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一種MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜的光驅(qū)動(dòng)技術(shù)

MEMS ? 來(lái)源:《光學(xué)學(xué)報(bào)》 ? 作者:《光學(xué)學(xué)報(bào)》 ? 2021-05-24 14:12 ? 次閱讀

摘要:MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜可將可見(jiàn)光圖像轉(zhuǎn)換為紅外圖像,廣泛應(yīng)用于紅外目標(biāo)模擬器。紅外焦平面探測(cè)器在與紅外目標(biāo)模擬器對(duì)接時(shí),需保證探測(cè)器的積分時(shí)間大于紅外圖像的顯示時(shí)間才能采集到紅外圖像的全部灰度等級(jí)。本文提出一種 MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜的光驅(qū)動(dòng)技術(shù),利用薄膜的熱惰性先對(duì)可見(jiàn)光圖像的能量進(jìn)行積分,從而降低了對(duì)紅外探測(cè)器積分時(shí)間的要求。對(duì)薄膜在光驅(qū)動(dòng)狀態(tài)下的溫度特性進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試,結(jié)果表明薄膜生成的紅外圖像的灰度值與寫入的可見(jiàn)光圖像的灰度值呈線性關(guān)系;紅外圖像的升溫時(shí)間為9 ms,保持時(shí)間為1 ms,降溫時(shí)間為10ms,探測(cè)器在紅外圖像的保持時(shí)間內(nèi)任取一段時(shí)間進(jìn)行積分都能夠得到8-bit灰度的紅外圖像;紅外圖像的溫度動(dòng)態(tài)范圍為112 K,單位灰度值對(duì)應(yīng)的溫度分辨率為0.44 K。

1引言

紅外目標(biāo)模擬器是紅外制導(dǎo)半實(shí)物仿真試驗(yàn)系統(tǒng)的重要組成部件,其作用是在實(shí)驗(yàn)室條件下為被測(cè)紅外探測(cè)設(shè)備生成模擬目標(biāo)和背景紅外輻射特性的紅外圖像。目前根據(jù)紅外圖像生成器件的不同,紅外目標(biāo)模擬器的主要類型包括電阻陣、數(shù)字微鏡器件(DMD)、MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜等。國(guó)外紅外目標(biāo)模擬器的主流技術(shù)是電阻陣,其發(fā)展水平較高,國(guó)內(nèi)電阻陣技術(shù)受限于工藝水平,目前最大陣列規(guī)模為512 × 512。基于DMD的紅外目標(biāo)模擬器可以實(shí)現(xiàn)較大的陣列規(guī)模,但是由于DMD像元尺寸接近長(zhǎng)波紅外(8 ~ 12 μm),因此生成的長(zhǎng)波紅外圖像的對(duì)比度無(wú)法滿足使用需求,此外DMD是一種反射式空間光調(diào)制器,采用脈沖寬度調(diào)制(Pulse WidthModulation,PWM)技術(shù)生成灰度圖像,產(chǎn)生256位灰度值(8-bit灰度圖像的最高灰階)所需的最短時(shí)間在毫秒量級(jí),而紅外焦平面探測(cè)器的積分時(shí)間通常在十幾微秒到數(shù)百微秒之間,因此無(wú)法采集到完整的256位灰階。MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜是另一種重要的紅外圖像生成器件,國(guó)內(nèi)目前已經(jīng)可以制備較大的陣列規(guī)模(1300 × 1300),MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜輻射光譜近似黑體譜,覆蓋中波紅外(3 ~ 5 μm)和長(zhǎng)波紅外(8 ~ 12 μm),轉(zhuǎn)換薄膜的驅(qū)動(dòng)方式為光驅(qū)動(dòng),即通過(guò)向薄膜表面投射具有灰度分布的可見(jiàn)光圖像,膜上像元吸收可見(jiàn)光能量迅速升溫,從而在薄膜表面形成溫度場(chǎng)分布,進(jìn)而輻射紅外圖像。光驅(qū)動(dòng)技術(shù)是MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜的工作基礎(chǔ),本文提出一種基于DMD二值模式的光驅(qū)動(dòng)技術(shù),利用DMD先產(chǎn)生可見(jiàn)光圖像投射到薄膜表面,利用薄膜的熱惰性對(duì)可見(jiàn)光圖像的能量進(jìn)行積分,從而令薄膜生成的紅外圖像具有一定的保持時(shí)間,使得紅外探測(cè)器可以在較短的積分時(shí)間內(nèi)采集到全部256位灰階的紅外圖像。通過(guò)對(duì)光驅(qū)動(dòng)狀態(tài)下的MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜的溫度-時(shí)間特性進(jìn)行仿真與實(shí)驗(yàn)研究,驗(yàn)證了所提出的光驅(qū)動(dòng)技術(shù)的可行性。

2光驅(qū)動(dòng)原理

MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示,包括襯底、粘結(jié)層和輻射層,其中襯底和粘結(jié)層起支撐和導(dǎo)熱作用,輻射層可以吸收可見(jiàn)光能量迅速升溫并向外輻射紅外能量。襯底材料為聚酰亞胺,在寬溫度范圍(-200 ~ 400℃)內(nèi)都具有較好的熱穩(wěn)定性,粘結(jié)層材料為鉻,輻射層為具有高可見(jiàn)光吸收率的金屬黑多孔結(jié)構(gòu),其在整個(gè)可見(jiàn)光波段的吸收率大于95%。薄膜的光驅(qū)動(dòng)工作過(guò)程如圖1(b)所示,光源發(fā)出的照明光首先在時(shí)域上被調(diào)制,DMD再對(duì)時(shí)域調(diào)制后的照明光進(jìn)行空間調(diào)制,得到可見(jiàn)光波段的寫入光圖像,接著通過(guò)圖像寫入系統(tǒng)將可見(jiàn)光圖像投射到轉(zhuǎn)換薄膜表面,膜上像元吸收可見(jiàn)光能量迅速升溫,從而在薄膜表面形成與寫入光圖像灰度分布相對(duì)應(yīng)的溫度場(chǎng)分布,進(jìn)而輻射紅外圖像。薄膜具有一定的熱惰性,熱惰性指當(dāng)物體所處的環(huán)境溫度瞬間變化,而物體本身溫度變化的滯后性,它取決于物體本身的比熱容和質(zhì)量。對(duì)于MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜來(lái)說(shuō),當(dāng)寫入光照射于其上時(shí),薄膜吸收寫入光能量自身逐漸升溫,當(dāng)撤去寫入光后,薄膜的溫度并不會(huì)迅速下降到環(huán)境溫度,而是具有一定的保持時(shí)間,即薄膜可將寫入光的能量進(jìn)行短暫的累積。

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圖1 MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜工作原理(a)薄膜結(jié)構(gòu)(b)光驅(qū)動(dòng)工作過(guò)程

光源的強(qiáng)度首先在時(shí)域上被調(diào)制,如圖2所示,每個(gè)調(diào)制周期被劃分為8個(gè)子場(chǎng),第i個(gè)子場(chǎng)內(nèi)的光功率為:

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式中A為光源的最大光功率。

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圖2 光源調(diào)制曲線

8-bit灰度圖像的每個(gè)像素的十進(jìn)制灰度可轉(zhuǎn)換為8位二進(jìn)制灰度,二進(jìn)制灰度的第i位代表的十進(jìn)制灰度為2i ? 1,即:

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式中G(x, y)為像素(x, y)的十進(jìn)制灰度,取值范圍0~255;Bi(x , y)為像素(x, y)的二進(jìn)制灰度的第i位,取值為0或1。

將一幅8-bit灰度圖像的每個(gè)像素點(diǎn)的十進(jìn)制灰度轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制灰度,然后分別提取所有像素的二進(jìn)制灰度的第i位,共組成8個(gè)二值矩陣,其中第i個(gè)二值矩陣中的(x, y)元素的取值為公式(1)中的Bi(x , y),將第i個(gè)二值矩陣代表的的二值圖像記作位平面i,如圖3所示。

圖3 灰度圖像分解

光源的一個(gè)時(shí)域調(diào)制周期分為8個(gè)子場(chǎng),DMD在8個(gè)子場(chǎng)內(nèi)分別顯示8幅二值圖像(位平面8至位平面1),每個(gè)位平面圖像的顯示時(shí)間均為Δt,如圖4所示。

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圖4 灰度圖像合成

則在一個(gè)調(diào)制周期(T = 8Δt)內(nèi),被DMD像素點(diǎn)(x, y)反射進(jìn)入圖像寫入系統(tǒng)的平均光功率為:

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由公式(3)可知,P(x, y)正比于原始8-bit灰度圖像的十進(jìn)制灰度G(x, y),這表明通過(guò)上述光驅(qū)動(dòng)方法可以在一個(gè)調(diào)制周期內(nèi)產(chǎn)生256位灰度變化的寫入光圖像。

3光驅(qū)動(dòng)薄膜溫度響應(yīng)特性

3.1薄膜溫度特性仿真

當(dāng)寫入光圖像投射到MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜表面時(shí),膜上像元吸收寫入光能量后迅速升溫,在薄膜表面形成與寫入光圖像灰度分布相對(duì)應(yīng)的溫度場(chǎng)分布,薄膜的溫度變化可用熱傳導(dǎo)方程描述:

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式中其中d=0.2 μm為薄膜厚度;3 =1300 kg/m3為薄膜密度;Cp=650 J/(kg?K)為薄膜比熱容;T0 =300 K為環(huán)境溫度;ε =0.8為薄膜表面發(fā)射率;σ= 5.67 × 10-8 W/(m2?K-4)為斯蒂芬-玻爾茲曼常數(shù);g=36 W/(m2?K)為等效制冷系數(shù);T為薄膜表面溫度;Q(t)為寫入光功率密度。

薄膜的溫度響應(yīng)曲線如圖5所示,加熱時(shí)間和散熱時(shí)間都設(shè)置為20 ms,其中寫入光功率密度在加熱時(shí)間內(nèi)保持不變,如圖5(a)所示。根據(jù)公式(4)計(jì)算薄膜表面溫升隨時(shí)間的變化曲線,結(jié)果如圖5(b)所示,薄膜溫升曲線分為升溫區(qū)、溫度保持區(qū)、散熱區(qū)。薄膜表面的溫度變化取決于其吸熱速率和散熱速率,根據(jù)公式(4),當(dāng)薄膜表面的溫度升高,其輻射散熱項(xiàng)εσ (T4 ?T40 )和制冷散熱項(xiàng)g(T ?T0 )都會(huì)增大,即薄膜的散熱速率隨著薄膜自身的溫度升高加快。由于寫入光功率保持不變,因此薄膜的吸熱速率不變,在升溫區(qū),吸熱速率大于散熱速率,薄膜溫度升高;在溫度保持區(qū),由于薄膜溫度的升高,已經(jīng)令散熱速率等于吸熱速率,此時(shí)在薄膜表面達(dá)到了動(dòng)態(tài)的熱平衡,薄膜溫度保持平穩(wěn);當(dāng)撤去寫入光后,薄膜不再吸熱,薄膜表面溫度的熱平衡被打破,薄膜表面溫度逐漸下降,最終與環(huán)境溫度相當(dāng)。

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圖5 薄膜溫度響應(yīng)。(a)寫入光功率密度曲線;(b)薄膜溫度變化曲線。

圖5中,τr為上升時(shí)間常數(shù),τd為下降時(shí)間常數(shù),由圖5(b)可知隨著寫入光功率密度的增加,τr和τd均會(huì)減小,τr和τd越小代表薄膜的溫度響應(yīng)越快。

寫入光按前述的第二章介紹的光驅(qū)動(dòng)方法的調(diào)制波形變化,將加熱時(shí)間和散熱時(shí)間都設(shè)置為20 ms,仿真得到對(duì)應(yīng)的薄膜溫度變化曲線如圖6所示,分別計(jì)算了寫入光灰度值為255、157、1時(shí)的寫入光調(diào)制波形及相應(yīng)的薄膜溫度變化曲線,由于薄膜的溫度響應(yīng)時(shí)間(τr和τd)隨寫入光功率密度的增加而減小,因此薄膜的加熱時(shí)間和散熱時(shí)間由圖像灰度值為1時(shí)的τr和τd確定,由圖6(c)可知,加熱時(shí)間應(yīng)不低于9 ms,散熱時(shí)間應(yīng)不低于9.5 ms。

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圖6 寫入光調(diào)制波形及薄膜溫度變化曲線(a)灰度值=255(b)灰度值=157(c)灰度值=1

薄膜溫度保持區(qū)的平均溫升與寫入光的灰度值的關(guān)系如圖7所示,二者基本呈線性關(guān)系,仿真結(jié)果表明可以通過(guò)控制寫入光的灰度值獲得256階溫度分布的紅外圖像,溫升最大值約為112 K,單位灰度值對(duì)應(yīng)的溫度變化約為0.44 K。紅外探測(cè)器在薄膜的溫度保持區(qū)對(duì)薄膜輻射的紅外圖像進(jìn)積分就可以采集到256位灰階的紅外圖像。

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圖7 薄膜溫度穩(wěn)定區(qū)溫升與寫入光灰度的關(guān)系

3.2實(shí)驗(yàn)研究

實(shí)驗(yàn)裝置框圖如圖8所示。包括同步模塊、調(diào)制光源、DMD、圖像寫入系統(tǒng)、MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜,紅外探測(cè)器/熱像儀、計(jì)算機(jī)。

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圖8 實(shí)驗(yàn)裝置框圖

同步模塊接收探測(cè)器發(fā)送的同步信號(hào),在同步信號(hào)的觸發(fā)下生成光源的調(diào)制信號(hào)和DMD的觸發(fā)信號(hào),保證光源調(diào)制波形的8個(gè)子場(chǎng)與DMD顯示的8幅二值圖像在時(shí)間上同步,同時(shí)使探測(cè)器或熱像儀的積分時(shí)間落在薄膜生成的紅外圖像的保持時(shí)間內(nèi)。光源由激光器和照明光學(xué)系統(tǒng)組成,激光器根據(jù)同步系統(tǒng)產(chǎn)生的光強(qiáng)調(diào)制信號(hào)調(diào)制出射激光功率,照明光學(xué)系統(tǒng)將激光進(jìn)行整形和勻化后照亮DMD。DMD接收計(jì)算機(jī)發(fā)送的位平面圖像序列,在觸發(fā)信號(hào)的觸發(fā)下同步顯示各個(gè)位平面二值圖像,配合調(diào)制激光生成寫入光圖像。寫入光圖像經(jīng)過(guò)圖像寫入系統(tǒng)成像在MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜上,最后生成與寫入光圖像對(duì)應(yīng)的紅外圖像。

3.2.1寫入光灰度控制實(shí)驗(yàn)

寫入光灰度控制實(shí)驗(yàn)裝置如圖9所示。將灰度值分別為255、207、243、252的全白8-bit灰度圖拆分為4組位平面圖像序列,每組位平面圖像序列內(nèi)包含8幅位平面二值圖像,利用DMD分別顯示不同灰度對(duì)應(yīng)的位平面圖像序列,利用探測(cè)器采集被DMD反射后進(jìn)入圖像寫入系統(tǒng)的寫入光信號(hào),得到的波形如圖10(a)所示。利用DMD 產(chǎn)生從0至255不同灰度的寫入光圖像,探測(cè)器采集到的寫入光信號(hào)的平均功率如圖10(b)所示,可知寫入光平均功率與設(shè)置的灰度值之間基本呈線性關(guān)系。

圖9 寫入光圖像灰度測(cè)試

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圖10 寫入光圖像灰度測(cè)試結(jié)果。(a)不同灰度值對(duì)應(yīng)的寫入光波形;(b)寫入光平均功率與灰度之間的關(guān)系

3.2.2紅外灰度測(cè)試實(shí)驗(yàn)

紅外灰度測(cè)試實(shí)驗(yàn)裝置如圖11所示,紅外熱像儀輸出的同步信號(hào)作為同步裝置的外同步信號(hào),DMD出射的寫入光圖像經(jīng)過(guò)圖像寫入系統(tǒng)投射在MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜表面,熱像儀對(duì)薄膜輻射的紅外圖像進(jìn)行采集。改變寫入光圖像灰度,進(jìn)而改變寫入光功率密度,測(cè)得薄膜表面的溫度變化如圖12 (a)所示,可見(jiàn)薄膜表面的溫升與寫入光功率呈線性關(guān)系,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果(圖7)一致。根據(jù)圖6仿真結(jié)果可知薄膜加熱時(shí)間不低于9 ms,散熱時(shí)間不低于9.5 ms,為了充分驗(yàn)證MEMS薄膜的幀頻刷新能力,實(shí)驗(yàn)中將加熱時(shí)間和散熱時(shí)間都設(shè)置為10 ms,(在仿真曲線中加熱時(shí)間和散熱時(shí)間均為20 ms)。當(dāng)寫入光灰度為255時(shí),MEMS薄膜溫度隨時(shí)間的變化情況如圖12 (b)所示,上升時(shí)間為8.2 ms,溫度保持時(shí)間為1.8 ms,下降時(shí)間為9.2 ms,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果(圖6(a))吻合。

圖11 紅外圖像生成實(shí)驗(yàn)裝置圖

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圖12 紅外灰度測(cè)試實(shí)驗(yàn)結(jié)果。(a)不同寫入光功率對(duì)應(yīng)的薄膜溫升(b)寫入光灰度為255時(shí)薄膜溫度變化曲線與時(shí)間關(guān)系

利用長(zhǎng)波紅外熱像儀采集到的薄膜表面生成的紅外圖像如圖13所示。

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圖13 紅外圖像生成結(jié)果(a)計(jì)算機(jī)寫入原圖;(b)MEMS轉(zhuǎn)換薄膜生成的紅外圖像

4結(jié)論

論文提出了一種MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜的光驅(qū)動(dòng)技術(shù),利用DMD二值模式和光源調(diào)制相結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)了8-bit寫入光圖像的灰度分解與灰度合成,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。利用寫入光圖像照射MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜生成紅外圖像,紅外圖像的溫度變化與寫入光圖像的灰度值呈線性關(guān)系,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果相符合,產(chǎn)生的紅外圖像的溫度時(shí)間曲線與仿真結(jié)果一致。本文提出的光驅(qū)動(dòng)技術(shù)利用了MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜的熱惰性,對(duì)寫入光圖像進(jìn)行時(shí)間積分,可以使紅外焦平面探測(cè)器在較短的積分時(shí)間內(nèi)采集到全部256位灰階紅外圖像,解決了焦平面探測(cè)器積分時(shí)間和紅外圖像生成時(shí)間的匹配問(wèn)題,已應(yīng)用于某紅外目標(biāo)模擬器。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:MEMS紅外轉(zhuǎn)換薄膜光驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    黃色外殼薄膜電容與安規(guī)X電容外觀雖然相似但不是同一種電容,薄膜電容采用塑料薄膜作介質(zhì),不需要安規(guī)認(rèn)證;安規(guī)X電容用于抗干擾,需強(qiáng)制安規(guī)認(rèn)證,獲得安規(guī)認(rèn)證,在選購(gòu)時(shí)需分辨。
    的頭像 發(fā)表于 10-28 17:24 ?253次閱讀
    黃色外殼的<b class='flag-5'>薄膜</b>電容和安規(guī)X電容是同<b class='flag-5'>一種</b>電容嗎?

    薄膜發(fā)電技術(shù)到底是什么_薄膜發(fā)電最忌三東西

    薄膜發(fā)電技術(shù)一種先進(jìn)的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),它主要依靠具有輕、薄、柔特點(diǎn)的薄膜太陽(yáng)能電池芯片來(lái)提供清潔
    的頭像 發(fā)表于 10-03 16:26 ?424次閱讀

    設(shè)計(jì)一種成本低、精度高的紅外測(cè)溫儀

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《設(shè)計(jì)一種成本低、精度高的紅外測(cè)溫儀.pdf》資料免費(fèi)下載
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    設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>一種</b>成本低、精度高的<b class='flag-5'>紅外</b>測(cè)溫儀

    光驅(qū)動(dòng)方式及特性詳解

    LCD(Liquid Crystal Display)即液晶顯示器,在消費(fèi)類電子和家電市場(chǎng)是主流屏幕產(chǎn)品。LCD本身不發(fā)光,它需要個(gè)外部面光源系統(tǒng)來(lái)幫助其顯示,即背光源。背光源將點(diǎn)光源轉(zhuǎn)換成面光源,為L(zhǎng)CD產(chǎn)品提供顯示所需的外部光源,背光源的芯片稱為背
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:16 ?1933次閱讀
    背<b class='flag-5'>光驅(qū)動(dòng)</b>方式及特性詳解

    紅外傳感器電路圖 紅外傳感器的工作原理和應(yīng)用

    紅外傳感器,又稱為紅外探測(cè)器或紅外轉(zhuǎn)換器(infrared transducer),是一種能夠感應(yīng)紅外線并將其
    的頭像 發(fā)表于 07-03 17:44 ?1.2w次閱讀
    <b class='flag-5'>紅外</b>傳感器電路圖 <b class='flag-5'>紅外</b>傳感器的工作原理和應(yīng)用

    主動(dòng)紅外和被動(dòng)紅外詳解

    紅外技術(shù),這個(gè)在科技界經(jīng)常出現(xiàn)的名詞,對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)可能還是個(gè)陌生的領(lǐng)域。然而,紅外技術(shù)并非單的,它有兩
    的頭像 發(fā)表于 06-27 17:23 ?605次閱讀
    主動(dòng)<b class='flag-5'>紅外</b>和被動(dòng)<b class='flag-5'>紅外</b>詳解

    紅外光轉(zhuǎn)可見(jiàn)光,革新可見(jiàn)光通信未來(lái)

    近日,印度科學(xué)研究所(IISc)的研究人員取得重大突破,成功制造出一種能夠?qū)?b class='flag-5'>紅外光轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的新型設(shè)備。???科普光轉(zhuǎn)換技術(shù):是
    的頭像 發(fā)表于 06-26 08:11 ?1020次閱讀
    <b class='flag-5'>紅外</b>光轉(zhuǎn)可見(jiàn)光,革新可見(jiàn)光通信未來(lái)

    無(wú)刷電機(jī)內(nèi)轉(zhuǎn)子和外轉(zhuǎn)子的區(qū)別

    無(wú)刷電機(jī)是一種常見(jiàn)的電機(jī)類型,廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)等。無(wú)刷電機(jī)主要由定子、轉(zhuǎn)子、控制器等部分組成。在無(wú)刷電機(jī)中,轉(zhuǎn)子分為內(nèi)轉(zhuǎn)子和外轉(zhuǎn)子兩種類型。下面我們將詳細(xì)介紹無(wú)刷電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:58 ?3862次閱讀

    外轉(zhuǎn)子電機(jī)和內(nèi)轉(zhuǎn)子電機(jī)哪個(gè)效率高

    外轉(zhuǎn)子電機(jī)和內(nèi)轉(zhuǎn)子電機(jī)是兩不同類型的電機(jī),它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域上存在定的差異。 外轉(zhuǎn)子電機(jī) 外轉(zhuǎn)子電機(jī)是
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:40 ?3196次閱讀

    文讀懂車載紅外熱成像技術(shù)

    紅外熱成像技術(shù)一種通過(guò)捕捉物體發(fā)出的紅外輻射,轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)的熱圖像,進(jìn)而反映物體表面溫度分布的技術(shù)。而在最近幾年,隨著自動(dòng)駕駛
    的頭像 發(fā)表于 04-25 12:11 ?552次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文讀懂車載<b class='flag-5'>紅外</b>熱成像<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    薄膜在線紅外測(cè)厚儀:精確測(cè)量薄膜厚度的利器

    在現(xiàn)代科技高速發(fā)展的今天,各種先進(jìn)的檢測(cè)設(shè)備為我們的生活帶來(lái)了極大的便利。其中,薄膜在線紅外測(cè)厚儀作為一種新型的測(cè)量?jī)x器,正逐漸成為各個(gè)行業(yè)中不可或缺的重要工具。本文將以薄膜在線
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:55 ?1019次閱讀
    <b class='flag-5'>薄膜</b>在線<b class='flag-5'>紅外</b>測(cè)厚儀:精確測(cè)量<b class='flag-5'>薄膜</b>厚度的利器

    什么是MEMS交換?MEMS交換原理是什么?

    什么是MEMS交換?MEMS交換原理是什么? MEMS交換是一種利用微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)光纖通信中光路的快速開(kāi)關(guān)的
    的頭像 發(fā)表于 02-02 14:41 ?511次閱讀

    MINILED背光驅(qū)動(dòng)芯片SM6610N的特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域分析

    MINILED背光驅(qū)動(dòng)芯片是一種新型的LED驅(qū)動(dòng)芯片,它采用了更小尺寸的LED芯片,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的分辨率和更低的功耗。這種芯片廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等各種顯示屏中。 MINILED背
    的頭像 發(fā)表于 01-26 15:32 ?1469次閱讀
    MINILED背<b class='flag-5'>光驅(qū)動(dòng)</b>芯片SM6610N的特點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域分析
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