晶體管，一種能夠?qū)?a href="http://www.1cnz.cn/tags/電流/" target="_blank">電流或電壓放大和控制的器件，是上個(gè)世紀(jì)所發(fā)明的一種最重要的器件，是引領(lǐng)整個(gè)信息時(shí)代最重要的一種器件，被稱作信息時(shí)代的‘神經(jīng)細(xì)胞’，不夸張地說，它是現(xiàn)代文明的基石。

計(jì)算機(jī)歷史博物館的首席執(zhí)行官John O’Toole說：“沒有晶體管這個(gè)現(xiàn)代微電子技術(shù)的基本構(gòu)建塊，就不會(huì)有今天計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。”

貝爾實(shí)驗(yàn)室名譽(yù)總裁 Ian M. Ross 在一篇 IEEE 文章中寫道晶體管的發(fā)明“使我們的社會(huì)發(fā)生了偉大變革，這場變革的深遠(yuǎn)意義不亞于鋼鐵的發(fā)現(xiàn)、蒸汽機(jī)的發(fā)明以及英國工業(yè)革命。”

晶體管的誕生

晶體管的發(fā)明工作始于新澤西的默里山，在這里科學(xué)家們正在尋找電子管的替代品。電子管雖然能夠放大音樂和語音，并使長途通話在 20 世紀(jì)上半葉成為現(xiàn)實(shí)，但問題在于電子管功耗大，產(chǎn)生的熱量過多，且極易燒壞。

最早追溯到1929年，當(dāng)時(shí)工程師利蓮費(fèi)爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的專利。但是，限于當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平，制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來。

基于電子管處理高頻信號(hào)的效果不理想，人們就想辦法改進(jìn)礦石收音機(jī)中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與半導(dǎo)體礦石表面相接觸的金屬絲，它既能讓信號(hào)電流沿一個(gè)方向流動(dòng)，又能阻止信號(hào)電流朝相反方向流動(dòng)。

1936年，在號(hào)稱“工程師的搖籃”的美國麻省理工學(xué)院，一位不速客悄悄推開了博士生肖克利的房門。來者自報(bào)家門，說明他來自貝爾實(shí)驗(yàn)室，名叫凱利。肖克利吃了一驚，他久聞這位著名物理學(xué)家的大名。

“小伙子，愿意來貝爾實(shí)驗(yàn)室工作嗎？”凱利快人快語，毫不掩飾自己來麻省“挖人”的意圖。凱利的話使肖克利怦然心動(dòng)。貝爾實(shí)驗(yàn)室在電子學(xué)方面開展著世界上規(guī)模最大的基礎(chǔ)研究，發(fā)明專利的注冊已達(dá)近萬項(xiàng)之多。畢業(yè)后，肖克利毫不遲疑地打點(diǎn)行裝，來到了新澤西。

貝爾實(shí)驗(yàn)室里早就有位青年人---布拉頓。布拉頓先后取得過理學(xué)碩士和哲學(xué)博士學(xué)位，從1929年起就加盟貝爾實(shí)驗(yàn)室。肖克利專攻理論物理，布拉頓則擅長實(shí)驗(yàn)物理，知識(shí)結(jié)構(gòu)相得益彰，大有相見恨晚的感覺。工作之余，他們也常聚在一起“侃大山”。

凡是涉及到當(dāng)時(shí)電子學(xué)中的熱門話題無話不談。直到有一天，肖克利講到一種“礦石”時(shí)，思想碰撞的火花終于引燃了“鏈?zhǔn)椒磻?yīng)”。肖克利說：“有一類晶體礦石被人們稱為半導(dǎo)體，比如鍺和硅等等，它們的導(dǎo)電性并不太好，但有一些很奇妙的特性，說不定哪天它們會(huì)影響到未來電子學(xué)的發(fā)展方向。”布拉頓心領(lǐng)神會(huì)，連連點(diǎn)頭。

如果不是第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)，肖克利和布拉頓或許更早就“挖掘”到了“珍寶”，然而，戰(zhàn)爭畢竟來臨了，肖克利和布拉頓先后被派往美國海軍部從事軍事方面的研究，剛剛開始的半導(dǎo)體課題遺憾地被戰(zhàn)火中斷。

1945年，戰(zhàn)火硝煙剛剛消散，肖克利一路風(fēng)塵趕回貝爾，并帶來了另一位青年科學(xué)家巴丁。巴丁是普林斯頓大學(xué)的數(shù)學(xué)物理博士，擅長固體物理學(xué)。巴丁的到來，對肖、布的后續(xù)研究如虎添翼，他淵博的學(xué)識(shí)和固體物理學(xué)專長，恰好彌補(bǔ)了肖克利和布拉頓知識(shí)結(jié)構(gòu)的不足。

貝爾實(shí)驗(yàn)室迅速批準(zhǔn)固體物理學(xué)研究項(xiàng)目上馬，凱利作為決策者在課題任務(wù)書上簽署了大名。由肖克利領(lǐng)銜，布拉頓、巴丁等人組成的半導(dǎo)體小組把目光盯住了那些特殊的“礦石”。肖克利首先提出了“場效應(yīng)”半導(dǎo)體管實(shí)驗(yàn)方案，然而首戰(zhàn)失利，他們并沒有發(fā)現(xiàn)預(yù)期的那種放大作用。

他們經(jīng)過一系列的實(shí)驗(yàn)和觀察，逐步認(rèn)識(shí)到半導(dǎo)體中電流放大效應(yīng)產(chǎn)生的原因。在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細(xì)針并通上電流，然后讓另一根細(xì)針盡量靠近它，并通上微弱的電流，這樣就會(huì)使原來的電流產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化，會(huì)對另外的電流產(chǎn)生很大的影響，這就是“放大”作用。

布拉頓等人還想出有效的辦法來實(shí)現(xiàn)這種放大效應(yīng)。他們在基極和發(fā)射極之間輸入一個(gè)弱信號(hào)，在基極和集電極之間的輸出端，就放大為一個(gè)強(qiáng)信號(hào)了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，上述晶體三極管的放大效應(yīng)得到廣泛的應(yīng)用。

巴丁和布拉頓最初制成的固體器件的放大倍數(shù)為50左右。不久之后，他們利用兩個(gè)靠得很近（相距0.05毫米）的觸須接點(diǎn)，來代替金箔接點(diǎn)，制造了“點(diǎn)接觸型晶體管”。1947年12月，這個(gè)世界上最早的實(shí)用半導(dǎo)體器件終于問世了，在首次試驗(yàn)時(shí)，它能把音頻信號(hào)放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。

1947年的圣誕節(jié)即將來臨，這天晌午時(shí)分，布拉頓和巴丁不約而同地走進(jìn)實(shí)驗(yàn)室。在此之前，由于有巴丁固體表面態(tài)理論的指導(dǎo)，他倆幾乎接近了成功的邊緣。實(shí)驗(yàn)表明，只要將兩根金屬絲的接觸點(diǎn)盡可能地靠近，就可能引起半導(dǎo)體放大電流的效果。

但是，如何才能在晶體表面形成這種小于0.4毫米的觸點(diǎn)呢？布拉頓精湛的實(shí)驗(yàn)技藝開始大顯神威。他平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕，恰到好處地將頂角一分為二，分別接上導(dǎo)線，隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。

電流表的指示清晰地顯示出，他們得到了一個(gè)有放大作用的新電子器件！布拉頓和巴丁興奮地大喊大叫起來，聞聲而至的肖克利也為眼前的奇跡感到格外振奮。布拉頓在筆記本上這樣寫道：“電壓增益100，功率增益40……實(shí)驗(yàn)演示日期1947年12月23日下午。”作為見證者，肖克利在這本筆記上鄭重地簽了名。

在為這種器件命名時(shí)，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的，于是取名為trans-resister（轉(zhuǎn)換電阻），后來縮寫為transistor，中文譯名就是晶體管。

1948年，美國專利局批準(zhǔn)了貝爾實(shí)驗(yàn)室這種被命名為晶體管的發(fā)明專利。然而，專利書上的發(fā)明人只列著布拉頓和巴丁。肖克利看后，一笑置之，表現(xiàn)出真正的“大將風(fēng)度”。

點(diǎn)接觸型晶體管有自己的缺點(diǎn)，它存在噪聲大、在功率大時(shí)難于控制、適用范圍窄，另外制造工藝復(fù)雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障等缺點(diǎn)。為了克服以上缺點(diǎn)，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點(diǎn)的大膽設(shè)想。

此后，肖克利一舉攻克晶體管中的另一座“堡壘”：他發(fā)明了一種“結(jié)型晶體管”，離布拉頓和巴丁發(fā)明“點(diǎn)接觸型晶體管”的時(shí)間僅隔一年。人們后來知道，結(jié)型晶體管才是現(xiàn)代晶體管的正宗始祖，它不僅預(yù)示著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向，而且是肖克利堅(jiān)韌不拔的精神體現(xiàn)，以致有人詼諧地給它起了個(gè)綽號(hào)叫“堅(jiān)持管”。

1950年，第一只“面結(jié)型晶體管”問世。它的性能與原來設(shè)想的完全一致。

1954年，貝爾實(shí)驗(yàn)室使用800支晶體管組裝成功人類有史以來第一臺(tái)晶體管計(jì)算機(jī)TRADIC。

集成電路的發(fā)明

諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主杰克·基爾比先生是集成電路的發(fā)明者、手持計(jì)算器的發(fā)明人之一。他的發(fā)明奠定了現(xiàn)代微電子技術(shù)的基礎(chǔ)，可以說如果沒有集成電路的發(fā)明，就不會(huì)有今天的計(jì)算機(jī)，人類還將在信息時(shí)代的門外徘徊。我們生活中所能見到的各種電子，幾乎無一例外都是建立在集成電路技術(shù)基礎(chǔ)上的。

杰克·基爾比剛被聘用到德州儀器公司時(shí)，公司并沒有對杰克·基爾比的工作職責(zé)進(jìn)行具體劃分。在德州儀器公司工作后不久杰克·基爾比就開始意識(shí)到，由于公司制造電阻器、晶體管和電容器，如果對其產(chǎn)品進(jìn)行重新組裝可能會(huì)生產(chǎn)出更有效的微型模塊產(chǎn)品。因此，杰克·基爾比設(shè)計(jì)了一個(gè)使用管狀部件的IF放大器，而且做出了原型。杰克·基爾比利用員工周末和工廠停工的前幾天完成了詳細(xì)的成本分析。

杰克·基爾比對IF放大器的試驗(yàn)效果進(jìn)行認(rèn)真思考。通過進(jìn)行成本分析，杰克·基爾比第一次更清楚的了解到半導(dǎo)體車間的成本結(jié)構(gòu)。數(shù)字很高——非常高。杰克·基爾比覺得如果他不能盡快地想出一個(gè)好的辦法，那么在假期結(jié)束后，就有可能會(huì)分配他比去做微型模塊項(xiàng)目提案的工作。

在心情萬分沮喪的時(shí)候，杰克·基爾比開始感覺到，半導(dǎo)體車間唯一可以以高成本效益方式制造的產(chǎn)品就是半導(dǎo)體。經(jīng)過進(jìn)一步思考，他得出這樣的結(jié)論，真正需要的實(shí)際上就是半導(dǎo)體——電阻器和電容器，于是杰克·基爾比很快起草了一個(gè)使用這些部件的觸發(fā)器的設(shè)計(jì)提案。具體說來，可以用與有源設(shè)備相同的材料來制造。用硅的體效應(yīng)來提供電阻器，而電容器則通過p-n結(jié)來提供。

杰克·基爾比很快就完成了這些草圖，并用非連續(xù)硅元素制造了一條電路，其中使用了打包的成熟結(jié)晶體管。電阻器是通過在硅上鑿出小條并蝕刻上值后做出來的。電容器是在散布式硅功率電容器晶片上鑿出來并用金屬處理兩側(cè)。整個(gè)電路組裝完成，并于1958年8月28日向公司進(jìn)行了演示。

我們可以說微芯片是歷史上最重大的發(fā)明之一，它為無數(shù)的其它發(fā)明鋪平了道路。在過去的40年里，杰克·基爾比已經(jīng)看到他的發(fā)明改變了世界。杰克·基爾比是為數(shù)不多的幾個(gè)人之一，他可以環(huán)顧世界并對自己說：“我改變了世界”。

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

晶體管的結(jié)構(gòu)

晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。

根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。

三極管各個(gè)電極的作用及電流分配

晶體管三個(gè)電極的電極的作用如下：

1、發(fā)射極（E極）用來發(fā)射電子;

2、基極（B極）用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量;

3、集電極（C極）用業(yè)收集電子。

4、晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC

晶體管的工作條件

晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí)，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個(gè)較小的信號(hào)，則其集電極將會(huì)輸出一個(gè)較大的信號(hào)。

晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)（B、E極之間）要加上較低的正向電壓（即正向偏置電壓），集電結(jié)（B、C極之間）要加上較高的反向電壓（即反向偏置電壓）。

晶體管發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓約等于PN結(jié)電壓，即硅管為0.6~0.7V，鍺管為0.2~0.3V。集電結(jié)的反向偏置電壓視具體型號(hào)而定。

晶體管的工作狀態(tài)

晶體管有截止、導(dǎo)通和飽和三種狀態(tài)。

1、在晶體管不具備工作條件時(shí)，它處截止?fàn)顟B(tài)，內(nèi)阻很大，各極電流幾乎為0。

2、當(dāng)晶體管的發(fā)射結(jié)加下合適的正向偏置電壓、集電結(jié)加上反向偏置電壓時(shí)，晶體管導(dǎo)通，其內(nèi)阻變小，各電極均有工作電流產(chǎn)生（IE=IB+IC）。適當(dāng)增大其發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓、使基極電流IB增大時(shí)，集電極電流IC和發(fā)射極電流IE也會(huì)隨之增大。

3、當(dāng)晶體管發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V，鍺管等于或略高于0.3V0時(shí)，晶體管將從導(dǎo)通放大狀態(tài)進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)集電極電流IC將處于較大的恒定狀態(tài)，且已不受基極電流IB控制。晶體管的導(dǎo)通內(nèi)阻很小（相當(dāng)于開關(guān)被接通），集電極與發(fā)射極之間的電壓低于發(fā)射結(jié)電壓，集電結(jié)也由反偏狀態(tài)變?yōu)檎珷顟B(tài)。

高頻晶體管

高頻晶體管（指特征頻率大于30MHZ的晶體管）可分為高頻小功率晶體管和高頻大功率晶體管。

常用的國產(chǎn)高頻小功率晶體管有3AG1~3AG4、3AG11~3AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、3DG9043等型號(hào)。

常用的進(jìn)口高頻小功率晶體管有2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、BC558、9011~9015、S9011~S9015、TEC9011~TEC9015、2SA1015、2SC1815、2SA562、2SC1959、2SA673、2SC1213等型號(hào)。

高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。

常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A~3DA87E、3DA88A~3DA88E、3DA93A~3DA93D、3DA151A~3DG151D、3DA1~3DA5、3DA100~3DA108、3DA14A~3DA14D、3DA30A~3DA30D、3DG152A~3DG152J、3CA1~3CA9等型號(hào)。

常用的進(jìn)口高頻中、大功率晶體管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型號(hào)。

超高頻晶體管

超高頻晶體管也稱微波晶體管，其頻率特性一般高于500MHZ，主要用于電視、雷達(dá)、導(dǎo)航、通信等領(lǐng)域中處理微波波段（300MHZ以上的頻率）的信號(hào)。

常用的國產(chǎn)超高頻晶體管有3AG95、3CG15A~3CG15D、3DG56（2G210）、3DG80（2G211、2G910）、3DG18A~3DG18C、2G711A~2G711E、3DG103、3DG112、3DG145~3DG156、3DG122、3DG123、3DG130~3DG132、3DG140~3DG148、3CG102、3CG113、3CG114、3CG122、3CG132、3CG140、3DA89、3DA819~3DA823等型號(hào)。

進(jìn)口超高頻晶體管 常用的進(jìn)口超高頻晶體管有2SA130、2SA1855、2SA1886、2SC286~2SC288、2SC464~2SC466、2SD1266、BF769、BF959等型號(hào)。

中、低頻晶體管

低頻晶體管的特征頻率一般低于或等于3MHZ，中頻晶體管的特征頻率一般低于30MHZ。

中、低頻小功率晶體管：中低頻小功率晶體管主要用于工作頻率較低、功率在1W以下的低頻放大和功率放大等電路中。

常見的國產(chǎn)低頻小功率晶體管有3AX1~3AX15、3AX21~3AX25、3AX31、3BX31、3AX81、3AX83、3AX51~3AX55、3DX200~3DX204、3CX200~3CX204等型號(hào)，表5-7是各管的主要參數(shù)。

常用的進(jìn)口中、低頻小功率晶體管有2SA940、2SC2073、2SC1815、2SB134、2SB135、2N2944~2N2946等型號(hào)。

中、低頻大功率晶體管：中、低頻大功率晶體管一般用在電視機(jī)、音響等家電中作為電源調(diào)整管、開關(guān)管、場輸出管、行輸出管、功率輸出管或用在汽車電子點(diǎn)火電路、逆變器、不間斷電源（UPS）等系統(tǒng)中。

常用的國產(chǎn)低頻大功率晶體管有3DD102、3DD14、3DD15、3DD52、DD01、DD03、D74、3AD6、3AD30、3DA58、DF104等型號(hào)。

常用的進(jìn)口中、低頻大功率晶體管有2SA670、2SB337、2SB556K、2SD553Y、2SD1585、2SC1827、2SC2168、BD201~BD204等型號(hào)。

互補(bǔ)對管

為了提高功率放大品的輸出功率和效率，減小失真，功率放大器通常采用推挽式功率放大電路，即由兩只互補(bǔ)晶體管分別放大一個(gè)完整正弦波的正、負(fù)半周信號(hào)。這要求兩只互補(bǔ)晶體管的材料相， ，性能參數(shù)（例如耗散功率PCM、最大集電極電流ICM、最高反向電壓VCBO、電流放大系數(shù)hFE、特征頻率fT等）也要盡可能一致使用前應(yīng)進(jìn)行挑選“配對”。

互補(bǔ)對管一般采用異極性對管，即兩只晶體管一只為NPN型管，另一只為PNP型管。

開關(guān)晶體管

開關(guān)晶體管是一種飽和與截止?fàn)顟B(tài)變換速度較快的晶體管，廣泛應(yīng)用于各種脈沖電路、開關(guān)電路及功率輸出電路中。

開關(guān)晶體管分為小功率開關(guān)晶體管和高反壓大功率開關(guān)晶體管等。

1、小功率開關(guān)晶體管：小功率開關(guān)晶體管一般用于高頻放大電路、脈沖電路、開關(guān)電路及同步分離電路等。常用的國產(chǎn)小功率開關(guān)晶體管有3AK系列3CK系列和3DK系列。

2、高反壓大功率開關(guān)晶體管：高反壓大功率開關(guān)晶體管通常均為硅NPN型，其最高反向電壓VCBO高于800V，主要用于彩色電視機(jī)、電腦顯示器中作開關(guān)電源管、行輸出管或用于汽車電子點(diǎn)火器、電子鎮(zhèn)流器、逆變器、不間斷電源（UPS）等產(chǎn)品中。

常用的高反壓大功率開關(guān)晶體管有2SD820、2SD850、2SD1401、2SD1403、2SD1432~2SD1433、2SC1942等型號(hào)。

帶阻尼行輸出管

帶阻尼行輸出管是將高反壓大功率開關(guān)晶體管與阻尼二極管、保護(hù)電阻封裝為一體構(gòu)成的特殊電子器件，主要用于彩色電視機(jī)或電腦顯示器中。帶阻尼行輸出管有金屬封裝（TO-3）和塑封（TO-3P）兩種封裝形式。

差分對管

差分對管也稱孿生對管或一體化差分對管，它是將兩只性能參數(shù)相同的晶體管封裝在一起構(gòu)成的電子器件，一般用在音頻放大器或儀器、儀表中作差分輸入放大管。

差分對管有NPN型和PNP型兩種結(jié)構(gòu)。常見的國產(chǎn)NPN型差分對管有3DG06A~3DG06D等型號(hào)。PNP型差分對管有3CSG3、ECM1A等型號(hào)。

常見的進(jìn)口NPN型差分對管有2SC1583等型號(hào)，PNP型差分對管有2SA798等型號(hào)。

達(dá)林頓管

達(dá)林頓管也稱復(fù)合晶體管，具有較大的電流放大系數(shù)及較高的輸入阻抗。它又分為普通達(dá)林頓管和大功率達(dá)林頓管。

1.普通達(dá)林頓管：普通達(dá)林頓管通常由兩只晶體管或多只晶體管復(fù)合連接而成，內(nèi)部不帶保護(hù)電路，耗散功率在2W以下。

普通達(dá)林頓管一般采用TO-92塑料封裝，主要用于高增益放大電路或繼電器驅(qū)動(dòng)電路等。常用的普通達(dá)林頓管有PN020、MP-SA6266等型號(hào)。

2.大功率達(dá)林頓管：大功率達(dá)林頓管在普通達(dá)林頓管的基礎(chǔ)上，增加了由泄放電阻和續(xù)流二極管組成的保護(hù)電路，穩(wěn)定性較高，驅(qū)動(dòng)電流更大。

大功率達(dá)林頓管一般采用TO-3金屬封裝或采用TO-126、TO-220、TO-3P等外形塑料封裝，主要用于音頻功率放大、電源穩(wěn)壓、大電流驅(qū)動(dòng)、開關(guān)控制等電路。

帶阻晶體管

帶阻晶體管是將一只或兩只電阻器與晶體管連接后封裝在一起構(gòu)成的，作反相器或倒相器，廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、影碟機(jī)、錄像機(jī)等家電產(chǎn)品中。其封裝外形有EM3、UMT、SST（美國或歐洲SOT-23）、SMT（SC-59/日本SOT-23）、MPT（SOT-89）、FTR和TO-92等，耗散功率為150~400mW。

1.帶阻晶體管的電路圖形符號(hào)及文字符號(hào)：帶阻晶體管目前尚無統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)，在不同廠家的電子產(chǎn)品中電路圖形符號(hào)及文字符號(hào)的標(biāo)注方法也不一樣。例如，日立、松下等公司的產(chǎn)品中常用字母“QR”來表示，東芝公司用字母“RN”來表示，飛利浦及NEC（日電）等公司用字母“Q”表示，還有的廠家用“IC”表示，國內(nèi)電子產(chǎn)品中可以使用晶體管的文字符號(hào)，即用字母“V”或“VT”來表示。

2.常用的帶阻晶體管：常用的進(jìn)口帶阻三極管有DTA系列、DTB系列、DTC系列、DTD系列、MRN系列、RN系列、UN系列、KSR系列、FA系列、FN系列、GN系列、GA系列、HC系列、HD系列、HQ系列、HR系列等多種。常用的國產(chǎn)帶阻晶體管有GR系列等。

光敏三極管

光敏三極管是具有放大能力的光-電轉(zhuǎn)換三極管，廣泛應(yīng)用于各種光控電路中。

在無光照射時(shí)，光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，無電信號(hào)輸出。光當(dāng)信號(hào)照射其基極（受光窗口）時(shí)，光敏三極管將導(dǎo)通，從發(fā)射極或集電極輸出放大后的電信號(hào)。

1.光敏三極管的外形及符號(hào)：光敏三極管在電路中的文字符號(hào)與普通三極管相同，用字母“V”或“VT”表示。

光敏三極管有塑封、金屬封裝（頂部為玻璃鏡窗口）環(huán)氧樹脂、陶瓷等多種封裝結(jié)構(gòu)，引腳也分為兩腳和三腳型。

2.常用的光敏三極管：常用的國產(chǎn)光敏三極管以硅NPN型為主有3DU11~3DU13、3DU21~3DU23、3DU31~3DU33、3DU51A~3DU51C、3DU51~3DU54、3DU111~3DU113、3DU121~3DU123~3DU131~3DU133、3DU311~3DU333、3DU411~3DU433、3DU80等型號(hào)。

磁敏三極管

磁敏三極管是一種對磁場敏感的磁-電轉(zhuǎn)換器件，它可以將磁信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。

常見的磁敏三極管有3CCM和4CCM等型號(hào)。3CCM采用雙極型結(jié)構(gòu)，具有正、反向磁靈敏度極性，有確定的磁敏感面（通常用色點(diǎn)標(biāo)注）。磁敏三極管一般用于電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速控制、防盜等各種磁控電路中。

恒流三極管

恒流三極管是一種可以調(diào)節(jié)和穩(wěn)定電流的特殊器件。它的三個(gè)電極分別是陽極（正極）A陰極（負(fù)極）C和控制極G。

恒流三極管一般用于限流保護(hù)和恒流標(biāo)準(zhǔn)電源，也可在直流電源等電路中作恒流器件。常用的恒流三極管有3DH010~3DH050等型號(hào)，其恒流范圍為5~500Ma，工作電壓為5~80V。

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