在第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會上，西安紫光國芯憑借世界領(lǐng)先的異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)成功斬獲含金量極高的“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎。本次獲獎的SeDRAM可以突破馮·諾依曼架構(gòu)的性能瓶頸，滿足高性能計算、人工智能、近存計算、智能物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場景對高帶寬、高容量內(nèi)存的需求。

“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會是國內(nèi)集成電路領(lǐng)域最具影響力和權(quán)威性的行業(yè)會議之一，是在工信部信息司指導(dǎo)下舉辦的全國性集成電路行業(yè)盛會。本次“中國芯”共分為五大獎項，其中壓軸的“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎”主要授予本年度有重大技術(shù)創(chuàng)新，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義的單款芯片產(chǎn)品，共有38家企業(yè)申報，最終包括西安紫光國芯在內(nèi)的三家企業(yè)芯片從40款產(chǎn)品中突圍。

西安紫光國芯的SeDRAM技術(shù)采用納米級互連將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián)，實現(xiàn)嵌入式存儲器的直接訪問;通過定制的DRAM設(shè)計支持多種容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多種帶寬;同時為不同的邏輯工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測試IP，使SoC客戶能夠方便簡單地集成。 “西安紫光國芯歷時七年研發(fā)的SeDRAM技術(shù)和平臺，成功地實現(xiàn)了DRAM晶圓和SoC晶圓的異質(zhì)集成，提供了業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解決方案?！蔽靼沧瞎鈬境?wù)副總裁江喜平表示，“本次獲此殊榮，是公司長期堅持技術(shù)創(chuàng)新取得的研究成果，也是業(yè)界同仁對公司創(chuàng)新能力、產(chǎn)業(yè)影響力的高度認可。未來，西安紫光國芯將繼續(xù)以創(chuàng)新為驅(qū)動力，持續(xù)深耕DRAM和SoC設(shè)計技術(shù)，為集成電路行業(yè)帶來更多有價值的創(chuàng)新應(yīng)用，推動產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展”。

依托開放式、定制化、平臺式的合作模式，西安紫光國芯憑借多年的DRAM開發(fā)量產(chǎn)能力和SoC設(shè)計服務(wù)的能力，成功幫助有大帶寬、低功耗需求的客戶開發(fā)多款產(chǎn)品，其中幾款產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)和銷售。 同時，SeDRAM技術(shù)和平臺成功開發(fā)以來，基于該技術(shù)的多款產(chǎn)品和研究成果先后在IEDM 2020、CICC 2021、IMW 2021、A-SSCC 2021等多個業(yè)界頂級期刊上公開發(fā)表和作專題報告。其中一款產(chǎn)品的相關(guān)論文也被ISSCC 2022收錄，將于明年2月公開發(fā)表。

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在IEDM 2020發(fā)表 異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)論文

總裁任奇?zhèn)ナ苎贗MW 2021(國際存儲器研討會)作專題報告分享

在 IEEE-CICC 2021發(fā)表異質(zhì)集成嵌入式DRAM(SeDRAM)的多核SoC論文

知識產(chǎn)權(quán)管理達國家級標(biāo)準(zhǔn) 西安紫光國芯通過國家知識產(chǎn)權(quán)貫標(biāo)認證

原文標(biāo)題：西安紫光國芯SeDRAM?斬獲第十六屆“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎

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