CCD/CMOS圖像傳感器/屏下指紋測試設備領航者
近年來,圖像傳感器作為電子設備的“視覺靈魂”,隨著5G的普及,已成為了市場矚目的焦點。而作為無人駕駛技術的龍頭,特斯拉更于上個月宣布,將放棄自駕系統 Autopilot 、FSD 中的雷達設備,本月起 Model 3 和 Model Y 部分新車自駕系統將改為全鏡頭偵測,沒有雷達傳感器,且可在北美進行半自動駕駛。我們更可以預期CMOS圖像傳感器(CIS)芯片和CIS攝像頭模塊(CCM)市場將迎來爆發式增長。
從圖像傳感器芯片設計到晶圓制造,封裝測試及最下游的系統廠如手機、汽車等,經歷多年發展,各階段的工藝水平呈現出飛躍式提升,然而行業內的分工相當細致,制造端的建設與時間成本高昂,撐起了行業上、中、下游各自的技術門檻。
以圖像傳感器應用光學屏下指紋辨識芯片為例,皆由頂尖的芯片設計公司主導設計,再委由如臺積電、采鈺代工制造,最后再傳遞至封測廠進行封裝和基本電性測試,因此,對芯片設計工程師而言,要得知自家的設計最后是否能滿足終端客戶的期待,往往要等待三到六個月,如何掌握終端客戶的需求以及實時有效率地驗證自家的設計,才能最終勝出、獲得市場青睞。
SG-A圖像傳感器測試儀是由光焱科技研發的標準化圖像傳感器測試儀,可提供從圖像傳感器芯片到組裝成產品如屏下指紋辨識模塊、高動態范圍的車用攝像頭等所需的關鍵參數,例如全光譜量子效率QE、整個系統增益K、時間暗噪聲、信噪比、絕對靈敏度閾值、飽和能力、動態范圍、DSNU 、PRNU、線性誤差等,即便是芯片設計公司,也可以很輕易的在封裝前后得到相關的光電特性報告以加速最終產品的交付。SG-A 圖像傳感器測試儀的測試方法在EMVA 1288標準基礎上進行了優化設計,增加了傳統方法無法進行的主光角CRA測量功能,克服了新的工藝制造檢查難題,包括小像素(<1 um),BSI和3D堆疊,微透鏡,新的拜耳陣列設計等,更直接助力晶圓級光電特性分析、微透鏡設計驗證。
技術的發展催生標準的進步,唯有盡可能使行業內從上游到下游測試方法標準化,才能加速設計驗證流程。我們發現,過去的芯片設計公司,非常熟悉芯片的電性分析,然而隨著光傳感器類產品的市場應用大爆發,如若多琢磨芯片上光轉電的特性,顯然可以成為技術突破點。
以圖像傳感器上的一個重要參數,量子效率為例,利用非破壞性光學"逆轉譯"技術,由影像芯片生成的數位影像訊號分析出微米級感光元件的量子效率、芯片類比電路的系統增益等,也可以進一步由傳感器的量子效率QE曲線,來了解傳感器在光譜范圍內的表現能力。
從上圖可以看到,從 QE 結果來看,由于 BI 結構,在 650nm 處可以達到 85% 以上的最高 EQE 值,850nm 和 940nm 處的近紅外波段響應值也很高,使SONY IMX556 成為 3D 傳感應用的領導者。
如果您專長于電子電路芯片設計,但對于光學檢測不熟悉,希望能夠找到一個擅長光學、光譜學檢測的合作伙伴...
如果您是消費性電子產品的專家,現在要跨足圖像傳感器相關的后端模塊產品,但卻不熟悉圖像傳感器成像質量的檢驗方式與方法...
如果您的圖像傳感器芯片要在短時間內完成相關光學性能的設計與驗證,而需要在短時間內完成光學檢測系統的布署,想找尋一個可靠的合作伙伴...
如果您已經有傳統積分球式檢測系統,但卻因發散角過大無法對主光角(CRA)等精密光學參數進行性能測試...
對于已投產的圖像傳感器芯片,您希望能夠驗證代工廠制程的質量,想找尋一個非破壞性的光學檢測系統...
如果您是后端的相機模塊商,需要準確的圖像傳感器芯片光學參數(如芯片加上微透鏡的CRA),來設計合適的鏡頭參數,來完成整體模塊的設計與驗證...
如果您正在開發后端的ISP(影像訊號處理芯片),正在找尋一套模擬光源系統,具有高光強動態范圍調變能力同時涵蓋UV到NIR波段,可以來模擬圖像傳感器芯片的應用環境,來協助您開發ISP算法...
采用光焱科技先進的光轉換調變技術及全套測試方案,無須切割或對芯片進行破壞性檢測,可將影像芯片的數位訊號"逆轉譯"分析出微米級感光元件的量子效率、芯片類比電路的系統增益、暗電流噪聲、飽和度、光電響應線性度等,加速您新產品的上市時程。
SG-A 圖像傳感器測試儀應用領域
·指紋識別(CIS +鏡頭,CIS +準直儀,TFT陣列傳感器)
·CIS的微透鏡設計,晶圓級光學檢查
·CIS DSP芯片算法開發
·Si TFT傳感器面板
·飛行時間相機傳感器
·接近度傳感器(量子效率,靈敏度,線性,SNR等)
·d-ToF傳感器,i-ToF傳感器
·多光譜傳感器
·環境光傳感器(ALS)
·指紋下顯示(FoD)傳感器
責任編輯:lq
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原文標題:量子效率:從芯片設計到產品,圖像傳感器全產業鏈的共同測試標準
文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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