領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),發布新的600 V SUPERFET?V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規定,如80 PLUS Titanium,尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產品組——FAST、Easy Drive和FRFET經過優化,可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領先同類的性能。
600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲,從而降低電磁干擾(EMI),這對服務器和電信系統是個顯著的好處。此外,強固的體二極管和較高的VGSS(DC±30 V)增強了系統可靠性。
安森美先進電源分部高級副總裁兼總經理Asif Jakwani說:
“ 80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標,要求服務器和數據存儲硬件在10%負載條件下的電源能效水平達90%,在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求,提供強固的方案,確保持續的系統可靠性。 ”
FAST版本在硬開關拓撲結構(如高端PFC)中提供極高能效,并經過優化以提供更低的門極電荷(Qg)和EOSS損耗,實現快速開關。該版本的最初器件包括NTNL041N60S5H(41 mΩ RDS(on))和NTHL185N60S5H(185 mΩRDS(on)),都采用TO-247封裝。NTP185N60S5H則采用TO-220封裝,NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝,保證達到濕度敏感等級MSL 1,并具有開爾文(Kelvin)源架構以改善門極噪聲和開關損耗。
Easy Drive版本適用于硬開關和軟開關拓撲結構,包含一個內置門極電阻(Rg)及經優化的內置電容。它們適用于許多應用中的一般用途,包括PFC和LLC。在這些器件中,門極和源極之間的內置齊納二極管的RDS(on)超過120 mΩ,對門極氧化物的應力更小,ESD耐用性更高,從而提高封裝產量,降低不良率。目前供應的兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99 mΩ和120 mΩ,均采用TO-247封裝。
快速恢復(FRFET?)版本適用于軟開關拓撲結構,如移相全橋(PSFB)和LLC。它們的優勢是快速體二極管,并提供降低的Qrr和Trr。強固的二極管耐用性確保更高的系統可靠性。內置齊納二極管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)為125mΩ,采用TO-220封裝,而NTMT061N60S5F的RDS(on)為61 mΩ,采用Power88封裝。損耗最低的器件是NTHL019N60S5F,RDS(on)僅19 mΩ,采用TO-247封裝。
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原文標題:新品發布 | 高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列,應用于服務器和電信
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