色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅進軍消費類市場,引領手機快充新潮流

海明觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李誠 ? 2022-02-11 09:22 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/李誠)隨著智能手機的快速發展,手機續航和充電體驗成為了手機廠商和消費者首要關注的問題。在手機充電領域中氮化鎵的應用最為廣泛,也是被消費者最為熟知的一種產品。其實碳化硅快充設備也是有的,只不過大多分布在汽車電子工業領域,再加上設計成本以及多方面的因素所制約,導致碳化硅在消費類的應用中的普及率不及氮化鎵。

碳化硅與氮化鎵一樣,同屬于第三代化合物,是大功率設備的關鍵性材料。碳化硅材料具有禁帶寬度大、導通電阻低、開關頻率高等電氣特性。

在大功率設備中碳化硅禁帶寬度大的特性能夠承受住更高的電壓和溫度,這也就意味著碳化硅能夠比硅基材料承受住更高的功率;在導通電阻方面,碳化硅的導通電阻也比硅基材料更低,可以有效降低設備在運行過程中出現過熱的情況,避免功率損耗過高,提高電能利用率;在開關頻率方面,碳化硅與氮化鎵的開關頻率都相對較高,在充電器設計中,開關頻率的大小與變壓器的體積是相互掛鉤的,較高的開關頻率可使得變壓器的線圈匝數、橫截面積盡可能地做到小型化,這也是為什么氮化鎵被大功率快充廣泛使用的原因之一。

新春首秀,派恩杰碳化硅65W PD快充方案

2月7日,專注于碳化硅與氮化鎵功率器件設計及方案的國產廠商派恩杰推出了新一代基于碳化硅應用的65W PD快充解決方案,也是派恩杰首次將碳化硅技術成功導入消費類快充解決方案中。

圖源:派恩杰

上圖為派恩杰65W PD快充方案的Demo,在該設計方案中主要采用了派恩杰的碳化硅MOSFET P3M06300D8作為功率開關管提升系統的整體效率。

P3M06300D8是一款耐壓值為650V N溝道的增強型SiC MOSFET,該MOSFET具有高頻、低導通電阻、小柵極電荷的電氣特性。導通電阻為300mΩ,柵極電荷為2.75nC,在場效應管中柵極電荷的值對元器件的開關性能具有較大的影響。舉個例子,當電流為100mA時,柵極電荷為100nC的MOSFET充滿或放盡所需的時間為1us,柵極電荷為20nC的MOSFET所需時間為200ns。這也就意味著P3M06300D8能夠在27.5ns內完成一次導通或者關斷的操作,這也是該快充方案小型化的關鍵因數之一。

圖源:Richtek

在該方案中初級側的控制器采用的是立锜科技(Richtek)的RT7790 PWM控制器對電路進行控制,并形成一個可編程USB PD快充方案。RT7790 內部集成了雙向控制邏輯,可通過脈沖變壓器向次極端控制器發送零電壓開關的脈沖信號,也可以接收由次級端反饋回來的脈沖信號,零電壓開關的功能能夠給系統帶來更高轉換效率的同時,并降低MOSFET的發熱量。在該方案中,RT7790 PWM控制器可以直接對P3M06300D8 MOSFET進行驅動,無需在電路中進行額外的驅動設計,實現了簡化電路設計,加快終端產品上市的目的。

圖源:派恩杰

上圖為該65W PD快充方案在110Vac和220Vac兩種工作電壓上的效率變化曲線。通過觀察發現,該方案在工作電壓為110Vac時,系統效率均保持在91%以上。工作電壓為200Vac時,系統效率達到峰值,接近94%。

據悉,該方案結合了碳化硅在開關電源領域的各項優勢,Demo的功率密度達到了1.98W/cm3,與其他基于氮化鎵快充方案的1.1~1.3W/cm3相比高出了不少。

值得一提的是,派恩杰在這款碳化硅MOSFET上進行了多方面的優化,并將產品的售價控制到了與120mohm~140mohm的硅基MOSFET相近的價格。畢竟碳化硅之所以在消費類產品中未能快速普及的原因之一就是成本的問題,該方案的推出有望加速碳化硅在消費類市場的滲透。


首款引入碳化硅技術的倍思120W快充

談到碳化硅在快充領域的應用,不得不提一下倍思這一終端廠商在該領域的成就,2020年,倍思就已經成功將碳化硅技術導入到快充應用中,并首發了氮化鎵+碳化硅的120W快充充電器。
?
圖源:倍思

倍思此前發布的這款120W快充充電器結合了碳化硅與氮化鎵在電力電子領域的優勢,成功地將充電器的發熱量與體積降至較低的水平,并提高了系統的轉換效率。

該充電器采用了PFC+LLC的電源架構,PFC電路部分采用的是安森美的NCP1616A1 PFC控制器,PFC開關管采用的是納微的NV6127氮化鎵MOSFET,PFC升壓的整流電路采用的是Alpha power的碳化硅二極管ACD06PS065。半橋LLC電路由安森美的NCP13992 PWM控制器和納微的NV6115氮化鎵MOSFET構成。

經測量,該充電器的長度為94.17mm,寬度為55.56毫米,厚度為30.11mm,體積約為150cm3,功率密度為0.76W/cm3,由于這是倍思的早期產品,所以在功率密度方面與現在的產品存在著些許差距,并且價格也相對較高。

結語

成本一直是碳化硅進入消費類市場的關鍵,如今派恩杰推出的這款低成本的碳化硅產品,有望成為碳化硅進軍消費類市場的敲門磚,加速碳化硅在消費類市場的普及,引領手機快充的發展潮流。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2748

    瀏覽量

    49020
  • 快充技術
    +關注

    關注

    39

    文章

    437

    瀏覽量

    138647
  • 碳化硅MOSFET
    +關注

    關注

    0

    文章

    35

    瀏覽量

    4198
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    QC芯片,因高效而兼容性好而成為手機標配的充電解決方案!

    的保護功能,贏得了市場和用戶的廣泛認可。相信在未來的發展中,QC芯片將繼續引領充電技術的革新潮流,為我們的生活帶來更多便利和驚喜。
    發表于 09-26 10:03

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優點,使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優勢、應用及其
    的頭像 發表于 09-13 11:00 ?542次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應用

    碳化硅功率器件的優點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優點、應用領域及其發展
    的頭像 發表于 09-11 10:44 ?500次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優點和應用

    MEMS 可編程車載與高溫振蕩器 SiT8921 系列(119 to 137MHZ):卓越性能引領車載電子新潮流

    MEMS 可編程車載與高溫振蕩器 SiT8921 系列(119 to 137MHZ):卓越性能引領車載電子新潮流
    的頭像 發表于 08-14 10:37 ?355次閱讀
    MEMS 可編程車載與高溫振蕩器 SiT8921 系列(119 to 137MHZ):卓越性能<b class='flag-5'>引領</b>車載電子<b class='flag-5'>新潮流</b>

    探索新潮流 — AI服務器引領數據中心的發展

    電子發燒友網站提供《探索新潮流 — AI服務器引領數據中心的發展.pdf》資料免費下載
    發表于 07-26 13:35 ?327次下載

    電池自動點焊機:智能化升級,引領電池制造新潮流

    在科技日新月異的今天,電池自動點焊機作為電池制造領域的重要設備,正經歷著前所未有的智能化升級,這場變革不僅重塑了傳統生產模式,更引領著電池制造行業向更加高效、智能、綠色的新潮流邁進。
    的頭像 發表于 07-15 09:34 ?352次閱讀

    ZR執行器,引領自動化新潮流

    ZR執行器,引領自動化新潮流 隨著科技的不斷進步和工業自動化需求的日益增長,傳統的執行器已經難以滿足現代工業生產對高效、精確、穩定的要求。在這個背景下,ZR執行器憑借其卓越的性能和創新能力,正引領
    的頭像 發表于 05-08 18:18 ?740次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉換的未來

    碳化硅功率器件是一基于碳化硅材料制造的半導體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、
    的頭像 發表于 04-29 12:30 ?443次閱讀

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應用

    MOS碳化硅
    瑞森半導體
    發布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅芯片設計:創新引領電子技術的未來

    隨著現代電子技術的飛速發展,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,以其優異的物理和化學性能,在功率電子器件領域展現出巨大的應用潛力。碳化硅芯片的設計和制造是實現其廣泛應用的關鍵環節,本文將對碳化硅芯片的設計和制造過程進行詳細
    的頭像 發表于 03-27 09:23 ?1154次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>芯片設計:創新<b class='flag-5'>引領</b>電子技術的未來

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏
    發表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件的應用與市場前景

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速率和高熱導率等優異性能,使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。本文將對碳化硅功率器件的技術、應用和市場前景進行深入探討。
    的頭像 發表于 01-17 09:44 ?717次閱讀

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
    的頭像 發表于 01-11 17:33 ?853次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡介

    碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

    碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
    的頭像 發表于 01-09 09:26 ?2854次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 97精品国产高清在线看入口 | 精品国产自在现线拍400部| 亚洲国产综合久久精品| 久久国语精品| a视频免费看| 天美传媒MV高清免费看| 国产色精品久久人妻无码看片软件| 亚洲不卡视频在线观看| 狼群影院视频在线观看WWW| 9久爱午夜视频| 久久无码人妻AV精品一区| 99国产精品| 偷窥美女3| 噜妇插内射精品| 国产伦精品一区二区免费| 中国xxxxx69| 神马电影我不卡4k手机在线观看| 韩国精品无码少妇在线观看网站| 最近中文字幕2019国语4| 神马伦理不卡午夜电影| 老色哥网站| 妇少水多18P蜜泬17P亚洲乱 | 被老师按在办公桌吸奶头| 小黄文纯肉污到你湿| 免费乱理伦片在线观看八戒| 超碰 无码 中文字幕| 中文字幕亚洲欧美日韩2o19| 特级淫片大乳女子高清视频| 旧里番6080在线观看| 国产午夜永久福利视频在线观看| 99热在线观看| 在线观看qvod| 青青草国产精品| 牢记永久免费网址| 国产手机在线亚洲精品观看| www.绿巨人| 5G在线观看免费年龄确认18| 亚洲熟女片嫩草影院| 午夜aaaa| 污污内射在线观看一区二区少妇 | 我和黑帮老大第365天第2季在线 |