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MCU為什么內(nèi)部不集成晶振與各方面原因

GReq_mcu168 ? 來(lái)源:CSDN技術(shù)社區(qū) ? 作者:Firefly_cjd ? 2021-03-09 17:55 ? 次閱讀

01 MCU為什么不集成晶振

本文將用STM32代替MCU

原因1:早些年,芯片的生產(chǎn)制作工藝也許還不能夠?qū)⒕д褡鲞M(jìn)芯片內(nèi)部,但是現(xiàn)在可以了。這個(gè)問(wèn)題主要還是實(shí)用性和成本決定的。

實(shí)用性:如果封裝進(jìn)入STM32內(nèi)部,不利于不同客戶(hù)更換不同頻率晶振。

成本:把晶振封裝進(jìn)STM32內(nèi)部成本提高,售價(jià)提升,不利于產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

原因2:封裝進(jìn)STM32內(nèi)部,必將使芯片面積增大。芯片面積大小也是廠商考慮的一個(gè)因素,在各方面考慮的情況下,芯片要盡可能的小一些。

原因3:STM32內(nèi)部是有“晶振”的,與其說(shuō)是晶振,不如說(shuō)是RC振蕩電路。在《STM32F207時(shí)鐘系統(tǒng)解析》文中,提到高速內(nèi)部時(shí)鐘和低速內(nèi)部時(shí)鐘。詳細(xì)信息請(qǐng)看《STM32F207時(shí)鐘系統(tǒng)解析》文章。

在時(shí)鐘樹(shù)中的位置。

2f802eac-80a3-11eb-8b86-12bb97331649.png

STM32F207內(nèi)部已經(jīng)提供了32.768KHz的低速內(nèi)部時(shí)鐘,一般用于RTC。還有一個(gè)16MHz的高速內(nèi)部時(shí)鐘,這個(gè)時(shí)鐘精度較差,但是一些應(yīng)用場(chǎng)景,使用高速內(nèi)部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片是足夠的。

所以基于實(shí)用性和成本考慮,STM32并不會(huì)將晶振集成進(jìn)入芯片內(nèi)部。

02 外圍電路問(wèn)題

看了上文,大家對(duì)于芯片外圍電路不集成進(jìn)入芯片內(nèi)部的原因,大概了解了。除了上文提到的原因,還有一些其他原因?qū)е峦鈬娐凡荒芗蛇M(jìn)入IC內(nèi)部。下面簡(jiǎn)單舉幾個(gè)常見(jiàn)的例子說(shuō)明一下。

2.1、濾波電容

濾波電容的大小從幾百nF~2000uF不等。由于一般電源為中高壓(不是1.xV),所以如果在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn),大致有MV_MOSCAP/MOM/ MIM3種。一般來(lái)說(shuō),2fF/um2是一個(gè)正常的值,也就是說(shuō),要實(shí)現(xiàn)100nF的電容,我得付出50mm2的面積代價(jià)。面積的增加,必將導(dǎo)致成本上升,是不劃算的。大部分的應(yīng)用是很在乎成本的,而不在乎PCB板子大一點(diǎn),接幾個(gè)下圖的接插件的電容。

2.2、變壓器

壓器一般只在隔離層和電源領(lǐng)域使用,但目前的集成電路工藝如果要集成磁芯,難度極高。沒(méi)必要集成,目前技術(shù)是不支持集成進(jìn)入IC內(nèi)部的,集成進(jìn)入也會(huì)影響到其他部件的工作。

2.3、電感

電感的主要應(yīng)用場(chǎng)景是電源里面的續(xù)流需求,經(jīng)過(guò)它的電流動(dòng)輒幾安培,芯片內(nèi)部要走安培級(jí)的電流得付出1mm粗的代價(jià),且這個(gè)1mm還得精密的圍成線圈,工藝實(shí)現(xiàn)有一定難度,并且成本上升太過(guò)恐怖。不要說(shuō)MCU這樣的主控芯片,大家數(shù)據(jù)的DCDC芯片,都需要將電感外置。以SY7152ABC型號(hào)DCDC芯片為例,電路圖如下

333609fe-80a3-11eb-8b86-12bb97331649.png

2.4、TVS

TVS管,又稱(chēng)瞬態(tài)二極管,主要是解決打ESD的時(shí)候芯片擊穿的問(wèn)題,TVS管電量不大,但勝在電壓極高,隨隨便便就幾kV了。就像電感一樣,TVS管也是不會(huì)集成進(jìn)入IC內(nèi)部的。

2.5、磁珠

磁珠,可以理解成一個(gè)很小的電感。這類(lèi)東西玩的少,我覺(jué)得凡是和磁性材料有關(guān)的,目前主流的硅基工藝都很難集成進(jìn)去。


編輯:lyn




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原文標(biāo)題:MCU為什么內(nèi)部不集成晶振

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