近日,據(jù)韓媒報(bào)道,多名業(yè)內(nèi)人士透露,LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),重點(diǎn)押注碳化硅PMIC以及MCU。
據(jù)了解,硅芯片公司此前更常以其驅(qū)動IC產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。此次大動作轉(zhuǎn)向碳化硅芯片領(lǐng)域,不僅透露了其對從LG集團(tuán)分拆后的發(fā)展規(guī)劃,更是從側(cè)面印證了碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星。
了不起的碳化硅
碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
作為第三代半導(dǎo)體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,因此在IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體中應(yīng)用尤為廣泛。
安信證券李哲團(tuán)隊(duì)此前研報(bào)曾指出,雖然當(dāng)前功率器件仍以碳基為主,但碳化硅基器件低能量損耗、耐高壓、耐高溫等優(yōu)良特性更適合功率器件使用,漸有取代碳基器件之勢。
具體來說,碳化硅基MOSFET相較于硅基MOSFET擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),工作溫度可達(dá) 600 ℃;擊穿場強(qiáng)是硅的十倍多,因此阻斷電壓更高;導(dǎo)通損耗比硅器件小很多,而且隨溫度變化很小;熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是硅材料的2.5倍,飽和電子漂移率是硅的2倍,所以能在更高的頻率下工作。
正是基于這些特性,碳化硅終端市場主要為新能源車以及光伏服務(wù),尤其在新能源車的新能源車OBC、DC/DC、逆變器、充電樁,及光伏逆變器都需要大量使用功率器件。
目前,碳化硅是發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對其研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本、中國等紛紛從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃:
美國:2014年1月,美國總統(tǒng)奧巴馬親自主導(dǎo)成立了以SiC為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。這一舉措的背后,是美國對以SiC半導(dǎo)體為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)力支持。
歐洲:德國英飛凌公司與歐洲17家企業(yè)共同成立Smart PM(Smart Power Management)組織,拓展碳化硅在電源和電器設(shè)備中的應(yīng)用。歐洲納米科技咨詢委員會(ENIAC)的“高效率電動汽車計(jì)劃”則專注于碳化硅功率器件在新型電動汽車中的應(yīng)用技術(shù)研發(fā),由英飛凌公司主導(dǎo)。
日本:日本政府在2013年就將SiC納入“首相戰(zhàn)略”,認(rèn)為未來50%的節(jié)能要通過它來實(shí)現(xiàn),創(chuàng)造清潔能源的新時代。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省積極開展碳化硅的研發(fā)及生產(chǎn),促進(jìn)碳化硅在通訊電源、混合動力汽車、可再生能源變頻器、工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域的應(yīng)用。
中國:2016年,我國國務(wù)院發(fā)布《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》,其中明確提到加速第三代半導(dǎo)體材料的突破等內(nèi)容。
汽車廠商們的謀而后動
自從2016年4月,特斯拉Tesla Model 3中率先采用了以碳化硅SiC MOSFET為功率模塊的逆變器之后,截至當(dāng)前,全球已有超過20家汽車廠商在車載充電系統(tǒng)中使用碳化硅功率器件。
碳化硅市場的火爆引發(fā)了大量半導(dǎo)體廠商的涌進(jìn),其中份額最大的當(dāng)屬美國的Cree,根據(jù)Yole最新的報(bào)告,它占了整個SiC功率器件市場的62%。
在這些半導(dǎo)體廠商為之瘋狂之時,汽車廠商們也按耐不住沖動了。近年來,他們動作頻頻。
豐田
作為全球知名車廠,豐田顯然十分關(guān)注這方面。2020年4月,電裝和豐田合資成立“MIRISE Technologies”,進(jìn)行下一代先進(jìn)車載半導(dǎo)體的研究和開發(fā)。MIRISE將結(jié)合豐田在整車和電裝在零部件的經(jīng)驗(yàn),致力于三個技術(shù)領(lǐng)域:功率電子、傳感器、SoC,進(jìn)一步凸顯出他們對車載半導(dǎo)體的重視。
據(jù)悉,豐田中央研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和電裝公司從1980年開始合作開發(fā)SiC半導(dǎo)體材料,2014年5月他們正式發(fā)布了基于SiC半導(dǎo)體器件的零部件——應(yīng)用于新能源汽車的功率控制單元(PCU)。
大眾
大眾汽車在功率半導(dǎo)體方面也有布局,一是Cree,它成為了大眾汽車FAST(Future Automotive Supply Tracks,未來汽車供應(yīng)鏈)項(xiàng)目SiC碳化硅的獨(dú)家合作伙伴。二是英飛凌,它成為大眾FAST項(xiàng)目戰(zhàn)略合作伙伴,合作點(diǎn)集中在大眾MEB電力驅(qū)動控制解決方案中的功率模塊。
Cree本就是SiC材料和晶圓的國際大供應(yīng)商,大眾此次的鎖定無疑為它打開了更為廣闊的市場。英飛凌在全球MOSFET和IGBT等汽車半導(dǎo)體市場中占有率位居前三。
本田
本田汽車公司、日產(chǎn)汽車公司均和羅姆公司就HEV/EV應(yīng)用SiC半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行了多年的合作研究。本田和羅姆公司共同開發(fā)出了使用SiC半導(dǎo)體器件的高功率電源模塊,將轉(zhuǎn)換器和逆變器的二極管和晶體管全部由硅器件改為SiC器件。
福特
2015年底,福特宣布計(jì)劃為電動汽車項(xiàng)目投資45億美元,近年來福特公司就SiC/GaN器件在混合動力汽車上的應(yīng)用進(jìn)行了投資研究。
SiC的市場正在爆發(fā),這一點(diǎn)毋庸置疑。Yole Développement在Power SiC 2018: Materials, Devices and Applications報(bào)告中預(yù)計(jì),主逆變器采用碳化硅將導(dǎo)致“2017 - 2023年SiC市場復(fù)合年增長率達(dá)到108%”。
Yole發(fā)現(xiàn),幾乎所有汽車制造商未來幾年都將在主逆變器中使用SiC。特別是,所有中國汽車OEM都在積極考慮采用SiC。
面對如此龐大的需求,國內(nèi)廠商當(dāng)然也不會錯過,不過與巨頭相比稍顯落后。據(jù)數(shù)據(jù)顯示,在我國過去一年中,全國半導(dǎo)體總投資超過700億,而涉及到SiC相關(guān)的項(xiàng)目就有65億,其中不乏三安光電、中科鋼研、天通股份等企業(yè)。據(jù)相關(guān)人士透漏,目前我國在碳化硅器件方面的增速異常迅猛,特別是在節(jié)能環(huán)保的大背景下,國內(nèi)越來越多的企業(yè)開始大規(guī)模使用碳化硅器件。
在龐大的市場需求推動下,國內(nèi)都涌現(xiàn)了一批優(yōu)秀的甚至在全球市場都有一席之地的企業(yè),整個產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)接近實(shí)現(xiàn)全國產(chǎn)替代。據(jù)悉,在SiC功率器件研發(fā)制造方面,國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)有楊杰電子、基本半導(dǎo)體、蘇州能訊高能半導(dǎo)體、株洲中車時代、中電科55所、三安光電等。
作為汽車企業(yè),比亞迪也正在積極布局碳化硅。據(jù)悉,比亞迪已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC,并將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈,致力于降低SiC器件的制造成本,加快其在電動車領(lǐng)域的應(yīng)用。
在近日的報(bào)道中,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀表示,比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建產(chǎn)線,預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。
虎視眈眈的Tire 1們
同樣,也有Tire 1廠商開始看中碳化硅領(lǐng)域,并試圖進(jìn)行投資布局。Tier1(Tier One)意為給設(shè)備廠商供貨的一級供應(yīng)商。
博世不得不提,2019年10月,博世高調(diào)宣布其開始碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)。功率碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)基地位于德國羅伊特林根,主要來生產(chǎn)碳化硅的晶圓以及MOSFET。
博世董事會成員Harald Kroeger指出,這將是博世133年歷史上最大的一筆投資,再次強(qiáng)調(diào)出碳化硅(SiC)這一半導(dǎo)體材料在汽車行業(yè)的重要性。而上一次引發(fā)碳化硅討論熱潮的是大眾與科銳、英飛凌的戰(zhàn)略合作。
同時,博世也公開了其碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)路線圖,裸芯片,預(yù)計(jì)2021年的年底會上市。分立器件MOSFET這塊,大概會在2022年初上市,基于對于客戶的需求的匹配。
總部同位于德國的采埃孚與美國碳化硅半導(dǎo)體企業(yè)科銳宣布建立戰(zhàn)略合作關(guān)系,計(jì)劃2022年前將SiC電驅(qū)動系統(tǒng)推向市場。
2019年4月,采埃孚首次采用SiC技術(shù)的電驅(qū)動系統(tǒng)已經(jīng)用于法國文圖瑞Venturi的電動賽車。SiC電驅(qū)動系統(tǒng)具備更高的能量轉(zhuǎn)換效率。采埃孚的目標(biāo)不止在于電動賽車,它計(jì)劃3-4年內(nèi)將SiC電驅(qū)動系統(tǒng)批量應(yīng)用于乘用車中。
還有德爾福,在9月份宣布計(jì)劃在下個十年初期推出基于SiC芯片的逆變器。它認(rèn)為,800V 碳化硅逆變器“下一代高效電動和混合動力汽車的核心部件之一”。它已與一家跨國OEM達(dá)成八年共27億美元的項(xiàng)目。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2022年開始落實(shí),最初推出的將是以800V電壓運(yùn)行的高性能電動汽車。
看向國內(nèi),“不造車”的華為表示將做產(chǎn)品直接供應(yīng)整車廠的汽車零部件供應(yīng)商,也算是Tier1。2019年,華為旗下的哈勃科技投資有限公司投資參股了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司,持股10%。2020年12月,企查查顯示,哈勃科技投資有限公司投資碳化硅外延晶片供應(yīng)商瀚天天成,認(rèn)繳出資額超977萬元。
隨著新技術(shù)跨領(lǐng)域的融合,汽車行業(yè)迎來了重大的變革,這些Tier1廠商們也紛紛開啟了向科技領(lǐng)導(dǎo)者的轉(zhuǎn)型之路。
總結(jié)
很顯然,現(xiàn)在碳化硅已經(jīng)成為了國內(nèi)外車廠的布局重點(diǎn),不論是采用供應(yīng)商的碳化硅產(chǎn)品還是自己投資研發(fā)碳化硅,總而言之,在新能源車爆火的今天,已經(jīng)徹底將碳化硅推向了技術(shù)浪潮的巔峰。
從硅 (Si) 到碳化硅 (SiC) 的轉(zhuǎn)變,已經(jīng)不再是需要我們考慮是會否發(fā)生與何時發(fā)生的問題,而是我們已經(jīng)身處其中。全面地參與到諸多產(chǎn)業(yè)的巨大變革之中。這些產(chǎn)業(yè)的未來絕對不會是一成不變的,也許會產(chǎn)生前所未有的變化。而那些能夠快速適應(yīng)這些變化的廠商,則定將收獲豐碩的成果。
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原文標(biāo)題:?汽車廠商押注SiC
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