mos管工作原理
MOS管(MOSFET)名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管,是一種電壓控制器件,也是單極型器件。場效應管分為PMOS管和NMOS管,兩者都屬于絕緣柵場效應管。
MOS管的Source(源極)和Drain(耗盡層)可對調,都是在P型backgate中形成的N型區。
增強型:當VGS=0時,漏源沒有導電溝道,在VDS作用下沒有iD
耗盡型:當VGS=0時,漏源有導電溝道,在VDS作用下有iD
N溝道增強型MOS管:
VGS=0,存在一個PN結反偏,不存在導電溝道,則iD=0,VGS》0,管子才能工作。
VGS》0,P區表面將形成導電溝道,反型層變厚導致VDS上升,iD隨之上升
N溝道耗盡型MOS管:
制造時在柵極絕緣層中有大量正離子,當VSG=0,兩個N區仍存在導電溝道
P溝道增強型MOS管:
VGS=0時,iD=0,開啟電壓《0,當VGS《0時,管子才能工作
P溝道耗盡型MOS管:
制造時在柵極絕緣層中有大量負離子,當VSG=0,兩個N區仍存在導電溝道
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責編AJX
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