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硅基Mini LED顯示 晶能硅基垂直芯片方案的三大優勢

LED顯示渠道 ? 來源:晶能光電 ? 作者:晶能光電 ? 2021-08-10 10:16 ? 次閱讀
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LED行業每十年左右迎來一輪大的技術和應用升級。十年前以大尺寸背光、小間距顯示為代表的應用升級,驅動了2010-2017年LED行業的繁榮。而結合目前芯片價格上漲、中國臺灣產業鏈營收回暖等跡象,LED行業拐點正在來臨,下游需求向好疊加技術升級推動行業景氣抬升,Mini/Micro LED將開啟下一個十年。

LED日趨微型化,Mini & Micro LED應運而生, MiniLED背光產品對提升顯示質量效果顯著, Mini LED背光商業化進展迅速,有望成為液晶高端顯示器解決方案。專家預測Mini & Micro LED直顯可能是未來最優的顯示技術;高畫質、低能耗特點使其在消費電子市場優勢盡顯。

2021年8月4日,深圳市照明與顯示工程行業協會、惠州仲愷高新區LED品牌發展促進會、廣州國際照明展覽會在廣州國際照明展9.2號館E60聯合主辦主題為“LED顯示照明行業新十年”的Mini & Micro LED顯示照明發展高峰論壇

晶能芯片中心總監楊小東出席Mini & Micro LED顯示照明發展高峰論壇并做《硅基LED Mini超高清顯示屏應用趨勢》主題演講。

以下是報告主要內容

晶能硅基垂直芯片方案有三大優勢:

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01

Mini LED顯示方案

晶能TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案簡介:

TFFC: 一般指經過襯底剝離的薄膜LED芯片,做成倒裝結構,稱為thin film flip chip,薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片,簡稱TFFC。

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晶能P0.6—P0.3顯示方案TFFC 2*4mil芯片簡介:

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VTF/TFFC 芯片實現P0.6—0.3技術方案介紹:

由于現有四元紅光去襯底后機械強度不夠,在極小芯片尺寸下進行轉移的過程中容易碎裂,很難進行后續的工藝生產。晶能將以下兩個技術路線為主要研發方向:

技術路線一:

RGB三色均采用InGaN TFFC ,LED外延、芯片制程統一。硅基InGaN紅光LED取得巨大突破,為該技術提供可能。

技術路線二:

TFFC芯片+量子點/KSF紅光(QD/KSF+藍光InGaNLED),采用印刷、噴涂、打印等技術,在藍光LED表面放置QD或者KSF熒光粉得到紅色的LED。

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TFFC、FC與Micro芯片對比(實現P0.6以下間距顯示):

用Micro芯片技術的約70%去實現Mini顯示,降低了技術難度,同時可以讓4k、8k超高清顯示的LED芯片成本大幅度降低,大量量產有機會在2年內實現。

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02

硅基Mini LED芯片進展

晶能硅基Mini LED 產品量產規劃:

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4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術的驅動下勢不可擋,晶能硅基Mini LED芯片技術路線有機會提供一個超高性價比光源解決方案。

03

硅基MicroLED芯片展望

MicroLED預研:

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4fd01518-f7dc-11eb-9bcf-12bb97331649.png

世界范圍內主流Micro的研究方向還是以硅襯底GaN LED去襯底技術路線為主,由于硅襯底GaN與硅半導體晶圓的物理兼容性,可以最大效能利用晶能現有資源,同時避開巨量轉移問題,公司優先著力Micro LED微顯示研究,應用AR/VR/HUD/HMD等方向。

硅基GaN與硅基CMOS驅動電路進行晶圓級邦定,去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續GaN芯片工藝。

研發路線:先單色,后全彩。

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晶能光電簡介

晶能光電成立于2006年2月,是專注于大功率LED芯片、器件和第三代半導體GaN材料開發與生產的高科技企業。 晶能光電在硅襯底GaN技術領域已耕耘近二十載,在全球率先實現硅襯底GaN技術在LED領域的產業化和市場應用,開創了全球第三條藍光LED技術路線,在全球申請或擁有420多項專利,其中硅襯底GaN基藍光LED技術獲得2015年度國家技術發明獎一等獎。同時,公司憑借硅襯底GaN材料技術優勢,在硅襯底Micro LED和GaN HEMT的材料研究領域具有深厚積淀。 公司擁有國際化的技術團隊和管理團隊,具備持續創新的、先進的大規模生產制造和管理能力。公司將秉承創新和本分的基因,致力于為全球消費者提供全方位的高端LED照明、微顯示和GaN器件的產品和解決方案。

編輯:hfy

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原文標題:LED顯示照明行業新十年|硅基Mini LED顯示

文章出處:【微信號:led-qudao,微信公眾號:LED顯示渠道】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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