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本篇，我們繼續對Intel的第三大技術支柱——Memory進行回顧。

Intel認為存儲器性能的增長在過去的40年中一直保持線性增長，因此無法跟上指數級增長的算力發展。

Memory指的是短期存儲（比如DRAM），而Storage指的是長期存儲（比如硬盤）。

Memory的帶寬高（存取速度快），但容量低，而Storage則相反。二級/三級Storage也遵循類似的規律。值得一提的是，FPGA上隨著存儲空間越來越不夠用，已從傳統的SRAM存儲轉向DRAM存儲（HBM）。

3D NAND存儲的路線圖中最重要的指標——Layer。和蓋樓差不多，層數越高，容量自然越大，目前業界主流廠商均致力于128層的研發，而Intel直接來到了144層。

另外一個重要指標是每個cell存儲的bit信息數量，可以理解成每個房間可以住幾個人。

SLC（Single-Level Cell）單人間：每個cell存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間，但缺點就是容量低而成本高，畢竟一個Cell單元只能存儲1bit信息。

MLC（Multi-Level Cell）雙人間：每個cell存儲2bit信息，需要更復雜的電壓控制，有00，01，10，11四種變化，這也意味著寫入性能、可靠性能降低了。其P/E壽命根據不同制程在3000-5000次不等。SLC之外的NAND閃存都是MLC類型，而我們常說的MLC是指2bit MLC，感覺應該叫DLC比較合適：）。

TLC（Trinary-Level Cell）三人間：每個cell存儲3bit信息，電壓從000到001有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更復雜，P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會更低。

QLC（Quad-Level Cell）四人間：電壓有16種變化，容量比TLC再增加三分之一，就是寫入性能、P/E壽命與TLC相比會進一步降低。讀取速度方面，SATA 接口中的二者都可以達到540MB/S，QLC表現差在寫入速度上，因為其P/E編程時間就比MLC、TLC更長，速度更慢，連續寫入速度從520MB/s降至360MB/s，隨機性能更是從9500 IOPS降至5000 IOPS，損失將近一半。

依然是拿速度換空間

3D XPoint是Intel和Micron一起研發的存儲技術（號稱比NAND Flash快1000倍），但Micron在3月17日發布消息稱，將終止對3D Xpoint的所有研發，出售其在猶他州Lehi的3D Xpoint晶圓廠。。。

Optane SSD則基于3D XPoint技術打造，第二代采用4層架構，每秒讀寫次數（IOPS）可達數百萬次。

針對行業痛點（Gap），推出合適的產品，讓“樓梯”更加均勻。

給自家Optane Persistent Memory（持久內存）打了廣告，性能像Memory/持久像Storage，說白了就是介于Memory和Storage之間的折中方案。其存在兩種模式：Memory模式（類似DRAM）以及APP Direct模式（也就是傳說中的“data persist at near-memory speed”，需要特定的持久內存感知軟件/應用程序APP。這種模式使持久內存保持不變，但可以像內存一樣字節可尋址）。

兩種模式對比，圖片來自techtarget

Intel Optane 持久內存的容量比傳統的DRAM高得多，為128GB、256GB和512GB，遠遠大于常用的4GB到32GB的DRAM，盡管DRAM也有更大的容量的DIMM（128GB）。持久內存與DRAM在同一個內存通道上使用，并且安插在每個通道最靠近CPU的插槽上。

Rambo Cache（蘭博緩存）這個名字是Intel高級副總、獨顯GPU的主導者Raja Koduri取的，相比Intel之前發布的技術命名，這個名字一點也不嚴肅，顯示出了Raja Koduri的小幽默——蘭博可以說是美國硬漢開掛電影的代表。從網絡的表現來看，大家認為Raja Koduri選擇Rambo Cache（蘭博緩存）這個名字，就是炫一下，意圖打擊對手，告訴友商Intel還是很強大的。

Rambo Cache（蘭博緩存）本質上是一種用于連接CPU、GPU及HBM緩存的中介層，基于Intel的EMIB封裝技術，能夠提供極致的顯存帶寬和FP64浮點性能，且支持顯存/緩存ECC糾錯、至強級RAS（可靠性、可用性 & 可維護性）。從圖上可以看到Rambo Cache在處理從8*8到4096*4096的雙精度浮點時表現出了強悍的性能。