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解析現(xiàn)代半導(dǎo)體的基本知識

旺材芯片 ? 來源:光電與顯示 ? 作者:光電與顯示 ? 2021-05-07 11:54 ? 次閱讀

導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體

物質(zhì)按導(dǎo)電性能可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。物質(zhì)的導(dǎo)電特性取決于原子結(jié)構(gòu)。

(1) 導(dǎo)體

導(dǎo)體一般為低價元素, 如銅、鐵、鋁等金屬, 其最外層電子受原子核的束縛力很小, 因而極易掙脫原子核的束縛成為自由電子。因此在外電場作用下, 這些電子產(chǎn)生定向運動(稱為漂移運動)形成電流, 呈現(xiàn)出較好的導(dǎo)電特性。

(2) 絕緣體

高價元素(如惰性氣體)和高分子物質(zhì)(如橡膠, 塑料)最外層電子受原子核的束縛力很強, 極不易擺脫原子核的束縛成為自由電子, 所以其導(dǎo)電性極差, 可作為絕緣材料。

(3) 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體的最外層電子數(shù)一般為4個,既不像導(dǎo)體那樣極易擺脫原子核的束縛, 成為自由電子, 也不像絕緣體那樣被原子核束縛得那么緊, 因此, 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性介于二者之間。常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、硒等。

半導(dǎo)體的獨特性能

金屬導(dǎo)體的電導(dǎo)率一般在105s/cm量級;塑料、云母等絕緣體的電導(dǎo)率通常是10-22~10-14s/cm量級;半導(dǎo)體的電導(dǎo)率則在10-9~102s/cm量級。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力雖然介于導(dǎo)體和絕緣體之間,但半導(dǎo)體的應(yīng)用卻極其廣泛,這是由半導(dǎo)體的獨特性能決定的:

光敏性——半導(dǎo)體受光照后,其導(dǎo)電能力大大增強

熱敏性——受溫度的影響,半導(dǎo)體導(dǎo)電能力變化很大;

摻雜性——在半導(dǎo)體中摻入少量特殊雜質(zhì),其導(dǎo)電能力極大地增強;

半導(dǎo)體材料的獨特性能是由其內(nèi)部的導(dǎo)電機理所決定的。

本征半導(dǎo)體

純凈晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料是硅和鍺, 它們都是四價元素, 在原子結(jié)構(gòu)中最外層軌道上有四個價電子。

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為便于討論, 采用圖所示的簡化原子結(jié)構(gòu)模型。

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把硅或鍺材料拉制成單晶體時, 相鄰兩個原子的一對最外層電子(價電子)成為共有電子, 它們一方面圍繞自身的原子核運動, 另一方面又出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上。即價電子不僅受到自身原子核的作用, 同時還受到相鄰原子核的吸引。

于是, 兩個相鄰的原子共有一對價電子, 組成共價鍵結(jié)構(gòu)。故晶體中, 每個原子都和周圍的4個原子用共價鍵的形式互相緊密地聯(lián)系起來。

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從共價鍵晶格結(jié)構(gòu)來看,每個原子外層都具有8個價電子。但價電子是相鄰原子共用,所以穩(wěn)定性并不能象絕緣體那樣好。

受光照或溫度上升影響,共價鍵中價電子的熱運動加劇,一些價電子會掙脫原子核的束縛游離到空間成為自由電子。

游離走的價電子原位上留下一個不能移動的空位,叫空穴。

由于熱激發(fā)而在晶體中出現(xiàn)電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。

本征激發(fā)的結(jié)果,造成了半導(dǎo)體內(nèi)部自由電子載流子運動的產(chǎn)生,由此本征半導(dǎo)體的電中性被破壞,使失掉電子的原子變成帶正電荷的離子。

由于共價鍵是定域的,這些帶正電的離子不會移動,即不能參與導(dǎo)電,成為晶體中固定不動的帶正電離子。

受光照或溫度上升影響,共價鍵中其它一些價電子直接跳進空穴,使失電子的原子重新恢復(fù)電中性。價電子填補空穴的現(xiàn)象稱為復(fù)合。

參與復(fù)合的價電子又會留下一個新的空位,而這個新的空穴仍會被鄰近共價鍵中跳出來的價電子填補上,這種價電子填補空穴的復(fù)合運動使本征半導(dǎo)體中又形成一種不同于本征激發(fā)下的電荷遷移,為區(qū)別于本征激發(fā)下自由電子。

載流子的運動,我們把價電子填補空穴的復(fù)合運動稱為空穴載流子運動。

自由電子載流子運動可以形容為沒有座位人的移動;空穴載流子運動則可形容為有座位的人依次向前挪動座位的運動。半導(dǎo)體內(nèi)部的這兩種運動總是共存的,且在一定溫度下達到動態(tài)平衡。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理:

半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理與金屬導(dǎo)體導(dǎo)電機理有本質(zhì)上的區(qū)別:

金屬導(dǎo)體中只有自由電子一種載流子參與導(dǎo)電;而半導(dǎo)體中則是本征激發(fā)下的自由電子和復(fù)合運動形成的空穴兩種載流子同時參與導(dǎo)電。兩種載流子電量相等、符號相反,即自由電子載流子和空穴載流子的運動方向相反。

結(jié)論:

1. 本征半導(dǎo)體中電子空穴成對出現(xiàn),且數(shù)量少

2. 半導(dǎo)體中有電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電

3. 本征半導(dǎo)體導(dǎo)電能力弱,并與溫度有關(guān)。

4.雜質(zhì)半導(dǎo)體

1. 本征半導(dǎo)體

根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同劃分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

本征半導(dǎo)體是—種化學成分純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達到99.9999999%,常稱為"九個9"。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。

(1) 本征半導(dǎo)體的熱敏性、光敏性和摻雜性

① 熱敏性、光敏性—本質(zhì)半導(dǎo)體在溫度升高或光照情況下,導(dǎo)電率明顯提高。

② 摻雜性—在本征半導(dǎo)體中摻入某種特定的雜質(zhì),成為雜質(zhì)半導(dǎo)體后,其導(dǎo)電率會明顯的發(fā)生改變。

(2) 電子空穴對

在絕對溫度0K時,半導(dǎo)體中沒有自由電子。當溫度升高或受到光的照射時,將有少數(shù)電子能掙脫原子核的束縛而成為自由電子,流下的空位稱為空穴,這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)(也稱熱激發(fā))。在本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的,稱為電子空穴對。游離的部分自由電子也可能回到空穴中去,稱為復(fù)合。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會達到動態(tài)平衡。自由電子和空穴在半導(dǎo)體中都是導(dǎo)電粒子,稱它們?yōu)檩d流子。

2. N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體

(1) N型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素,例如磷,可形成N型半導(dǎo)體,也稱電子型半導(dǎo)體。因五價雜質(zhì)原子中只有四個價電子能與周圍四個半導(dǎo)體原子中的價電子形成共價鍵,而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子(多子),它主要由雜質(zhì)原子提供;空穴是少數(shù)載流子(少子), 由熱激發(fā)形成。

(2)P型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素,如硼、鎵、銦等形成了P型半導(dǎo)體,也稱為空穴型半導(dǎo)體。因三價雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價鍵時,缺少一個價電子而在共價鍵中留下一空穴。P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,主要由摻雜形成;電子是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。

根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體的電阻率為10-3~10-9 ??cm。

典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

本征半導(dǎo)體及其導(dǎo)電性

本征半導(dǎo)體——化學成分純凈的半導(dǎo)體。

制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達到99.9999999%,常稱為“九個9”。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。

(1) 本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)

硅和鍺是四價元素,在原子最外層軌道上的四個電子稱為價電子。它們分別與周圍的四個原子的價電子形成共價鍵。共價鍵中的價電子為這些原子所共有,并為它們所束縛,在空間形成排列有序的晶體。這種結(jié)構(gòu)的立體和平面示意圖見圖。

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(a) 硅晶體的空間排列 (b) 共價鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖

(2) 電子空穴對

當導(dǎo)體處于熱力學溫度0 K時,導(dǎo)體中沒有自由電子。當溫度升高或受到光的照射時,價電子能量增高,有的價電子可以掙脫原子核的束縛,而參與導(dǎo)電,成為自由電子。這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)(也稱熱激發(fā))。

自由電子產(chǎn)生的同時,在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位,原子的電中性被破壞,呈現(xiàn)出正電性,其正電量與電子的負電量相等,人們常稱呈現(xiàn)正電性的這個空位為空穴。可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的,稱為電子空穴對。游離的部分自由電子也可能回到空穴中去,稱為復(fù)合,如圖所示。本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會達到動態(tài)平衡。

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圖:本征激發(fā)和復(fù)合的過程

(3) 空穴的移動

自由電子的定向運動形成了電子電流,空穴的定向運動也可形成空穴電流,它們的方向相反。只不過空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現(xiàn)的。

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空穴在晶格中的移動(動畫1-2)

雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì),可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價或五價元素。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。

(1) N型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素,例如磷,可形成N型半導(dǎo)體,也稱電子型半導(dǎo)體。

因五價雜質(zhì)原子中只有四個價電子能與周圍四個半導(dǎo)體原子中的價電子形成共價鍵,而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供;空穴是少數(shù)載流子, 由熱激發(fā)形成。

提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖所示。

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圖:N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖

(2) P型半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素,如硼、鎵、銦等形成了P型半導(dǎo)體,也稱為空穴型半導(dǎo)體。

因三價雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價鍵時,缺少一個價電子而在共價鍵中留下一空穴。P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,主要由摻雜形成;電子是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。

空穴很容易俘獲電子,使雜質(zhì)原子成為負離子。三價雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖。

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圖01.05 P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖

雜質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響

摻入雜質(zhì)對本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性有很大的影響,一些典型的數(shù)據(jù)如下:

T=300K 室溫下,本征硅的電子和空穴濃度為:

n = p =1.4×1010/cm3

本征硅的原子濃度: 4.96×1022 /cm3

摻雜后,N 型半導(dǎo)體中的自由電子濃度為:n=5×1016 /cm3

在本征半導(dǎo)體中,有選擇地摻入少量其它元素,會使其導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。這些少量元素統(tǒng)稱為雜質(zhì)。摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)摻入的雜質(zhì)不同,有N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體兩種。

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(1)N型半導(dǎo)體

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在本征半導(dǎo)體中, 摻入微量5價元素, 如磷、銻、砷等, 則原來晶格中的某些硅(鍺)原子被雜質(zhì)原子代替。由于雜質(zhì)原子的最外層有5個價電子, 因此它與周圍4個硅(鍺)原子組成共價鍵時, 還多余 1 個價電子。它不受共價鍵的束縛, 而只受自身原子核的束縛, 因此, 它只要得到較少的能量就能成為自由電子, 并留下帶正電的雜質(zhì)離子, 它不能參與導(dǎo)電。

顯然, 這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中電子濃度遠遠大于空穴的濃度, 即nn>>pn(下標n表示是N型半導(dǎo)體), 主要靠電子導(dǎo)電, 所以稱為N型半導(dǎo)體。由于5價雜質(zhì)原子可提供自由電子, 故稱為施主雜質(zhì)。N型半導(dǎo)體中, 自由電子稱為多數(shù)載流子;空穴稱為少數(shù)載流子。

(2)P型半導(dǎo)體

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在本征硅(或鍺)中摻入少量的三價元素,如硼、鋁、銦等,就得到P型半導(dǎo)體。這時雜質(zhì)原子替代了晶格中的某些硅原子,它的三個價電子和相鄰的四個硅原子組成共價鍵時,只有三個共價鍵是完整的,第四個共價鍵因缺少一個價電子而出現(xiàn)一個空位。

(3)P 型、N 型半導(dǎo)體的簡化圖示

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圖示為P 型、N 型半導(dǎo)體的簡化圖

N型半導(dǎo)體:自由電子稱為多數(shù)載流子;空穴稱為少數(shù)載流子,載流子數(shù) 電子數(shù)

P型半導(dǎo)體:空穴稱為多數(shù)載流子;自由電子稱為少數(shù)載流子,載流子數(shù) 空穴數(shù)

PN結(jié)

(1)PN 結(jié)的形成

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1) 載流子的濃度差引起多子的擴散

在一塊完整的晶片上,通過一定的摻雜工藝,一邊形成P型半導(dǎo)體,另一邊形成N型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體有機地結(jié)合在一起時,因為P區(qū)一側(cè)空穴多,N區(qū)一側(cè)電子多,所以在它們的界面處存在空穴和電子的濃度差。于是P區(qū)中的空穴會向N區(qū)擴散,并在N區(qū)被電子復(fù)合。而N區(qū)中的電子也會向P區(qū)擴散,并在P區(qū)被空穴復(fù)合。這樣在P區(qū)和N區(qū)分別留下了不能移動的受主負離子和施主正離子。上述過程如圖(a)所示。結(jié)果在界面的兩側(cè)形成了由等量正、負離子組成的空間電荷區(qū),如圖(b)所示。

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2)復(fù)合使交界面形成空間電荷區(qū)(耗盡層)

空間電荷區(qū)的特點:無載流子,阻止擴散進行,利于少子的漂移。

3)擴散和漂移達到動態(tài)平衡

擴散電流等于漂移電流,總電流 I= 0。

(2) PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?/strong>

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在PN結(jié)兩端外加電壓,稱為給PN結(jié)以偏置電壓。

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1) PN結(jié)正向偏置

給PN結(jié)加正向偏置電壓,即P區(qū)接電源正極,N區(qū)接電源負極,此時稱PN結(jié)為正向偏置(簡稱正偏)。由于外加電源產(chǎn)生的外電場的方向與PN結(jié)產(chǎn)生的內(nèi)電場方向相反,削弱了內(nèi)電場,使PN結(jié)變薄,有利于兩區(qū)多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U散,形成正向電流,此時PN結(jié)處于正向?qū)顟B(tài)。

2.PN結(jié)反向偏置

給PN結(jié)加反向偏置電壓,即N區(qū)接電源正極,P區(qū)接電源負極,稱PN結(jié)反向偏置(簡稱反偏)。

由于外加電場與內(nèi)電場的方向一致,因而加強了內(nèi)電場,使PN結(jié)加寬,阻礙了多子的擴散運動。在外電場的作用下,只有少數(shù)載流子形成的很微弱的電流,稱為反向電流。

注:少數(shù)載流子是由于熱激發(fā)產(chǎn)生的,因而PN結(jié)的反向電流受溫度影響很大。

結(jié)論:PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?即加正向電壓時導(dǎo)通,加反向電壓時截止。

PN結(jié)的擊穿特性

當加于PN結(jié)的反向電壓增大到一定值時,反向電流會急劇增大,這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)擊穿。PN結(jié)發(fā)生反向擊穿的機理可以分為兩種。

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1)雪崩擊穿

在輕摻雜的PN結(jié)中,當外加反向電壓時,耗盡區(qū)較寬,少子漂移通過耗盡區(qū)時被加速,動能增大。當反向電壓大到一定值時,在耗盡區(qū)內(nèi)被加速而獲得高能的少子,會與中性原子的價電子相碰撞,將其撞出共價鍵,產(chǎn)生電子、空穴對。新產(chǎn)生的電子、空穴被強電場加速后,又會撞出新的電子、空穴對。

2)齊納擊穿

在重摻雜的PN結(jié)中,耗盡區(qū)很窄,所以不大的反向電壓就能在耗盡區(qū)內(nèi)形成很強的電場。當反向電壓大到一定值時,強電場足以將耗盡區(qū)內(nèi)中性原子的價電子直接拉出共價鍵,產(chǎn)生大量電子、空穴對,使反向電流急劇增大。這種擊穿稱為齊納擊穿或場致?lián)舸*ヒ话銇碚f,對硅材料的PN結(jié),UBR>7V時為雪崩擊穿;UBR <5V時為齊納擊穿;UBR介于5~7V時,兩種擊穿都有。

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原文標題:科普 | 現(xiàn)代半導(dǎo)體的基本知識

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    半導(dǎo)體行業(yè)工藝知識

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    的頭像 發(fā)表于 12-07 09:17 ?329次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)工藝<b class='flag-5'>知識</b>

    一文解析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識

    先來了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識,看完傳統(tǒng)封裝與先進封裝對比后再來了解封裝裝備,最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對比 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:23 ?244次閱讀
    一文<b class='flag-5'>解析</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)<b class='flag-5'>知識</b>

    一文解析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識

    先來了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識,看完傳統(tǒng)封裝與先進封裝對比后再來了解封裝裝備,最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對比 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
    的頭像 發(fā)表于 11-18 11:23 ?234次閱讀
    一文<b class='flag-5'>解析</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)<b class='flag-5'>知識</b>

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理和主要特性

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性是半導(dǎo)體物理學中的重要內(nèi)容,對于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對半導(dǎo)體PN結(jié)形成原理和主要特性的詳細
    的頭像 發(fā)表于 09-24 18:01 ?1127次閱讀

    全新的半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

    《全新的半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識》首先對流行于電子書刊上數(shù)十年之久的經(jīng)典半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識中存在的謬誤進行了全方位的討論,然后以半導(dǎo)體內(nèi)部結(jié)構(gòu)為抓手,以G
    的頭像 發(fā)表于 09-20 11:30 ?1215次閱讀
    全新的<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>基礎(chǔ)<b class='flag-5'>知識</b>

    堆棧和內(nèi)存的基本知識

    本文主要聊聊關(guān)于堆棧的內(nèi)容。包括堆棧和內(nèi)存的基本知識。常見和堆棧相關(guān)的 bug,如棧溢出,內(nèi)存泄漏,堆內(nèi)存分配失敗等。后面介紹軟件中堆棧統(tǒng)計的重要性,以及如何使用工具工具軟件中堆棧使用的范圍,并給出在軟件開發(fā)中,如何降低堆棧問題,優(yōu)化堆棧的一些實踐。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:10 ?444次閱讀
    堆棧和內(nèi)存的<b class='flag-5'>基本知識</b>

    光刻工藝的基本知識

    在萬物互聯(lián),AI革命興起的今天,半導(dǎo)體芯片已成為推動現(xiàn)代社會進步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù),作為先進制造中最為精細和關(guān)鍵的工藝,不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件,還是微納光學元件都離不開光刻工藝的參與,其重要性不
    的頭像 發(fā)表于 08-26 10:10 ?801次閱讀
    光刻工藝的<b class='flag-5'>基本知識</b>

    p型半導(dǎo)體是怎么形成的

    p型半導(dǎo)體(也稱為空穴半導(dǎo)體)的形成是一個涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過程。以下是對p型半導(dǎo)體形成過程的詳細解析,包括其定義、摻雜原理
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:02 ?2308次閱讀

    半導(dǎo)體

    本人接觸質(zhì)量工作時間很短,經(jīng)驗不足,想了解一下,在半導(dǎo)體行業(yè)中,由于客戶端使用問題造成器件失效,失效率為多少時會接受客訴
    發(fā)表于 07-11 17:00

    半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵參數(shù)解析:從基礎(chǔ)到應(yīng)用

    半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的重要元件,它們的工作原理和性能特性都與一些基本的物理公式和參數(shù)緊密相關(guān)。本文將詳細闡述半導(dǎo)體器件的基本公式,包括半導(dǎo)體物理與器件的關(guān)鍵參數(shù)、公式以及
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?2205次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的關(guān)鍵參數(shù)<b class='flag-5'>解析</b>:從基礎(chǔ)到應(yīng)用

    中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的十大技術(shù)“瓶頸”解析

    半導(dǎo)體技術(shù)是現(xiàn)代電子科技的核心,它的發(fā)展水平直接體現(xiàn)了一個國家的科技實力。近年來,我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然取得了長足進步,但仍有一些核心技術(shù)尚未完全掌握。本文將詳細解析我國在
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:09 ?2182次閱讀
    中國<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)的十大技術(shù)“瓶頸”<b class='flag-5'>解析</b>

    半導(dǎo)體發(fā)展的四個時代

    臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
    發(fā)表于 03-27 16:17

    半導(dǎo)體發(fā)展的四個時代

    臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
    發(fā)表于 03-13 16:52

    解析半導(dǎo)體放電管TSS的原理與應(yīng)用?

    解析半導(dǎo)體放電管TSS的原理與應(yīng)用?|深圳比創(chuàng)達電子
    的頭像 發(fā)表于 01-25 10:09 ?693次閱讀
    <b class='flag-5'>解析</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>放電管TSS的原理與應(yīng)用?

    功率半導(dǎo)體現(xiàn)代電子工業(yè)的“心臟”與未來趨勢

    功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要分支,在現(xiàn)代電子工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。隨著科技的不斷進步,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍日益廣泛,涵蓋了電力、交通、通信、家電等眾多領(lǐng)域。本文將詳細探討功率
    的頭像 發(fā)表于 01-25 09:51 ?776次閱讀
    功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:<b class='flag-5'>現(xiàn)代</b>電子工業(yè)的“心臟”與未來趨勢
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