功率電子技術正朝向更高的功率密度、高快的開關速度、更小的器件體積這個趨勢發展，而傳統的硅基器件已經接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于氮化鎵（GaN）等第三代寬禁帶半導體材料的新型器件成為研發的重點，相關的應用開發活動也十分活躍。

EPC新近推出的EPC2218增強模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個大趨勢下應運而生的一款性能優異的器件。

EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95mm，僅以鈍化芯片形式提供，帶有焊錫條。該器件的導通電阻僅有3.2mΩ，與前代eGaN FET相比降低了接近20%，顯著減少了功耗并提高了額定直流功率。

與硅基MOSFET相比，EPC2218的柵極電荷（QG）更小，并且沒有反向恢復電荷（QRR），因此可以實現更快的開關速度和更低的功耗。

EPC2218非常適合于48 VOUT同步整流、D類音頻、信息娛樂系統、DC/DC轉換器以及自動駕駛汽車、機器人和無人機的LiDAR的應用。

器件特性

更高的開關頻率：更低的開關損耗和更低的驅動功率

效率更高、傳導和開關損耗更低、反向恢復損耗為零

占板面積更小，功率更高

產品電氣特性

DC/DC轉換器

BLDC電機驅動器

AC/DC和DC/DC的同步整流

激光雷達/脈沖功率

負載點 （POL） 轉換器

D類音頻

LED照明

責任編輯：haq