怎么解決SiC MOSFET的橋臂串擾？
SiCmosfet三相全橋逆變電路中，同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾，該現(xiàn)象稱為橋臂串擾。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT相比，SiCMOSFET的柵極電壓極限值和柵極閾值電壓都相對較低，橋臂串擾問題更加突出。在考慮SiCMOSFET寄生參數(shù)的影響下。
1）開通過程
2）關斷過程
串擾電壓分析：
抑制方法：
1）AMC;
2）驅動電源穩(wěn)負壓；
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