本文我們將為大家帶來的是思睿達主推的CR6889B替換XX8267對比測試報告。先讓我們對思睿達CR6889B有個大概的了解吧！

CR6889B 芯片特性：

● SOT23-6 封裝的副邊PWM 反激功率開關；

● 內置軟啟動，減小MOSFET 的應力，斜坡補償電路；

● 65kHz 開關頻率，具有頻率抖動功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復等保護功能；

● 電路結構簡單、較少的外圍元器件，適用于小功率AC / DC 電源適配器、充電器。

CR6889B 替換XX8267 建議修調以下元件：

1、SENSE 電阻值0.57 歐調整為0.6 歐左右,使其與原樣機OCP點保持基本一致；（僅供參考）

2、RCD 吸收電容C1 取值由102 調整為222，降低VDS 峰值減小MOS 管上面應力；

一、電性對比如下：

此電源基本特性為12V3A 對比評估相關數據如下：

注：

1、以上效率為板端測試

2、測試儀器為：

示波器：泰克MDO3014

功率計：WT210

負載機：IT8511A

萬用表：FLUKE 15B

二、關鍵波形對比如下：

XX8267 264V 啟動時VDS 波形肖特基波形

CR6889B 264V 啟動時VDS 波形肖特基波形

從測試波形上可以了解到在整機開啟和發生保護的時候MOS 管以及次級肖特基上所受應力基本一致，不過在極端條件下時VDS 峰值為680V 左右（比如VAC264 輸入時重載啟動，存有VDS超過MOS管規格650V 額定值的隱患），所以可以適當調整RCD 減小此峰值，調整RCD 電容后的啟動波形如下，減小VDS峰值約30V，此時峰值為650V 左右：

結論：

CR6889B與XX8267對比測試電性基本一致（四點平均效率略高0.1~0.3%左右；（各數據僅供參考）

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