1ROM & RAM

ROM（Read Only Memory）

ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，如光盤CD-ROM，可以保存文件，且只能讀取。

RAM（Random Access Memory）

RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，如計算機的內存條就是RAM，關機后內存數據被自動清空。

2PROM & EPROM && EEROM

ROM又可分為幾類

PROM

可編程的ROM，但只能寫入一次（有點像光盤，只能刻錄一次），這種是早期的產品，現在已經不用了。

EPROM

通過紫外光的照射擦出原先的程序，現在也不用了。

EEPROM

電可擦除，如學習單片機時用到的AT24C02芯片，大小為2K，用于保存少量掉電不丟失的數據，單片機通過IIC來讀寫這個EEPROM的內容。

3SRAM & DRAM

RAM又可分為兩大類

SRAM（Static RAM）

SRAM即靜態RAM，讀寫速度非常快，但價格也較貴，用于CPU的一級緩沖，二級緩沖。

單片機中也有SRAM，如STM32F103VET6具有64K的SRAM，用于程序運行時變量、堆棧的暫存等，另外，還可通過FSMC接口來擴展外部SRAM，如1M字節的IS62WV51216外部SRAM芯片，用于需要大量數據計算的場合（跑算法、GUI）。

DRAM（Dynamic RAM）

即動態RAM，保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢（但比任何的ROM快），計算機內存就是DRAM。

DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）

同步動態隨機存儲器，主要不要誤以為它是上面兩種的組合！同步指存儲器工作需要同步時鐘，動態指刷新來保證數據不丟失，隨機是指數據不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數據讀寫。

DDR RAM

計算機內存條常說的DDR3、DDR4。

4NAND Flash & NOR Flash

FLASH存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具有電可擦除可編程（EEPROM）的功能，還不會斷電丟失數據，同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤使用這種存儲器。

Flash

如單片機中的flash，就是用于保存程序，如STM32F103VET6具有512K的Flash。

單片機還可以外接Flash，如W25Q128，16M大小，可用于保存圖片等較大的數據，單片機通過SPI來讀寫其內容。

NOR Flash

它的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。

NOR的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內執行（XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND Flash

NANDFlash的存儲容量比NORFlash大，如K9F1208U08為64M。它沒有采取內存的隨機讀取技術，而是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還配了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。

兩者對比

NOR Flash的讀取速度比NAND稍快一些。

NAND Flash的寫入速度比NOR快很多。

NAND Flash的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

NAND Flash擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

NOR Flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易的存取其內部的每一字節。

NAND Flash使用復雜的I/O口串行存取數據，8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息，時序較復雜。

NOR Flash一般容量較小，工藝較復雜，所以成本較高。

NAND Flash的生產工較為簡單，因此其容量較大，價格更低。

5eMMC

eMMC （Embedded Multi Media Card），即嵌入式多媒體卡，是MMC協會訂立、主要針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。eMMC由Nand flash、Nand flash控制器以及標準接口封裝組成。
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