ASPENCORE全球分析師團(tuán)隊(duì)根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）與BCG聯(lián)合發(fā)布的研究報(bào)告《在不確定時(shí)代下加強(qiáng)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈》，以及維基百科《全球半導(dǎo)體晶圓廠分布》清單，對(duì)中國(guó)大陸和美國(guó)在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈和價(jià)值鏈上的實(shí)力進(jìn)行的全方位對(duì)比，并詳細(xì)列出了美國(guó)本土和中國(guó)大陸本土正常運(yùn)營(yíng)的晶圓廠清單。

1965年，當(dāng)Gordon Moore發(fā)表他的“芯片晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月翻倍”的文章時(shí)（這就是我們熟悉的“摩爾定律”），芯片是在1.25英寸（30毫米）的晶圓上制造出來的。當(dāng)時(shí)，建造一座晶圓廠的成本約為100萬美元。過去半個(gè)世紀(jì)以來，芯片制造商一直遵循摩爾定律的節(jié)奏開發(fā)和制造芯片，在這個(gè)過程中將更多功能集成到單個(gè)芯片上，從而推動(dòng)了電腦、智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品的增長(zhǎng)和普及。隨著時(shí)間的推移，芯片制造商開始轉(zhuǎn)向更大的晶圓尺寸，因?yàn)楦蟮木A可以切割出更多的裸片，從而可以降低芯片成本。從2000年開始，芯片制造商開始從200毫米（8英寸）晶圓升級(jí)到現(xiàn)代的300毫米（12英寸）晶圓。最初，建造200毫米晶圓廠的成本約為7億-13億美元，而建造300毫米晶圓廠的成本約為20億美元。根據(jù)IBS的數(shù)據(jù)，在2001年，全球有18家芯片制造商擁有可以處理130nm芯片的晶圓廠，這在當(dāng)時(shí)是最先進(jìn)的工藝。

與此同時(shí)，以臺(tái)積電為首的晶圓代工廠商開始引起業(yè)界的重視，他們不設(shè)計(jì)和銷售自己的芯片，而專門為外部客戶提供芯片制造服務(wù)。許多芯片制造商不再能夠和愿意負(fù)擔(dān)開發(fā)新工藝和建造先進(jìn)晶圓廠的費(fèi)用，于是選擇了fab-lite模式，即將部分芯片制造外包給晶圓代工廠商。而高通、英偉達(dá)和賽靈思等Fabless設(shè)計(jì)公司則乘著代工的東風(fēng)而起飛，成長(zhǎng)為比IDM廠商更有競(jìng)爭(zhēng)力的芯片供應(yīng)商。因著代工的興起，晶圓制造開始從美國(guó)和歐洲向亞洲轉(zhuǎn)移。根據(jù)SIA和BCG的報(bào)告統(tǒng)計(jì)，臺(tái)灣現(xiàn)已成為全球晶圓制造產(chǎn)能的領(lǐng)導(dǎo)者，2020年占有22％的份額，其次是韓國(guó)（21％）、日本（15％）、中國(guó)大陸（15％）、美國(guó)（12％）和歐洲（9％）。

全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和價(jià)值鏈的劃分

提醒各位，我們不要被上面的統(tǒng)計(jì)數(shù)字所迷惑。晶圓制造只是全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和價(jià)值鏈上的一個(gè)節(jié)點(diǎn)，芯片設(shè)計(jì)、EDA/IP，以及封裝測(cè)試也扮演著各自不同的角色。如下圖所示，全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈包括如下環(huán)節(jié)：基礎(chǔ)研究、EDA/IP、芯片設(shè)計(jì)（細(xì)分為邏輯器件、DAO和存儲(chǔ)器）、半導(dǎo)體制造設(shè)備和材料，以及制造（細(xì)分為前道晶圓制造、后道封裝和測(cè)試）。

全球半導(dǎo)體按地域分布的價(jià)值劃分（基于2019年全球半導(dǎo)體數(shù)據(jù)）。（來源：SIA & BCG）注釋：DAO代表分立、模擬及其它（光電器件和傳感器）；OSAT代表外包封裝和測(cè)試；東亞（East Asia）包括日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣。從上圖可以看出，在EDA/IP細(xì)分領(lǐng)域，美國(guó)占主導(dǎo)地位（74%），而中國(guó)僅占3%；在晶圓制造方面，美國(guó)占12%，中國(guó)占16%；在封裝測(cè)試市場(chǎng)，中國(guó)占38%，美國(guó)僅2%。半導(dǎo)體器件有30多種，但業(yè)界一般分為三大類別：邏輯、存儲(chǔ)、DAO。

邏輯器件是處理“0”和“1”的數(shù)字芯片，是所有設(shè)備計(jì)算和處理的構(gòu)建模塊，約占整個(gè)半導(dǎo)體價(jià)值鏈的42%。邏輯類別主要包括：微處理器（比如CPU、GPU和AP）、微控制器（MCU）、通用邏輯器件（比如FPGA），以及連接器件（比如WiFi和藍(lán)牙芯片）。

存儲(chǔ)器芯片用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼信息，主要有DRAM和NAND兩大類，約占整個(gè)半導(dǎo)體價(jià)值鏈的26%。DRAM只能暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序代碼信息，存儲(chǔ)容量一般比較大；NAND俗稱閃存，即便掉電也可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)和代碼，手機(jī)的SD卡和電腦的SSD固態(tài)硬盤都使用這類存儲(chǔ)器芯片。

DAO代表分立器件、模擬器件，以及其它類別的器件（比如光電器件和傳感器）， 約占整個(gè)半導(dǎo)體價(jià)值鏈的32%。二極管和晶體管都是分立器件；模擬器件包括電源管理芯片、信號(hào)鏈和RF器件；其它類別的器件雖然占比不高，但也不可忽視（計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備缺少一個(gè)器件就無法工作），比如傳感器在新興的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中越來越重要。

全球半導(dǎo)體若按這三大類別細(xì)分，總體銷售額按照應(yīng)用劃分如下：智能手機(jī)占26%；消費(fèi)電子占10%；PC占19%；ICT基礎(chǔ)設(shè)備占24%；工業(yè)控制占10%；汽車占10%。

全球半導(dǎo)體按應(yīng)用劃分的銷售額占比。（來源：SIA & BCG）以DAO類別為例，在智能手機(jī)和消費(fèi)電子中的價(jià)值占比約1/3，而在工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域占比高達(dá)60%。

中美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力對(duì)比

半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)是非同尋常的復(fù)雜和全球化，大致可分為四個(gè)主要階段：基礎(chǔ)研究、設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝和測(cè)試。此外，芯片設(shè)計(jì)還需要EDA工具和各種IP核，而芯片生產(chǎn)則需要半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備和各種專用材料。從半導(dǎo)體器件的應(yīng)用市場(chǎng)來看，美國(guó)和中國(guó)各自約占全球半導(dǎo)體消耗量的 1/4，無論作為半導(dǎo)體消費(fèi)者還是創(chuàng)造者，都有著舉足輕重的份量。下面我們將從六個(gè)方面對(duì)美國(guó)和中國(guó)大陸（不包括臺(tái)灣）的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力做個(gè)全方位對(duì)比。

基礎(chǔ)研究

EDA/IP

芯片設(shè)計(jì)

晶圓制造

制造設(shè)備和材料

封裝測(cè)試

基礎(chǔ)研究半導(dǎo)體的基礎(chǔ)研究主要是半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料和化學(xué)工藝的研究，是半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和制造實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和商用化的源動(dòng)力。一項(xiàng)研究成果大約需要10到15年的時(shí)間才能達(dá)到商業(yè)化階段，例如，Extreme Ultra-Violet（EUV）技術(shù)從最初的概念到進(jìn)入晶圓廠實(shí)施階段花了將近四十年。雖然沒有具體的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，但基礎(chǔ)研究一般約占半導(dǎo)體總研發(fā)投入的15-20％。比如，美國(guó)多年來一直保持在16-19％的水平。

2018年美國(guó)半導(dǎo)體整體研發(fā)投入的劃分。（來源：SIA）如上圖所示，2018年美國(guó)半導(dǎo)體整體研發(fā)投入為5800億美元，其中基礎(chǔ)研究占17%；應(yīng)用研究占20%；產(chǎn)品開發(fā)占63%。從資金來源看，基礎(chǔ)研究的42%來自聯(lián)邦政府，來自企業(yè)的資金占29%，來自大學(xué)和其它非盈利機(jī)構(gòu)的資金占29%。政府資助的研究經(jīng)費(fèi)雖然整體占比不高，但取得的技術(shù)突破卻對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著重大影響。例如，美國(guó)防部于上世紀(jì)80年代末資助的微波和毫米波集成電路（MIMIC）項(xiàng)目研發(fā)出砷化鎵（GaAs）晶體管，基于這種材料和結(jié)構(gòu)的RF器件讓智能手機(jī)與蜂窩通信塔的無線連接成為可能。

過去40年來，美國(guó)企業(yè)界在半導(dǎo)體研發(fā)上的投入占GDP的比例增長(zhǎng)了差不多10倍，而政府在半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資金額一直沒有增長(zhǎng)。根據(jù)經(jīng)濟(jì)合作與發(fā)展組織（OECD）的數(shù)據(jù)，2018年中國(guó)的整體研發(fā)投入全球排名第二，僅比美國(guó)低5%，但是投入到基礎(chǔ)研究的費(fèi)用只占5-6%，半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究就更低了。中國(guó)新的五年計(jì)劃將基礎(chǔ)研究列為重點(diǎn)投入領(lǐng)域，2021年的目標(biāo)比例是GDP的11%，半導(dǎo)體也將作為重中之重得到較為充裕的資源投入。EDA/IPEDA和IP雖然在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中占比很小，但在價(jià)值鏈上卻舉足輕重，可謂半導(dǎo)體“皇冠上的明珠”。EDA三巨頭（新思科技、Cadence，以及被西門子收購(gòu)的Mentor）都是美國(guó)公司，他們同時(shí)也開發(fā)和提供各種IP。

IP市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊Arm極有可能被美國(guó)的英偉達(dá)收購(gòu)而成為美國(guó)公司。根據(jù)SIA和BCG的報(bào)告統(tǒng)計(jì)，美國(guó)在EDA/IP領(lǐng)域占據(jù)74%的份額，而中國(guó)只有3%。中國(guó)EDA行業(yè)雖然有華大九天、概倫電子，以及新興的EDA初創(chuàng)公司，但整體實(shí)力跟美國(guó)還相距甚遠(yuǎn)。在IP方面，只有芯原和Imagination（中資背景的英國(guó)公司）在全球市場(chǎng)占據(jù)一定的份額。芯片設(shè)計(jì)芯片設(shè)計(jì)是典型的人才和智力密集型產(chǎn)業(yè)，全球芯片設(shè)計(jì)的研發(fā)投入占整個(gè)半導(dǎo)體研發(fā)的53%，是最大的一塊。Fabless設(shè)計(jì)公司的R&D投入一般占其營(yíng)收的12-20%，有的先進(jìn)工藝系統(tǒng)級(jí)芯片的研發(fā)占比更高。在邏輯芯片設(shè)計(jì)市場(chǎng)，美國(guó)占67%，而中國(guó)幾乎為零。在存儲(chǔ)器方面，美國(guó)占29%，中國(guó)占7%，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯和合肥長(zhǎng)鑫等存儲(chǔ)器廠商的崛起將有助于增加中國(guó)在這一領(lǐng)域的份額。在DAO方面，美國(guó)占37%，中國(guó)占7%。

美國(guó)的TI和ADI長(zhǎng)期占據(jù)全球模擬芯片市場(chǎng)龍頭地位，短期內(nèi)中國(guó)或者其它國(guó)家都難以撼動(dòng)。中國(guó)在電源管理器件方面的競(jìng)爭(zhēng)力逐漸增強(qiáng)，模擬領(lǐng)域也有圣邦微和思瑞浦等公司的興起，但整體營(yíng)收和技術(shù)實(shí)力還不能跟美國(guó)相提并論。晶圓制造晶圓制造環(huán)節(jié)在研發(fā)方面占整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的13%，但資本投入?yún)s占據(jù)了64%，是典型的資本密集型產(chǎn)業(yè)。根據(jù)芯片產(chǎn)品的復(fù)雜度不同，晶圓制造過程會(huì)涉及400-1400個(gè)工藝步驟。臺(tái)積電和三星擬新建的5nm工藝晶圓廠總投資接近200億美元，這么巨額的投資令很多國(guó)家和企業(yè)望而卻步。要知道建造一艘最先進(jìn)的航母造價(jià)也就130億美元，而建造一座新的核能發(fā)電站耗資只不過40-80億美元。像臺(tái)積電和三星這樣的最先進(jìn)工藝晶圓代工廠商，其每年的資本開支要占營(yíng)收的30-40%。7nm工藝及更先進(jìn)的晶圓廠100%都在東亞，都掌握在臺(tái)積電和三星手中。

1990-2030年全球半導(dǎo)體制造份額預(yù)測(cè)。（來源：SIA）從目前的整體制造產(chǎn)能來看，美國(guó)占全球的12%，中國(guó)則占16%。據(jù)SIA統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)，美國(guó)在1990年的晶圓制造產(chǎn)能占全球的37%，現(xiàn)在已經(jīng)下滑到12%。如果繼續(xù)按這樣發(fā)展下去，到2030年美國(guó)的半導(dǎo)體制造能力將只有全球總產(chǎn)能的10%。而同期中國(guó)則一路上升，從1990年接近零到2000年的3%，再到現(xiàn)今的16%，到2030年預(yù)期將達(dá)到24%。鑒于這一嚴(yán)峻的現(xiàn)實(shí)，美國(guó)政府開始撥款大力支持美國(guó)公司和外國(guó)企業(yè)在美國(guó)本土建造晶圓廠。同時(shí)，通過技術(shù)出口限制等手段遏制中國(guó)在晶圓制造方面的增長(zhǎng)，特別是14nm以下工藝的生產(chǎn)。制造設(shè)備和材料半導(dǎo)體制造過程會(huì)使用超過50種不同類型的復(fù)雜晶圓處理和測(cè)試設(shè)備。光刻工具代表了晶圓廠商最大的資本支出之一，而且確定了晶圓廠可以生產(chǎn)的芯片先進(jìn)程度。先進(jìn)的光刻設(shè)備，特別是那些采用極紫外線（EUV）技術(shù)的設(shè)備，是生產(chǎn)7納米及以下工藝芯片所必需的，一臺(tái)EUV機(jī)器的售價(jià)就高達(dá)1.5億美元。開發(fā)和制造這種先進(jìn)的高精度制造設(shè)備需要在研發(fā)方面進(jìn)行大量投資。

半導(dǎo)體設(shè)備制造商通常將其營(yíng)收的10-15％用于技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)。半導(dǎo)體設(shè)備制造商的整體研發(fā)水平為9％，在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的價(jià)值占比約11％。在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域，美國(guó)占比41%，以LAM（泛林半導(dǎo)體）、AMAT（應(yīng)用材料）和KLA（科天半導(dǎo)體）為代表。而中國(guó)僅占5%，以中微半導(dǎo)體和北方華創(chuàng)為代表。中國(guó)最大的晶圓代工廠商中芯國(guó)際在購(gòu)買ASML EUV光刻機(jī)等方面一直受到美國(guó)政府阻撓，致使中國(guó)14nm以下先進(jìn)工藝的研發(fā)和生產(chǎn)一直滯后。此外，半導(dǎo)體制造也依賴專門的材料來加工和處理晶圓。半導(dǎo)體制造過程涉及多達(dá)300種不同的材料，其中許多都需要先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備來生產(chǎn)。例如，用于制作晶圓片的多晶硅錠的純度必須達(dá)到太陽(yáng)能面板的1，000倍。全球300毫米硅片主要由五家供應(yīng)商提供，主要來自日本、韓國(guó)、德國(guó)和臺(tái)灣。中國(guó)大陸只有上海新昇半導(dǎo)體一家可以提供。

在全球半導(dǎo)體制造材料市場(chǎng)，美國(guó)占比11%，而中國(guó)占比13%。封裝測(cè)試封裝測(cè)試屬于芯片制造的后道工序，主要是將晶圓廠完成的晶圓片切割成裸片，并進(jìn)行封裝和測(cè)試，最后輸出芯片成品給芯片設(shè)計(jì)公司。封測(cè)廠商也需要投資大量的專用設(shè)備，一般占其營(yíng)收的15%。雖然后道工廠的資本和研發(fā)投入不比前道晶圓廠大，但先進(jìn)的封裝工藝也需要先進(jìn)的設(shè)備和工藝支持，比如可以集成多個(gè)裸片的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）工藝。封裝和測(cè)試工廠主要集中在中國(guó)大陸和臺(tái)灣，東南亞也有一些新的封測(cè)工廠設(shè)施。在這一領(lǐng)域，中國(guó)占比38%，而美國(guó)只有2%。

美國(guó)半導(dǎo)體制造振興計(jì)劃

據(jù)ASPENCORE分析師的粗略統(tǒng)計(jì)，美國(guó)本土的晶圓廠目前有94座，主要分布在德州奧斯汀和達(dá)拉斯、俄勒岡州、亞利桑那州、新墨西哥州、加州、馬薩諸塞州和紐約州。擁有晶圓廠的美國(guó)公司包括英特爾、TI、ADI、安森美、格芯、美光、Microship、Qorvo和Skyworks等。此外，臺(tái)積電、三星、NXP、英飛凌、瑞薩、羅姆和積塔半導(dǎo)體等國(guó)際廠商也在美國(guó)運(yùn)營(yíng)各自的晶圓廠。

然而，美國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)頭羊英特爾和格芯在先進(jìn)工藝的競(jìng)賽中已經(jīng)明顯落后臺(tái)積電和三星。再加上最近幾年中國(guó)半導(dǎo)體的崛起，讓美國(guó)政府感受到了巨大壓力。最近，美國(guó)國(guó)會(huì)通過520億美元的半導(dǎo)體補(bǔ)貼提案，將在五年內(nèi)大幅推動(dòng)美國(guó)半導(dǎo)體的生產(chǎn)和研發(fā)。該提案包括390億美元的半導(dǎo)體生產(chǎn)和研發(fā)資金，以及105億美元的項(xiàng)目實(shí)施資金，主要用于國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心、國(guó)家先進(jìn)封裝制造項(xiàng)目和其他研發(fā)項(xiàng)目。美國(guó)政府的專項(xiàng)資金預(yù)計(jì)將撬動(dòng)總計(jì)1500億美元的政府、企業(yè)和風(fēng)投資本進(jìn)入美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)。最近，英特爾、臺(tái)積電和三星都宣布在美國(guó)本土新建先進(jìn)工藝晶圓廠的計(jì)劃。

中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展規(guī)劃

根據(jù)芯思想研究院發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2020年中國(guó)大陸本土晶圓代工廠商總體營(yíng)收為463億元，較2019年增加66億元。扣除紹興中芯、粵芯半導(dǎo)體和寧波中芯的18億元營(yíng)收，原有7大代工廠商的營(yíng)收增長(zhǎng)了48億元。

據(jù)ASPENCORE《電子工程專輯》分析師團(tuán)隊(duì)的粗略統(tǒng)計(jì)，目前位于中國(guó)大陸的晶圓廠共有75座，臺(tái)灣共有83座晶圓廠。中國(guó)政府從上世紀(jì)80年代開始，推出了一系列支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，包括 908、909工程、國(guó)發(fā)18號(hào)文、國(guó)家重大01專項(xiàng)、02專項(xiàng)、《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、十三五規(guī)劃，以及成立國(guó)家集成電路一二期大基金等。十四五規(guī)劃對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持主要體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：

先進(jìn)制程。加快先進(jìn)制程的發(fā)展速度，推進(jìn)14nm、7nm甚至更先進(jìn)制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。目前國(guó)內(nèi)在先進(jìn)制程上還處于追趕狀態(tài)，強(qiáng)大的市場(chǎng)需求和資本推動(dòng)會(huì)促進(jìn)中國(guó)本土晶圓制造廠商的工藝穩(wěn)步推進(jìn)。中國(guó)本土晶圓廠商有中芯國(guó)際、華潤(rùn)微電子、華虹半導(dǎo)體等專業(yè)晶圓代工廠商，以及士蘭微、武漢長(zhǎng)存和合肥長(zhǎng)鑫等IDM廠商。此外，國(guó)際廠商在中國(guó)本土也有不少晶圓廠，比如英特爾、英飛凌等。而近幾年臺(tái)積電（南京）、三星（西安）和SK 海力士（無錫）也紛紛興建先進(jìn)的晶圓廠，從而帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人才、設(shè)備材料等配套的完善。

高端IC設(shè)計(jì)和先進(jìn)封裝。十四五計(jì)劃將會(huì)針對(duì)存儲(chǔ)芯片、嵌入式 MPU、DSP、AP領(lǐng)域、模擬芯片和高端功率器件進(jìn)行重點(diǎn)支持和引導(dǎo)，并致力于解決這幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域卡脖子問題。另外，邏輯芯片的先進(jìn)封裝和功率器件的封裝將是發(fā)力的重點(diǎn)。

關(guān)鍵設(shè)備和材料。在半導(dǎo)體專用設(shè)備市場(chǎng)，國(guó)際巨頭的市場(chǎng)占有率很高，特別是在光刻機(jī)、檢測(cè)設(shè)備、離子注入設(shè)備等方面處于壟斷地位，且其在大部分技術(shù)領(lǐng)域已采取了知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)措施，因此半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)的技術(shù)壁壘非常高。目前國(guó)內(nèi)收入體量最大的半導(dǎo)體設(shè)備公司北方華創(chuàng)占全球設(shè)備份額也不足 1%，國(guó)產(chǎn)化迫切；光刻膠 95%以上的市場(chǎng)也都掌握在海外廠商手中。十四五規(guī)劃將會(huì)針對(duì)一些關(guān)鍵“卡脖子”設(shè)備和材料進(jìn)行專項(xiàng)扶持，比如光刻機(jī)、大硅片、光刻膠等。

第三代半導(dǎo)體。國(guó)內(nèi)外SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游的SiC晶片和外延→中間的功率器件制造（包含傳統(tǒng)的 IC 設(shè)計(jì)→制造→封裝三個(gè)環(huán)節(jié)）→下游工控、新能源車、光伏風(fēng)電等應(yīng)用。目前上游的晶片基本被CREE和II-VI等美國(guó)廠商壟斷。國(guó)內(nèi)方面，SiC晶片商山東天岳和天科合達(dá)已經(jīng)能供應(yīng)2英寸~6 英寸的單晶襯底；SiC外延片有廈門瀚天天成與東莞天域可生產(chǎn)2 英寸~6 英寸 SiC外延片。第三代半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)外差距相對(duì)較小，且國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游都已經(jīng)涌現(xiàn)出很多優(yōu)秀的公司，第三代半導(dǎo)體寫入十四五規(guī)劃，預(yù)期這一領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)廠商未來五年會(huì)是一個(gè)蓬勃發(fā)展的狀態(tài)。

原文標(biāo)題：中美半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力對(duì)比（附中國(guó)和美國(guó)晶圓廠完整清單）

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