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安森美半導體FAN53870為智能手機提供優化的電源方案

安森美 ? 來源:安森美半導體 ? 作者:安森美半導體 ? 2021-03-02 11:16 ? 次閱讀

如今的智能手機廣告幾乎都包含了手機背面攝像頭的絢麗慢鏡頭。最新智能手機機型上的攝像頭已經成為創新的領先指標,也是廠商用來區別于競爭對手的一項功能。除了多鏡頭和圖像傳感器外,新的相機技術還提供了更高的分辨率、改進的變焦和更好的低光拍攝性能。

據估計

2020年拍攝的數字圖像數量約為1.7萬億張,其中85%以上的圖像是以智能手機拍攝的。從2013年到2020年,數字圖像的增長率每年增長14%。預計這種逐年增長的趨勢將持續到2026年。

考慮到這一趨勢的增長速度和壽命,其非常明顯的原因是手機制造商專注于相機和圖像質量的持續改進和創新。當我們的目光被這些浮華的消費廣告中的相機功能所吸引時,大多數人并沒有考慮到這些時尚設備背后的電氣性能。

雖然許多消費者只是享受智能手機帶來的清晰照片,但他們卻低估了為確保畫質優化所涉及的設計工作。影響畫質的一個重要因素是為相機模塊供電電源管理集成電路(PMIC)的精度、穩定性和抗噪能力。

安森美半導體最近開發了FAN53870:兩個低輸入LDO、三個高PSRR LDO、兩個通用LDO PMIC,以滿足需求,為智能手機提供優化的電源方案。

智能手機的一個重要方面是將數字核心電源與敏感的模擬/射頻RF)電源線隔離。FAN53870就是為解決這一難題而專門設計的,它具有精確的電壓調節功能、同類最佳的電源軌之間的隔離功能以及低靜態電流消耗,以延長電池壽命。FAN53870通過提供兩個低輸入電壓調整器(LDO)、三個高電源抑制比(PSRR)LDO和兩個通用LDO來支持相機模塊的各種需求。

FAN53870框圖

低輸入電壓LDO是專門為數字核心電源設計的,支持低至1.0V的輸入電壓和低至0.8V的輸出電壓。這些LDO的輸出電壓以8mV為步長,以1.5%的精度進行編程,優化了對高性能數字核的供電。這三款高PSRR LDO是特意為敏感的模擬/射頻電路設計的,因為這些電源線上的任何噪聲都會對圖像質量產生負面影響。

雖然高PSRR LDO具有更寬的輸出電壓范圍,并保持精確的8 mV步長,但這些LDO的主要特點是業界領先的PSRR和14μVRMS的輸出噪聲。

最后但同樣重要的是,FAN53870包括兩個通用LDO,為智能手機設計人員提供了靈活性。這些通用LDO具有多功能性,輸入電壓范圍寬廣,為1.9V-5.5V,輸出電壓范圍為1.5V-3.4V,可編程,還能保證8mV的步長。

FAN53870具有多種保護功能,有助于確保系統的可靠性。FAN53870實現了軟啟動,以限制浪涌電流,還包括用于欠壓閉鎖、過流保護、欠壓保護和過溫保護的I2C保護故障寄存器

這樣一款多功能、低靜態功耗的PMIC不僅對智能手機設計者有吸引力。FAN53870的電源軌隔離功能可以讓開發可穿戴設備、健康監測設備和機器視覺的系統設計人員受益。所有這些系統都有重疊的PMIC需求,因為它們通常需要精確的數字內核電源和隔離的、對噪聲敏感的模擬電源。

FAN53870只是安森美半導體開發的領先業界的PMIC系列中的一款器件。

原文標題:新一代數碼相機如何提高圖像質量和電源能效?

文章出處:【微信公眾號:安森美半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

責任編輯:haq

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原文標題:新一代數碼相機如何提高圖像質量和電源能效?

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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