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適用于存儲器接口的PCB準則

Xilinx賽靈思官微 ? 來源:Xilinx賽靈思官微 ? 作者:Xilinx ? 2021-09-24 10:07 ? 次閱讀

Versal 自適應計算加速平臺 (ACAP) 將標量引擎 (Scalar Engine)、自適應引擎 (Adaptable Engine) 和智能引擎(Intelligent Engine) 與領先的存儲器和交互技術有機結合,從而為任何應用提供強大的異構加速功能。Versal 架構 PCB 準則已基于前幾代進行了精簡,以方便 PCB 布局專業人員和硬件設計師使用。

Versal ACAP 中的配電系統

Versal ACAP 包含多條電源軌,每條電源軌都用于一項特定功能,如下表所示。如需了解有關電源名稱和電壓電平的最新信息,請參閱《Versal AI Core 系列數據手冊:DC 和 AC 開關特性》。

適用于存儲器接口的 PCB 準則

Versal 架構提供了與以下存儲器架構連接的解決方案:

? DDR4

? LPDDR4/4x

? RLDRAM3

? QDR-IV

所有接口的必需存儲器布線準則:

1

判定信號走線長度時,請在布線約束中包含封裝延遲,除非另行指定。

2

相同字節組中的 DQ 和 DQS 信號應在相同層級內從 Versal 器件布線到 DRAM/DIMM。按適當方式在字節組內包含數據掩碼 (DM)。

3

對于多插槽拓撲結構,從一個 DIMM 布線到另一個 DIMM 時,請勿更改層級。

4

信號線必須布線于實體基準內電層上。請勿在空隙處布線。

實體基準內電層上的信號布線

5

請勿在基準內電層分割處布線。

基準內電層分割處的信號布線

6

請將布線置于距離基準內電層和空隙邊緣至少 30 mil 外,但引出線區域除外,如下圖所示。

引出線區域布線

7

對于雙插槽 DIMM 拓撲結構,應將 DIMM #0 布局在離 ACAP 最遠的連接器上,以降低 SI 反射的影響。DIMM#1 連接器應布局在離 ACAP 最近的地方。

8

對于使用地址鏡像的蛤殼式配置,應確保兩條芯片選擇線路的終端均充分去耦,并且進出 VTT 的電層/走線厚度足夠。

Versal 器件與封裝之間的移植

封裝移植的高層次目標是確保客戶能夠在任一管腳兼容封裝內跨不同器件使用相同 PCB。封裝移植中存在嚴格的移植設計規則,當前提供的大部分封裝都支持在任一給定 Versal 產品組合內進行跨器件移植。但也有跨不同器件系列的封裝可提供移植支持。

? VSVA2197 和 VSVD1760:支持在 Versal AI Core 系列與 Prime 系列內進行跨器件移植

? VFVF1760 和 VFVC2197:支持在 Versal Prime 系列與 Premium 系列內進行跨器件移植

責任編輯:haq

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原文標題:用戶指南 | Versal ACAP PCB設計

文章出處:【微信號:賽靈思,微信公眾號:Xilinx賽靈思官微】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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