近日，德州儀器旗下LM25149和LMG3525R030-Q1兩款芯片分別獲得由 21ic 電子網(wǎng)評選頒發(fā)的 2021 年度（第十九屆）TOP10 Power 產(chǎn)品獎和優(yōu)化開發(fā)獎。

TOP10 Power 電源產(chǎn)品獎是由 21ic 主導(dǎo)策劃的，至今已經(jīng)成功舉辦了 18 年。今年，經(jīng)過全網(wǎng)數(shù)千次的工程師投票和 21ic 編輯緊張的審評，2021 年度第十九屆 Top10 Power 電源產(chǎn)品獎結(jié)果出爐。

TOP10 Power 產(chǎn)品獎是備受中國電源行業(yè)內(nèi)認(rèn)同的行業(yè)基準(zhǔn)之一，綜合自技術(shù)、應(yīng)用、設(shè)計、創(chuàng)新、能效比多項技術(shù)指標(biāo)嚴(yán)格評選得出。該獎項的參選范圍包括所有電源類產(chǎn)品，獲得該殊榮則代表著該產(chǎn)品在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新。

優(yōu)化開發(fā)獎則更趨向于工程師開發(fā)，獲得該殊榮代表著該產(chǎn)品具有完備開發(fā)套件，易于工程師迅速掌握進行二次開發(fā)。

LM25149：首款具有集成式有源EMI濾波器的先進直流/直流控制器

LM25149 同步直流/直流降壓控制器是業(yè)界具有集成式有源 EMI 濾波器的先進直流/直流控制器，支持工程師實現(xiàn)超小的低 EMI 電源設(shè)計。設(shè)計人員可以使用該器件來減小工業(yè)和汽車電子產(chǎn)品中電源的尺寸并降低 EMI。

通過集成式有源 EMI 濾波器，LM25149 使工程師能夠滿足 EMI 標(biāo)準(zhǔn)，同時提高設(shè)計的功率密度。工程師可將外部 EMI 濾波器的面積減半，將電源設(shè)計中多個頻帶上的傳導(dǎo)EMI 降低多達(dá) 55dBμV，或者同時縮減濾波器尺寸和降低 EMI。

在開關(guān)電源設(shè)計中，實現(xiàn)低 EMI 電源和小尺寸解決方案通常是相互矛盾的。但是，LM25149 支持工程師滿足具有挑戰(zhàn)性的 EMI 標(biāo)準(zhǔn)，并通過減小無源 EMI 濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類競爭解決方案相比，在 440kHz 頻率下，工程師最多可以將前端 EMI 濾波器的面積和體積分別縮減近 50% 和 75% 以上。通過減小無源元件的濾波負(fù)載，集成式有源 EMI 濾波器可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現(xiàn)尺寸更小、EMI 更低的電源設(shè)計。

LM25149 控制器通過實現(xiàn)交錯式雙相操作以及集成自舉二極管、環(huán)路補償和輸出電壓反饋元件，進一步提高了功率密度，進而降低設(shè)計復(fù)雜度和成本。工程師還可以利用外部反饋和環(huán)路補償進一步優(yōu)化其設(shè)計。

專家點評

評委組認(rèn)為：“近年來，電源管理 IC 企業(yè)除了讓功率密度越做越高，EMI 也是廠商關(guān)注的焦點。LM25149 遠(yuǎn)低于同類競品的 EMI 濾波器面積和體積，為工業(yè)和汽車電子產(chǎn)品帶來更多設(shè)計可能性。作為首款具有集成式有源 EMI 濾波器的先進直流/直流控制器，其在各項指標(biāo)上都頗具優(yōu)勢，該項產(chǎn)品才得以脫穎而出。”

LMG3525R030-Q1：首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的車用GaN FET

全新的 LMG3525R030-Q1 是業(yè)界首款具有集成驅(qū)動器、保護和主動電源管理功能的先進汽車 GaN FET。在高電壓、高密度應(yīng)用中，更大限度地減小布板空間是一個重要的設(shè)計考量因素。隨著電子系統(tǒng)越來越小，其中的各種元件也必須縮減尺寸和間距。

TI 的新型 GaN FET 集成了快速開關(guān)驅(qū)動器以及內(nèi)部保護和溫度感應(yīng)功能，使工程師能夠在實現(xiàn)高性能的同時減小電源管理設(shè)計的布板空間。

這種集成加上 TI GaN 技術(shù)的高功率密度，使工程師不再需要分立式解決方案中通常所需的 10 多個元件。此外，當(dāng)應(yīng)用于半橋配置時，每個全新的 30mΩ FET 都可以支持高達(dá) 4kW 的功率轉(zhuǎn)換。

新型 GaN FET 采用 TI 的理想二極管模式來降低功耗。例如，在功率因數(shù)校正（PFC）中，與分立式 GaN 和 SiC 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）相比，理想二極管模式可將第三象限損耗降低多達(dá) 66%。

理想二極管模式還消除了對自適應(yīng)死區(qū)時間控制的需要，從而降低了固件復(fù)雜性和開發(fā)時間。TI GaN FET 封裝的熱阻抗比同類封裝產(chǎn)品低 23%，因此，工程師能夠使用更小的散熱器，同時簡化熱設(shè)計。

專家點評

評委組認(rèn)為：“GaN 在近幾年發(fā)展迅猛，由于 TI 在 GaN 技術(shù)的多年耕耘，才使得 LMG3525R030-Q1 產(chǎn)品能夠兼具高性能和更小的布板空間。另外，理想二極管模式大大降低了固件復(fù)雜性和開發(fā)時間。加上 TI 為工程師提供完備的設(shè)計資源和設(shè)計服務(wù)，該項產(chǎn)品才得以在優(yōu)化開發(fā)方面脫穎而出。”

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