正如在此電壓基準系列中之前文章中所討論的，使用運算放大器反饋和電壓基準可以簡單直接產(chǎn)生任意大小的直流電流。為此，我們已經(jīng)介紹了幾種外部運算放大器架構(gòu)，用于實現(xiàn)單獨或網(wǎng)絡拉電流和灌電流。在本系列的最后一篇文章中，我們將討論利用電壓基準內(nèi)部反饋的架構(gòu)。讓我們從考慮電壓基準的符號及其實際功能框圖開始，如下圖1所示。

圖1：電壓基準及其功能框圖

我們借用了齊納二極管的符號，因為這基本上是電壓基準的行為；然而，這種行為是通過巧妙的設計而不是簡單的設備物理單獨實現(xiàn)。考慮在以前文章中使用的自身基準（負極基準綁定）配置，如下面的圖2所示。

圖2：電壓基準典型操作

那么，我們?nèi)绾卧u價這一設置？首先，我們可以大大簡化和定義圖2中所有電流的情況，如公式1所示。

也就是說，IBIAS是雙極結(jié)型晶體管（BJT）的運算放大器靜態(tài)電流IQ和發(fā)射極電流iE的和。公式2通過確認與正常工作期間的發(fā)射極電流相比運算放大器靜態(tài)電流可以忽略不計，進行了進一步簡化。

公式3和4定義了發(fā)射極電流，以基極-發(fā)射極結(jié)的二極管方程開始，并假定使用標稱理想因子的正向偏置操作。

如上述公式4所示，必須存在一些基極-發(fā)射極電壓以維持IBIAS。這當然意味著在圖2中的vref和VREF之間存在非零差；我們將通過在公式5中以VREF和小的擾動電壓εv定義vref來解釋這一點。

我們現(xiàn)在可以用基極-發(fā)射極電壓和運算放大器增益定義εv，如公式6和7所示。

顯然，在理想運算放大器情況下，εv會下降到零；然而，讓我們考慮一些非常保守的值。下面的公式8解出公式7，假設維持IBIAS所需的vBE為0.5V，運算放大器的增益為中等水平104。

對于1.25V電壓基準，這表示百萬分之四十或40ppm的誤差——也就是說，這種誤差可以安全地視為可以忽略。

現(xiàn)在考慮當我們增加輸入電壓以及IBIAS時，εv發(fā)生什么；具體而言，假設我們從公式9和10所示的某個任意操作點將IBIAS增加一倍。

現(xiàn)在可以通過將公式10除以公式9并在公式11至13中簡化如下的項來導出支持加倍IBIAS所需的VBE的變化。

最后，我們可以導出如公式14和15所示的支持倍增IBIAS所需εv的變化的公式。

代入熱電壓的室溫值VT，并假設（再次）平均運算放大器增益為104，我們可以求解方程式15得到倍增IBIAS所需的Δεv的保守值，得到下面的公式16。

在這種情況下，每當IBIAS加倍時，vref處的電壓僅增加1.792μV。這是運算放大器增益與模擬齊納擊穿基極-發(fā)射極二極管的指數(shù)IV特性的乘積。

以不同方式連接電壓基準，我們可以利用其內(nèi)部運算放大器產(chǎn)生簡單的拉電流，如下面的圖3所示。

圖3：簡單電壓基準產(chǎn)生的拉電流

為了直觀的了解這里發(fā)生了什么，我們考慮插入代替符號的功能圖，如下面的圖4所示。

圖4：簡單灌電流功能圖

請注意，VIN、RBIAS和BJT電路基本上充當運算放大器的反相輸出級。因此，我們可以將總組合簡化成具有新增益AT和反向輸入極性的新運算放大器符號，如圖5所示。

圖5：簡單拉電流功能框圖和等效電路

因此，我們已經(jīng)得到了在本系列第一篇文章中討論的相同的拉電流電路。

在本系列博客中，我們研究了從電壓基準產(chǎn)生電流基準的重要主題。第一篇文章討論了精度，任意大小的單獨拉電流和灌電流（當然可以用于實現(xiàn)偏置網(wǎng)絡）；第二和第三篇文章討論了如果精度和組件數(shù)折衷可行，可以通過使用單個反饋器件導出偏置網(wǎng)絡的方法；最后，這篇文章討論了一種大大簡化的實現(xiàn)在第一篇文章中討論的灌電流（具體）的方法。 本系列博客中討論的架構(gòu)可以算作對任何設計工具箱的一種方便的補充，而德州儀器有多種電壓基準，可用于實現(xiàn)這些設計。

審核編輯：金巧