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三星半導體發布新一代高性能固態硬盤PM9A3 U.2

璟琰乀 ? 來源:美通社 ? 作者:美通社 ? 2021-03-01 14:37 ? 次閱讀

今年4月,三星半導體將為中國數據中心客戶提供一款新一代高性能固態硬盤 -- PM9A3 U.2。PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導體專為中國數據中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導體計劃進一步加強與中國企業合作的決心。

三星半導體發布為中國數據中心客戶打造的新款高性能固態硬盤

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0,是三星半導體專為中國數據中心客戶打造,此舉彰顯了三星半導體計劃進一步加強與中國企業合作的決心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D閃存(V-NAND)技術,基于NVMe協議,完全符合開放計算項目(OCP)NVMe 云端固態硬盤規范,并能根據數據中心需求,在性能、電源效率、可靠性、安全性等方面,提供高級別的解決方案。

值得一提的是,在目前已量產的數據中心級固態硬盤產品中,PM9A3 U.2 實現了更高級別的隨機寫入性能,可滿足中國客戶的需求,更低的能耗有利于數據中心節省運營成本,有助于減少碳排放。

PM9A3 U.2搭載了支持PCIe 4.0技術的的全新控制器和三星第六代3D閃存(V-NAND)技術,并通過固件優化實現了200K IOPS的穩態隨機寫入性能,同比上一代產品PM983 U.2提升了4倍。

對中國運營數據中心的科技企業而言,隨機寫入速度尤為重要,相信PM9A3U.2出色的表現,能很好地滿足這些客戶的需求。

另外,PM9A3 U.2的4K穩態隨機讀取性能為1100K IOPS,順序讀取速度為6900MB/s,相對上一代產品PM983 U.2分別提升2.2倍和2.16倍;并且,在每瓦304MB/s的順序寫入性能表現中,與前代產品相比,能效比提高了61%。

三星半導體存儲市場部總經理鄭光熙先生(音譯)表示:“PM9A3 U.2是三星首個采用第六代3D閃存(V-NAND)技術并支持 PCIe4.0的NVMe固態硬盤產品,符合中國數據中心客戶運營所需的特定性能和功耗配置,我們期待著它成為中國數據中心客戶的極佳解決方案。”

從量產PM9A3 U.2開始,三星半導體將繼續加強與全球數據中心客戶合作,不斷推進新一代存儲技術的發展和標準化,以迎接全面開放的5G時代和不斷變化的生活方式。

性能和功耗數據基于三星內部測量結果并符合以下條件:

1)性能

隨機性能測試工具使用的是FIO 2.1.3。操作系統Linux RHEL 6.6(內核3.14.29),數據塊大小為4KB(4,096字節),隊列深度32,4個測試線程;順序性能塊大小為128KB(131072字節),隊列深度為32,1個測試線程。實際性能可能會因使用條件和環境而異。

2) 功耗

功耗是通過SSD連接器插頭的12V電源引腳測量的。 活動功耗和空閑功耗定義為最高平均功率,即在100毫秒持續時間內的最大RMS平均值。 活動功耗的測量條件假定為100%順序讀寫。

注釋:

SSD:固態硬盤, RMS:均方根, NVMe:非易失性內存,

IOPS:每秒讀寫次數,MB/s:百萬字節/秒

PCIe:高速串行計算機擴展總線標準

責任編輯:haq

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