半導體激光器的發(fā)展史
半導體激光器又稱激光二極管(LD)。隨著半導體物理的發(fā)展,人們早在20世紀50年代就設(shè)想發(fā)明半導體激光器。
20世紀60年代初期的半導體激光器是同質(zhì)結(jié)型激光器,是一種只能以脈沖形式工作的半導體激光器。在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上,美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯(Keyes)和奎斯特(Quist)報告了砷化鎵材料的光發(fā)射現(xiàn)象。
半導體激光器發(fā)展的第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導體激光器,它是由兩種不同帶隙的半導體材料薄層,如GaAs,GaAlAs所組成的激光器。單異質(zhì)結(jié)注人型激光器(SHLD),它是利用異質(zhì)結(jié)提供的勢壘把注入電子限制在GaAsP-N結(jié)的P區(qū)之內(nèi),以此來降低閥值電流密度的激光器。
1970年,人們又發(fā)明了激光波長為9000?在室溫下連續(xù)工作的雙異質(zhì)結(jié)GaAs-GaAlAs(砷化稼一稼鋁砷)激光器。在半導體激光器件中,目前比較成熟、性能較好、應用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注人式GaAs二極管激光器。
從20世紀70年代末開始,半導體激光器明顯向著兩個方向發(fā)展,一類是以傳遞信息為目的的信息型激光器;另一類是以提高光功率為目的的功率型激光器。在泵浦固體激光器等應用的推動下,高功率半導體激光器(連續(xù)輸出功率在100W以上,脈沖輸出功率在5W以上,均可稱之謂高功率半導體激光器)在20世紀90年代取得了突破性進展,其標志是半導體激光器的輸出功率顯著增加,國外千瓦級的高功率半導體激光器已經(jīng)商品化,國內(nèi)樣品器件輸出已達到600W。另外,還有高功率無鋁激光器、紅外半導體激光器和量子級聯(lián)激光器等等。其中,可調(diào)諧半導體激光器是通過外加的電場、磁場、溫度、壓力、摻雜盆等改變激光的波長,可以很方便地對輸出光束進行調(diào)制。
20世紀90年代末,面發(fā)射激光器和垂直腔面發(fā)射激光器得到了迅速的發(fā)展。
目前,垂直腔面發(fā)射激光器已用于千兆位以太網(wǎng)的高速網(wǎng)絡(luò),為了滿足21世紀信息傳輸寬帶化、信息處理高速化、信息存儲大容量以及軍用裝備小型、高精度化等需要,半導體激光器的發(fā)展趨勢主要是向高速寬帶LD、大功率LD,短波長LD,盆子線和量子點激光器、中紅外LD等方面發(fā)展。
半導體激光的波長是多少
如果是光通信的研究,一般用的多的半導體激光器的波長是1550nm波段的,其次是1310nm,也有其他的如,850nm和980nm等等。 半導體激光器的常用參數(shù)可分為:波長、閾值電流Ith 、工作電流Iop 、垂直發(fā)散角 、水平發(fā)散角 ∥、監(jiān)控電流Im。
(1)波長:即激光管工作波長,可作光電開關(guān)用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、激光二極管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。
(2)閾值電流Ith :即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,對一般小功率激光管而言,其值約在數(shù)十毫安,具有應變多量子阱結(jié)構(gòu)的激光管閾值電流可低至10mA以下。
(3)工作電流Iop :即激光管達到額定輸出功率時的驅(qū)動電流,此值對于設(shè)計調(diào)試激光驅(qū)動電路較重要。
(4)垂直發(fā)散角 :激光二極管的發(fā)光帶在垂直PN結(jié)方向張開的角度,一般在15~40左右。
(5)水平發(fā)散角 ∥:激光二極管的發(fā)光帶在與PN結(jié)平行方向所張開的角度,一般在6~ 10左右。
(6)監(jiān)控電流Im :即激光管在額定輸出功率時,在PIN管上流過的電流。
責任編輯:YYX
-
激光器
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
2516瀏覽量
60332 -
半導體激光器
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
126瀏覽量
19701
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論