(chǎn)的風險性相對較大。

對此,英哈大學材料科學與工程學教授崔瑞諾表示:如果三星在初始階段不能夠快速提高高級節(jié)點的產(chǎn)量,則可能會虧損。

反觀臺積電卻勝券在握。相比GAA技術,傳統(tǒng)FinFET的缺點確實明顯,但得益于技術的成熟度高,臺積電在3nm上的量產(chǎn)難度并不會太大。

而且,據(jù)劉德音透露,該公司在EUV光源上也獲得了較大突破,其電源功率被提升到350W。

需要注意的是,臺積電不僅在EUV光源技術有進展,EUV光刻機的擁有量也在三星之上。

寫在最后

隨著芯片制程的微縮,高端EUV光刻機的數(shù)量,也成為了高精度芯片能否順利量產(chǎn)的關鍵。更何況,如今臺積電的3nm研發(fā)進度已經(jīng)超出預期。

綜合多方因素來看,認為,此次三星想要追平臺積電的希望又要落空。
責任編輯:tzh

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