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?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。

新模塊在安裝方式上與廣泛使用的硅(Si) IGBT模塊兼容。它們的低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。

應用

軌道車輛的逆變器和轉換器

可再生能源發電系統

電機控制設備

高頻DC-DC轉換器

特點

安裝方式兼容Si IGBT模塊

損耗低于Si IGBT模塊

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值）, Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A, Tch=150°C

內置NTC熱敏電阻

主要規格

（除非另有規定，否則@Tc=25°C）
部件編號			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封裝			2-153A1A
絕對最大額定值	漏-源電壓VDSS(V)		1200	1700
	柵-源電壓VGSS(V)		+25/-10	+25/-10
	漏極電流 (DC) ID(A)		600	400
	漏極電流（脈沖）IDP(A)		1200	800
	溝道溫度Tch(°C)		150	150
	隔離電壓Visol(Vrms)		4000	4000
電氣特性	漏-源導通電壓（感應） VDS(on)sense典型值(V)	@VGS=+20V, Tch＝25°C	0.9 @ID＝600A	0.8 @ID＝400A
	源-漏導通電壓（感應） VSD(on)sense典型值(V)	@VGS=+20V, Tch＝25°C	0.8 @IS＝600A	0.8 @IS＝400A
	源-漏關斷電壓（感應） VSD(off)sense典型值(V)	@VGS=-6V, Tch＝25°C	1.6 @IS＝600A	1.6 @IS＝400A
	開通損耗Eontyp. (mJ) Eon典型值(mJ)	@Tch=150°C	25 @ VDS=600V, ID=600A	28 @VDS=900V, ID=400A
	關斷損耗Eofftyp. (mJ) Eoff典型值(mJ)	@Tch=150°C	28 @ VDS=600V, ID=600A	27 @VDS=900V, ID=400A
熱敏電阻特性	額定NTC電阻R典型值(kΩ)		5.0	5.0
熱敏電阻特性	NTC B值 B典型值(K)	＠TNTC=25 - 150°C	3375	3375