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百瓦以上快充為何選擇LLC架構(gòu)

海明觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:李誠(chéng) ? 2021-09-06 07:53 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”這句廣告語可能是很多人對(duì)快充最開始的認(rèn)識(shí),在以前很多手機(jī)廠商為實(shí)現(xiàn)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航,只會(huì)一味地增加手機(jī)電池容量,電池容量的增加,在重量與手機(jī)的厚度上都會(huì)有一定的增加,和原本發(fā)明手機(jī)時(shí)輕便的宗旨背道而馳,直到2010年,USB BC 1.2的頒布充電器由5V/1A提升到5V/1.5A(最大輸出功率:7.5W),開始進(jìn)入快充時(shí)代。

隨著手機(jī)性能的不斷提升,功耗也在變高,用戶對(duì)提升快充功率的需求愈發(fā)強(qiáng)烈,快充市場(chǎng)逐漸火熱起來。

百瓦以上快充為何選擇LLC架構(gòu)

現(xiàn)在市場(chǎng)上快充的主要輸出功率在18W~120W之間,據(jù)公開信息顯示,近七成以上的充電器采用QR的電路架構(gòu)。 由于用戶對(duì)高功率充電器的追求,QR式架構(gòu)(準(zhǔn)諧振)已不能滿足百瓦以上大功率、高功率密度需求,準(zhǔn)諧振只參與能量轉(zhuǎn)換的某一階段,且所有輸出電壓范圍內(nèi)不可實(shí)現(xiàn)全軟開關(guān)。而LLC架構(gòu)能夠在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),降低開關(guān)損耗,滿足大功率、高功率密度需求。

軟開關(guān)是在零電壓或零電流下實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷,軟開關(guān)能解決硬開關(guān)的開關(guān)損耗、容性開通、感性關(guān)斷、二極管反向恢復(fù)等問題,并能有效降低EMI,從而實(shí)現(xiàn)高頻化、高功率密度。軟開關(guān)技術(shù)對(duì)功率器件高頻化至關(guān)重要。



LLC諧振電路主要分為:全橋諧振和半橋諧振。全橋和半橋電路是以原邊開關(guān)管數(shù)量區(qū)分的,原邊由4個(gè)開關(guān)管排成H型的是全橋諧振電路,在原邊部分只有全橋一半的是半橋諧振電路。副邊是整流電路部分,整流電路可分為同步整流和不可控整流。同步整流是指,通過內(nèi)置二極管的MOS管替代二極管。由于二極管具有導(dǎo)通壓降,導(dǎo)通壓降會(huì)隨著電流增大而增大。因MOS管的導(dǎo)通電阻較低,導(dǎo)通壓降也很小。同步整流電路能有效降低二極管損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。

總體來說,LLC架構(gòu)能夠在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓導(dǎo)通或關(guān)斷。在輸入電壓和負(fù)載范圍變化較大的情況下調(diào)節(jié)輸出,開關(guān)頻率變化不大。對(duì)頻率進(jìn)行控制,上、下管占空比相同(都是50%),減小次級(jí)同步整流MOSFET的電壓應(yīng)力。可以采用更低的電壓MOSFET及無需輸出電感,可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。采用更低電壓的同步整流MOSFET,可有效提升效率。

LLC架構(gòu)的120W快充實(shí)例

全球首款120W氮化鎵充電器——倍思120W氮化鎵快充

(圖片來源:倍思官網(wǎng))


倍思120W氮化鎵快充主控芯片采用的是安森美NCP13992,NCP13992是一種用于板橋LLC的高性能電流模式控制器。該控制器實(shí)現(xiàn)了600V門驅(qū)動(dòng)程序,簡(jiǎn)化了布局,減少了外部組件的數(shù)量。

(基于LLC架構(gòu)的NCP13992電路拓?fù)?圖片來源:安森美官網(wǎng))

LLC架構(gòu)在頻率、損耗、功率密度方面都具有較高的優(yōu)勢(shì),但是由于輸入與輸出范圍較小的原因,該架構(gòu)在快充領(lǐng)域未能得到廣泛應(yīng)用,伴隨著安森美NCP13992的推出,使LLC架構(gòu)能夠在百瓦快充電路架構(gòu)上普及,該芯片具有一個(gè)專門的輸出來驅(qū)動(dòng)PFC控制器。此功能結(jié)合專門的無噪聲跳過模式技術(shù)進(jìn)一步提高了整個(gè)應(yīng)用的輕負(fù)載能效。

總結(jié)

LLC采用電流模式控制,可獲得更好的瞬態(tài)和穩(wěn)定性,同時(shí)提升了輕載狀態(tài)下的性能。GaN與LLC架構(gòu)的結(jié)合在相同輸出功率的情況下,比其他架構(gòu)的功率密度更大、體積更小。百瓦以上快充采用LLC架構(gòu)更為合適。

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