據(jù)麥姆斯咨詢介紹,電子開關(guān)的作用主要是控制電路的通與斷,且必須快速高效地響應輸入信號。微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)是由半導體制造技術(shù)實現(xiàn)的、具有3D結(jié)構(gòu)的微小可調(diào)元件。與傳統(tǒng)的PN結(jié)二極管和場效應晶體管(FET)相比,MEMS開關(guān)可降低功耗、降低插入損耗并改善隔離,在高集成度和小尺寸方面具有更多優(yōu)勢。
MEMS開關(guān)市場規(guī)模的快速增長為信號控制系統(tǒng)的增強提供了令人信服的證據(jù)。目前,MEMS開關(guān)技術(shù)成了軍事防御系統(tǒng)、醫(yī)療器械、汽車、微光機電系統(tǒng)(MOEMS)和無線通信領域的“寵兒”。
MEMS開關(guān)主要類型
在過去的幾十年里,幾種MEMS開關(guān)技術(shù)不斷發(fā)展,了解其工作原理對開發(fā)新型器件至關(guān)重要。雖然沒有既定的MEMS開關(guān)分類,但可以根據(jù)不同特征(如對外部電源的要求)進行分類。當前的MEMS開關(guān)可分為有源和無源。有源開關(guān)包括電氣、機械、光化學和類似能量場轉(zhuǎn)換為機械能以產(chǎn)生位移。無源MEMS開關(guān)利用本身結(jié)構(gòu)為慣性執(zhí)行器收集能量,由于不需要額外的能量輸入,因此具有出色的存儲效率,并能夠抵御電磁波的干擾。
在另一種分類方式中,MEMS開關(guān)通常可以分為非硅基和硅基。硅基MEMS開關(guān)是在SOI襯底上進行一系列相對簡單的工藝流程制造,制作出高度精確的形狀。但是,當硅基MEMS開關(guān)的結(jié)構(gòu)層材料直接作為觸點時,相比導電材料其電阻會增加,導致信號不清。為了降低接觸電阻,必須使用低電阻金屬覆蓋于電極接觸表面。此外,硅也不適合高負載和沖擊系統(tǒng)的襯底和結(jié)構(gòu)層。
硅基MEMS開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖
非硅基MEMS開關(guān)主要采用超精密加工方法,或光刻、鍍鋅(電鍍)和注塑成型(LGA)等制造深寬比(aspect-ratio)較大的微型結(jié)構(gòu)的先進光刻技術(shù)。在金屬基MEMS開關(guān)中,多層可調(diào)結(jié)構(gòu)通常通過微電鍍實現(xiàn)或采用鎳制造。與硅基MEMS開關(guān)的特性相比,金屬元件具有出色的導電性能、機械特性和韌性。金屬基MEMS開關(guān)能夠解決接觸電阻偏大的問題,但金屬的微結(jié)構(gòu)制造尚未成熟。在整個制造過程中,開關(guān)可能會變形,因此產(chǎn)品良率偏低。
此外,MEMS開關(guān)還可以根據(jù)接觸模式(即電容式和電阻式)進行分類。這種分類方式在射頻應用中很受歡迎。電容式MEMS開關(guān)適用于3 MHz至30 MHz的高頻應用,利用電容耦合實現(xiàn)電路的開或關(guān)。相比之下,電阻式MEMS開關(guān)通常用于30 kHz至300 kHz的低頻應用。
性能要求
MEMS開關(guān)的性能在設計和制造階段不斷優(yōu)化。主要性能參數(shù)包括切換時間、驅(qū)動電壓、可靠性和功耗??煽啃允窃O計優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù),可以通過潛在失效模式分析進行改善。
電容式MEMS開關(guān)因利用其電氣特性而非機械性能,容易損壞。電荷對電壓的變化率和電荷積累應變指數(shù)可用于評估此類開關(guān)的故障率。大多數(shù)情況下,電容式MEMS開關(guān)出現(xiàn)失效都是因為介電層中電荷的不斷積累而最終導致閂鎖效應和驅(qū)動電壓漂移。因此,電容式MEMS開關(guān)的優(yōu)化技術(shù)必須側(cè)重于減少電荷積累。
大多數(shù)電阻式MEMS開關(guān)失效是由接觸疲勞引起。機械應力導致觸點表面磨損和變形,而電氣應力主要導致觸點表面的熔化和電遷移,最終導致較高的接觸電阻。一般來說,接觸阻力必須低于1歐姆至2歐姆。因此,正確選擇接觸材料對可靠性至關(guān)重要。可根據(jù)材料的熔點、硬度、電阻、對有機污染和無機污染的敏感度進行選擇。
結(jié)論
目前已經(jīng)開發(fā)出許多MEMS開關(guān),可以分為有源和無源、硅基和非硅基、電容式和電阻式。設計MEMS開關(guān)時,必須優(yōu)化的主要性能參數(shù)是切換時間、驅(qū)動電壓、可靠性和功耗。設計工程師正專注于改善上述參數(shù),確保MEMS開關(guān)行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
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原文標題:MEMS開關(guān):替代二極管和場效應晶體管的后備軍
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