隨著工業(yè)系統(tǒng)越來越多地從機械控制轉(zhuǎn)向電子控制，制造商看到了產(chǎn)品質(zhì)量和工人安全性的提升。之所以如此，主要原因是后者在惡劣環(huán)境中給工人提供了更大的保護。然而，正是這些惡劣的環(huán)境、極端的溫度以及電氣噪聲和電磁干擾 (EMI)，使得良好的信號調(diào)節(jié)對于保持電路的穩(wěn)定性和靈敏度至關(guān)重要，而這正是工業(yè)機械運行壽命期內(nèi)實現(xiàn)可靠、精確和準確的控制所需要的。

信號調(diào)節(jié)鏈中的一個關(guān)鍵元件是運算放大器，它是一種高增益的直流差分放大器，用于采集和放大所需的信號。標準的運算放大器容易受到溫度漂移的影響，而且精度和準確性有限；因此，為了滿足工業(yè)要求，設計人員會增加某種形式的系統(tǒng)級自動校準功能。問題是，這個校準功能實現(xiàn)起來可能很復雜，而且會增加功耗。此外，它還需要更多的電路板空間，并會增加成本和設計時間。

本文將回顧工業(yè)應用中的信號調(diào)節(jié)要求以及設計人員需要關(guān)注的問題。隨后，將介紹 ON Semiconductor 的高性能零漂移運算放大器解決方案，并說明為什么以及如何將其用于滿足工業(yè)信號調(diào)節(jié)要求。同時還將探討這些器件的其他相關(guān)特征，如高共模抑制比 (CMRR)、高電源抑制比 (PSRR) 和高開環(huán)增益。

工業(yè)信號調(diào)節(jié)應用

工業(yè)系統(tǒng)中經(jīng)常使用到低壓側(cè)電流傳感和傳感器接口。由于與這些電路相關(guān)的差分信號非常小，因此設計人員需要高精度的運算放大器。

圖 1 為用于檢測過流情況的低壓側(cè)電流傳感電路，該電路常用于反饋控制。圖中一個低阻值檢測電阻器（<100 毫歐 (mΩ)）與對地負載串聯(lián)。該電阻器的低阻值可以減少功率損耗和發(fā)熱，但也會相應導致小壓降。精密零漂移運算放大器可以用來放大檢測電阻上的壓降，增益由外部電阻 R1、R2、R3 和 R4 設定（其中 R1=R2、R3=R4）。高精度需要精密電阻器，設置增益是為了利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 的滿量程以獲得最高的分辨率。

圖 1：展示檢測電阻和 ADC 間運算放大器接口的低壓側(cè)電流傳感電路。（圖片來源：ON Semiconductor）

工業(yè)和儀表系統(tǒng)中用于測量應變、壓力和溫度的傳感器通常配置為惠斯通電橋配置（圖 2）。提供測量的傳感器電壓變化可能相當小，必須在進入 ADC 之前進行放大。由于精密零漂移運算放大器具有高增益、低噪聲和低失調(diào)電壓，因此常被用于這些應用。

圖 2：精密運算放大器通常與惠斯通電橋一起使用，用以放大來自應變、壓力和溫度傳感器的信號，然后再將該信號發(fā)送到 ADC。（圖片來源：ON Semiconductor）

精密運算放大器的關(guān)鍵參數(shù)

失調(diào)電壓、失調(diào)電壓漂移、對噪聲的敏感度和開環(huán)電壓增益是限制運算放大器在電流傳感和傳感器接口應用中性能的關(guān)鍵參數(shù)（表 1）。

表 1：影響精度和準確性的精密運算放大器關(guān)鍵參數(shù)。（圖片來源：ON Semiconductor）

輸入失調(diào)電壓（用 VOS 或 VIO 表示，具體取決于制造商）源自半導體制造工藝的不完善，導致在 VIN+ 和 VIN- 之間出現(xiàn)一個差分電壓。這是零件間的差異，會隨溫度漂移，并且可能為正值或負值，因此很難校準。設計人員為減少標準運算放大器的偏差或漂移所做的努力不僅增加了復雜性，而且在某些情況下會導致功耗增加。

例如，考慮使用采用差動放大器配置的運算放大器進行電流傳感（圖 3）。

圖 3：使用采用差動放大器配置的運算放大器進行電流傳感。低失調(diào)電壓至關(guān)重要，因為輸入失調(diào)電壓會被噪聲增益放大，在輸出端產(chǎn)生失調(diào)誤差（表示為“VOS 導致的誤差”）。（圖片來源：ON Semiconductor）

輸出電壓為信號增益項 (VSENSE) 與噪聲增益項 (VOS) 之和，如公式 1 所示。

公式 1

作為內(nèi)部運算放大器參數(shù)，輸入失調(diào)電壓乘以噪聲增益而不是信號增益，從而產(chǎn)生輸出失調(diào)誤差（圖 2 中的“VOS 導致的誤差”）。精密運算放大器利用各種技術(shù)盡可能地降低失調(diào)電壓。在零漂移運算放大器中，這尤其適用于低頻和直流信號。與通用運算放大器相比，精密零漂移運算放大器的失調(diào)電壓可以低兩個數(shù)量級以上（表 2）。

表 2：對比選定通用運算放大器和斬波穩(wěn)定零漂移運算放大器的最大失調(diào)電壓，精密零漂移運算放大器的失調(diào)電壓可以低兩個數(shù)量級以上。（圖片來源：ON Semiconductor）

零漂移運算放大器

憑借其改進的性能，設計人員可以使用零漂移運算放大器滿足工業(yè)應用的信號調(diào)節(jié)要求。ON Semiconductor 的 NCS325SN2T1G 和 NCS333ASN2T1G 是兩個具有不同性能水平的零漂移運算放大器實例。設計人員可將 NCS325SN2T1G 器件用于精密應用，優(yōu)勢在于其 50 微伏 (μV) 的失調(diào)和 0.25 μV/°C 的漂移，而 NCS333ASN2T1G 系列則適用于最苛刻的高精度應用，可提供 10 μV 的失調(diào)和僅 0.07 μV/°C 的漂移。這兩個運算放大器采用不同的內(nèi)部架構(gòu)實現(xiàn)了零漂移。

NCS333ASN2T1G 采用斬波穩(wěn)定架構(gòu)，其優(yōu)點是最大限度地減少了失調(diào)電壓隨溫度和時間的漂移（圖 4）。與傳統(tǒng)斬波架構(gòu)不同，該斬波穩(wěn)定化架構(gòu)有兩條信號路徑。

圖 4：NCS333ASN2T1G 有兩條信號路徑：第二條路徑（下方）對輸入失調(diào)電壓進行采樣，用于校正輸出端的失調(diào)。（圖片來源：ON Semiconductor）

在圖 4 中，下方信號路徑是斬波器對輸入失調(diào)電壓進行采樣之處，隨后會用于校正輸出端的失調(diào)。失調(diào)校正出現(xiàn)在 125千赫茲 (kHz) 頻率。斬波穩(wěn)定架構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化，可在頻率達到相關(guān)奈奎斯特頻率（失調(diào)校正頻率的 1/2）時獲得最佳性能。由于信號頻率超過了 62.5 kHz 的奈奎斯特頻率，因此在輸出端可能會出現(xiàn)混疊現(xiàn)象。這是所有斬波和斬波穩(wěn)定架構(gòu)的固有限制。

盡管如此，NCS333ASN2T1G 運算放大器在 125 千赫以內(nèi)仍具有最小的混疊，且到 190 千赫前仍保持低混疊。ON Semiconductor 的專利方法使用了兩個級聯(lián)、對稱的電阻-電容 (RC) 陷波濾波器，調(diào)諧至斬波頻率及其五次諧波頻率，以減少混疊效應。

自動歸零架構(gòu)

零漂移運算放大器的另一種實現(xiàn)方法是采用自動歸零架構(gòu)（圖 5）。自動歸零設計有一個主放大器和一個歸零放大器。它還使用了時鐘系統(tǒng)。在第一階段，開關(guān)電容將前一階段的失調(diào)誤差保持在歸零放大器輸出上。在第二階段，利用歸零放大器輸出的失調(diào)來修正主放大器的失調(diào)。ON Semiconductor 的 NCS325SN2T1G 采用了自動歸零架構(gòu)。

圖 5：像 NCS325SN2T1G 這樣帶有開關(guān)電容的自動歸零運算放大器的簡化框圖。（圖片來源：ON Semiconductor）

NCS333ASN2T1G（斬波穩(wěn)定架構(gòu)）和 NCS325SN2T1G（自動歸零架構(gòu)）除了在失調(diào)電壓和漂移方面有上述差異外，不同的架構(gòu)還產(chǎn)生了開環(huán)電壓增益、噪聲性能和混疊敏感度的差異。NCS333ASN2T1G 的開環(huán)電壓增益為 145分貝 (dB)，而 NCS325SN2T1G 的開環(huán)電壓增益為 114 dB。考慮噪聲，NCS333ASN2T1G 的 CMRR 為 111 dB，PSRR 為 130 dB，而NCS325SN2T1G 的 CMRR 為 108 dB，PSRR 為 107 dB。兩者評價都很好，但 NCS333ASN2T1G 的表現(xiàn)要優(yōu)于 NCS325SN2T1G。

NCS333ASN2T1G 系列運算放大器也具有最小的混疊。這是因為 ON Semiconductor 的專利方法使用了兩個級聯(lián)、對稱的 RC 陷波濾波器，調(diào)諧至斬波頻率及其五次諧波頻率，減少了混疊效應。理論上，自動歸零架構(gòu)會比斬波穩(wěn)定型表現(xiàn)出更大的混疊程度。但是混疊效應會有很大的不同，且不一定會被指明。設計者要了解所使用具體運算放大器的混疊特征。混疊不是采樣放大器的缺陷，而是一種行為。了解這種行為以及如何避免這種行為可以讓零漂移放大器以最佳狀態(tài)運行。

最后，運算放大器還具有不同程度的 EMI 敏感度。半導體結(jié)可以接收并整流 EMI 信號，在輸出端產(chǎn)生 EMI 引起的電壓失調(diào)，為總誤差增加了另一個分量。輸入引腳對 EMI 最敏感。高精度 NCS333ASN2T1G 運算放大器集成了低通濾波器，降低了對 EMI 的敏感性。

設計和布局注意事項

為了確保實現(xiàn)最佳的運算放大器性能，設計者必須遵循良好的電路板設計慣例。高精度運算放大器是敏感器件。例如，將 0.1 微法拉 (μF) 的去耦電容盡可能靠近電源引腳放置就很重要。另外，在進行分流連接時，電路板上的印制線要等長、等尺寸，且要盡量短。運算放大器和分流電阻器應在電路板的同一側(cè)，對于要求最高精度級別的應用，應使用四端子分流器，也稱開爾文分流器。綜合使用這些技術(shù)將降低 EMI 的敏感度。

連接時一定要按照分流器制造商的建議進行。連接不當會給測量增加不必要的雜散引線阻抗和感應阻抗，并增加誤差（圖 6）。

圖 6：描繪雜散電阻的兩端子分流電阻器（RLead和 RSense）連接。（圖片來源：ON Semiconductor）

精度可能會受到輸入引腳上與溫度有關(guān)的失調(diào)電壓差異的影響。為了將這些差異降到最低，設計人員應使用熱電系數(shù)低的金屬，并防止熱源或冷卻風扇出現(xiàn)溫度梯度。

結(jié)語

在各種工業(yè)應用中，對精密、準確的信號調(diào)節(jié)的需求不斷增加。伴隨著這種需求增加的是對低功耗、緊湊型解決方案的需求。運算放大器是信號調(diào)節(jié)中的關(guān)鍵元件，但設計人員需要增加自動校準和其他機制，以確保系統(tǒng)時間和溫度穩(wěn)定性，因此增加了系統(tǒng)的復雜性、成本和額外的功耗。

幸運的是，設計人員可以轉(zhuǎn)而使用高性能零漂移運算放大器，這些器件具有連續(xù)的自動校準功能、極低的失調(diào)電壓以及近零的時間和溫度漂移。此外，它們在寬動態(tài)范圍內(nèi)功耗低，結(jié)構(gòu)緊湊，并且具有所有工業(yè)應用都需要的高 CMRR、高 PSRR 和高開環(huán)增益關(guān)鍵特征。

審核編輯：符乾江