色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

硬創(chuàng)早報(bào):三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

電子工程師 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金 ? 作者:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金 ? 2021-03-23 10:36 ? 次閱讀

【巴西:華為不會(huì)成為該國政府使用的5G網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商】據(jù)外媒報(bào)道,巴西通信部長法比奧·法里亞在國會(huì)5G工作組公開聽證會(huì)上表示,華為將不會(huì)被列入政府將使用的5G和私人通信網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商之列。當(dāng)議員們?cè)儐柸A為是否可能被禁止參與某些特定項(xiàng)目時(shí),法里亞表示,華為不符合巴西電信公司Anatel最近提出的競(jìng)標(biāo)要求。不過,法里亞表示,巴西政府不會(huì)阻止任何國家或組織在巴西開展業(yè)務(wù),但可以為自己的網(wǎng)絡(luò)定義標(biāo)準(zhǔn),比如要求供應(yīng)商遵守與巴西上市公司相兼容的公司治理規(guī)則。

產(chǎn)業(yè)要聞

三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì)上,三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片,是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM存儲(chǔ)芯片,這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

在三星路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點(diǎn),其他則是升級(jí)改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星將在3nm工藝上第一次應(yīng)用GAAFET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù),再次實(shí)現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破,比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

GAAFET技術(shù)又分為兩種類型,一是常規(guī)GAAFET,使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin),二是MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管),使用的鰭更厚更寬一些,稱之為納米片(nanosheet)。

三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面積56平方毫米,最令三星驕傲的就是超低功耗,寫入電流只需要區(qū)區(qū)0.23V,這要感謝MBCFET的多種省電技術(shù)。

按照三星的說法,3GAE工藝相比于其7LPP,可將晶體管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或許,這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱,避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

三星3nm預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn),但尚未公布任何客戶。

臺(tái)積電方面,3nm繼續(xù)使用FinFET技術(shù),號(hào)稱相比于5nm晶體管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候投入試產(chǎn),明年量產(chǎn),客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科賽靈思博通高通等,甚至據(jù)說Intel也會(huì)用。

芯片短缺蔓延至手機(jī)市場(chǎng):驍龍888短缺 三星中低端機(jī)型生產(chǎn)受阻

據(jù)國外媒體報(bào)道,自2020年下半年以來,芯片短缺問題就成為半導(dǎo)體行業(yè)的主旋律。如今,芯片短缺問題日益嚴(yán)重,包括汽車、手機(jī)、游戲機(jī)、PC在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)相繼受到影響。

據(jù)悉,高通是HTC、索尼、諾基亞、LG、三星等公司的芯片供應(yīng)商。而在國內(nèi),華為、中興、聯(lián)想、小米、海信、海爾等大多也都采用高通的驍龍處理器。如今,高通也出現(xiàn)了芯片短缺問題。

在過去幾個(gè)月,高通芯片的需求飆升。然而,高通又難以滿足高于預(yù)期的需求,部分原因是其芯片中使用的一些子部件出現(xiàn)短缺。

一位來自三星供應(yīng)商的知情人士表示,高通芯片短缺對(duì)三星中低端機(jī)型的生產(chǎn)構(gòu)成了沖擊。而來自另一家三星供應(yīng)商的知情人士也表示,高通的最新旗艦芯片驍龍888也出現(xiàn)短缺,但他并未透露這是否會(huì)影響三星高端手機(jī)的生產(chǎn)。

此前,小米和Realme都承認(rèn)芯片組市場(chǎng)存在巨大短缺。在2月24日晚間,小米中國區(qū)總裁、Redmi品牌副總裁兼總經(jīng)理盧偉冰曾在微博上表示:“今年芯片太缺了,不是缺,而是極缺。”

此外,Realme相關(guān)負(fù)責(zé)人也表示:“高通主芯片、小料都缺貨,其中包括電源類和射頻類的器件。”

手機(jī)供應(yīng)鏈人士曾透露,高通全系列物料的交付期限已延長至30周以上,其中CSR藍(lán)牙音頻芯片的交付周期已達(dá)33周以上。

資本市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

一級(jí)市場(chǎng)

半導(dǎo)體及AIOT領(lǐng)域一級(jí)市場(chǎng)融資事件整理如下:

a0e835ac-8932-11eb-8b86-12bb97331649.png

二級(jí)市場(chǎng)

科創(chuàng)板及創(chuàng)業(yè)板半導(dǎo)體及AIOT相關(guān)公司上市狀態(tài)更新如下:

a1cf05cc-8932-11eb-8b86-12bb97331649.png

-END-

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    456

    文章

    50892

    瀏覽量

    424366
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9701

    瀏覽量

    138386
  • 半導(dǎo)體行業(yè)

    關(guān)注

    9

    文章

    403

    瀏覽量

    40544

原文標(biāo)題:硬創(chuàng)早報(bào):三星全球首秀3nm 電壓只需0.23V;芯片短缺蔓延至手機(jī)市場(chǎng);巴西稱華為不會(huì)成為該國政府使用的5G網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商

文章出處:【微信號(hào):chinabandaoti,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    三星3nm良率僅20%,仍不放棄Exynos 2500處理器,欲打造“十核怪獸”

    ,導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是,這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝,然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ?
    的頭像 發(fā)表于 06-25 00:04 ?3655次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b><b class='flag-5'>3nm</b>良率僅20%,仍不放棄Exynos 2500處理器,欲打造“十核怪獸”

    可穿戴芯片進(jìn)階至3nm!Exynos W1000用上了面板級(jí)封裝,集成度更高

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)關(guān)于可穿戴芯片,三星已經(jīng)推出了多款產(chǎn)品。2021年8月,三星發(fā)布Exynos W920,彼時(shí)是業(yè)內(nèi)款采用5nm工藝制程的可穿戴芯片,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 08:29 ?5042次閱讀
    可穿戴芯片進(jìn)階至<b class='flag-5'>3nm</b>!Exynos W1000用上了面板級(jí)封裝,集成度更高

    三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的3納米工藝芯片

    近日,三星電子震撼發(fā)布了其專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的3納米工藝芯片——Exynos W1000,標(biāo)志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。這款尖端芯片采用了三星獨(dú)有的
    的頭像 發(fā)表于 07-05 16:07 ?1461次閱讀

    三星3nm可穿戴設(shè)備芯片Exynos W1000發(fā)布

    在科技日新月異的今天,三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力震撼業(yè)界,于7月3日正式揭曉了其款采用頂尖3nm GAA(Gate-All-Around)先進(jìn)工藝制程的可穿戴設(shè)備系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC
    的頭像 發(fā)表于 07-05 15:22 ?1670次閱讀

    三星3nm芯片良率低迷,量產(chǎn)前景不明

    近期,三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn),其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷,目前仍低于20%,遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星半導(dǎo)體制造能力的質(zhì)疑,同時(shí)也使得該芯片未來
    的頭像 發(fā)表于 06-24 18:22 ?1541次閱讀

    臺(tái)積電3nm工藝穩(wěn)坐釣魚臺(tái),三星因良率問題遇冷

    近日,全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電在3nm制程的芯片代工價(jià)格上調(diào)5%之后,依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時(shí),韓國的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有
    的頭像 發(fā)表于 06-22 14:23 ?1178次閱讀

    臺(tái)積電3nm產(chǎn)能供不應(yīng)求,驍龍8 Gen44成本或增

    在半導(dǎo)體行業(yè)的最新動(dòng)態(tài)中,三星3nm GAA工藝量產(chǎn)并未如預(yù)期般成功,其首個(gè)3nm工藝節(jié)點(diǎn)SF3E的市場(chǎng)應(yīng)用范圍相對(duì)有限。這一現(xiàn)狀促使了科技巨頭們紛紛轉(zhuǎn)向臺(tái)積電,尋求更穩(wěn)定、更先進(jìn)的
    的頭像 發(fā)表于 06-15 10:32 ?823次閱讀

    消息稱三星第二代3nm產(chǎn)線將于下半年開始運(yùn)作

    三星電子近日宣布,將在7月的巴黎Galaxy Unpacked活動(dòng)中,向全球展示其最新研發(fā)的3nm技術(shù)芯片Exynos W1000。這款尖端芯片將首次應(yīng)用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手機(jī)G
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:27 ?431次閱讀

    三星3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器實(shí)現(xiàn)首次流片

    據(jù)行業(yè)內(nèi)部可靠消息,三星已成功完成了其先進(jìn)的3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)的設(shè)計(jì),并通過自家代工部門實(shí)現(xiàn)了這一重要產(chǎn)品的首次流片。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)突破,也進(jìn)一步
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:32 ?428次閱讀

    三星電子開始量產(chǎn)其3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

    據(jù)外媒報(bào)道,三星電子已開始量產(chǎn)其3nm Gate All Around(GAA)工藝的片上系統(tǒng)(SoC),預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
    的頭像 發(fā)表于 05-08 15:24 ?614次閱讀

    三星電子:加快2nm3D半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,共享技術(shù)信息與未來展望

    在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步,預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā);此外,4nm工藝的良率亦逐漸穩(wěn)定。
    的頭像 發(fā)表于 04-30 16:16 ?553次閱讀

    臺(tái)積電擴(kuò)增3nm產(chǎn)能,部分5nm產(chǎn)能轉(zhuǎn)向該節(jié)點(diǎn)

    目前,蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作,預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求,這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星及英特爾。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:09 ?667次閱讀

    三星電子3nm工藝良率低迷,始終在50%左右徘徊

    據(jù)韓國媒體報(bào)道稱,三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透露,盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過60%
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:59 ?796次閱讀

    三星3nm良率 0%!

    來源:EETOP,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道,表示三星3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題,在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
    的頭像 發(fā)表于 02-04 09:31 ?816次閱讀

    三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)!

    據(jù)報(bào)道,三星預(yù)計(jì)在未來6個(gè)月時(shí)間內(nèi),讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上,三星Galaxy Wa
    的頭像 發(fā)表于 01-29 15:52 ?669次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 无码11久岁箩筣| 精品视频久久久久| 亚洲国产精品久久又爽黄A片| 龙广在线收听| 国产精品久久久久无码AV色戒| 最近韩国HD免费观看国语| 亚洲成年人免费网站| 亚洲精品视频免费观看| 色综合伊人色综合网站| 暖暖的高清视频在线观看免费中文| 国产亚洲精品A久久777777| 超碰视频在线观看| 99re1久久热在线播放| 伊人久久中文| 性派对xxxhd| 手机在线免费观看毛片| 日本国产成人精品无码区在线网站| 久久免费精彩视频| 国产亚洲精品久久久999无毒| 精品网站一区二区三区网站| 伦 乱真实故事| 日本工口生肉全彩大全| 驯服有夫之妇HD中字日本| 十七岁日本免费完整版BD| 午夜片神马影院福利| 午夜理伦片免费| 一本大道手机在线看| 亚洲精品久久久无码一区二区| 羞羞在线观看| 2019精品国产品在线不卡| 亚洲无码小格式| 亚洲三级视频在线| 亚洲色欲色欲WWW在线丝| 8x华人免费视频| 99久久精品6在线播放| 97免费视频观看| 国产69精品久久久久麻豆 | 老司机午夜影院试看区| 人成午夜免费视频| 人妖干美女| 亚洲精品久久久久69影院|