對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區域的電阻起到決定作用。

Mosfet中電流通路和電阻

分析內阻的功率VD-MOSFET結構電流圖

RON= RCS +RN++RCH+RA+RJFET+RD+RSUB+RCD

1）源接觸電阻RCS：N+源區與源電極（S）之間的接觸電阻；

ρC：元胞結構內每個N+源區的接觸電阻；

WC：接觸口窗口寬度；

WS：N+源區離子注入窗口寬度；

Z：圖中橫截面垂直方向的元胞長度；

通常采用低勢壘的金屬接觸，比如鈦或者鈦硅化物來降低特征接觸電阻。

2）源區電阻RN+：電流從接觸孔進入N+源區到達溝道之前必須沿源區流過；

3）溝道電阻RCH：

4）積累電阻RA：

5）JFET電阻RJFET：

6）漂移區電阻RD：

7）N+襯底電阻RSUB：

8）漏接觸電阻RCD：

通常采用低勢壘的金屬接觸，鈦作為接觸層，鎳作為阻擋層，銀層作為焊料層。

VD-MOSFET總導通電阻統計：

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