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IGBT工業應用驅動:從放大、隔離到保護的性能拔高

Robot Vision ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李寧遠 ? 2022-02-12 08:00 ? 次閱讀
驅動這個話題一直是我們重點關注的領域,在眾多驅動中,IGBT的驅動肯定是極具話題性的一類。IGBT驅動可以說直接決定了IGBT元件的性能能否充分發揮。我們都知道,能夠讓功率器件保持在最大輸出功率上那當然是最好的,但是往往驅動是沒法這么穩定的,如果不提前開始保護,那么將難以確保真正發生過流時是否能可靠關斷IGBT。

同時,IGBT元件的電氣保護幾乎都設計在驅動中,IGBT驅動的可靠性直接和IGBT元件可靠性掛鉤,可見IGBT驅動的重要性。功率器件的應用面太廣,因此我們將切口縮小,從工業驅動這個應用上來看各家不同的IGBT驅動水準。

EiceDRIVER IGBT驅動

英飛凌的EiceDRIVER柵極驅動系列涵蓋MOSFET,IGBTs,SiC,以及GaN驅動。EiceDRIVER提供500多種驅動,適配任何功率器件和任何終端應用。從整體上看,這個系列涵蓋各種電壓等級,各種隔離等級、各種保護等級,不論是驅動分立的功率器件還是功率模塊,優秀性能的驅動對于任何IGBT元件來說都是最可靠的助力。
(圖源:英飛凌)

對于工業驅動,再細一點就是工業電機驅動來說,集成自舉二極管(BSD)、過流保護(OCP)、可編程死區等等功能的IGBT驅動無疑是最為適用的。在用于IGBT的驅動上,EiceDRIVER提供了包括隔離式柵極驅動器IC、電平移位柵極驅動器IC和低側柵極驅動器IC,并針對所有應用中的IGBT分立器件和模塊進行了優化。

在EiceDRIVER用于IGBT驅動上,最新的1ED3491MU12M囊括了工業電機驅控所需的一切要素。作為單通道的柵極IGBT驅動,1ED3491MU12M采用了節省空間的DSO-16 細間距寬體封裝。在將尺寸控制到較小范圍的同時,該IC還有著>8mm的爬電距離。這種高集成度的驅動IC所需的外部組件極少,對于設計人員來說能大幅降低設計周期,這是很有吸引力的一點。

1ED3491MU12M可以驅動650V/1200V/1700V/2300V的IGBT,整體的共模瞬態抗擾度均大于100kV/μs。這一點繼承了英飛凌在功率器件上的優勢。作為功率器件大廠,高CMTI是旗下產品共有的特征。9A的拉/灌電流峰值也是很高的輸出水平,同時IC到IC之間的傳播延遲十分緊密,最大僅為30ns。除了本身性能好之外,帶故障輸出的精確VCEsat檢測,退飽和檢測后IGBT軟關斷,欠壓鎖定保護,電流隔離這些優勢完美適合所有需要可靠DESAT保護的應用且對空間要求更小。

STDRIVE IGBT驅動

ST的STDRIVE系列驅動涵蓋了具有更高額定值的器件,用于運動控制系統。提供了廣泛的電流輸出驅動能力和配置選擇,不僅有獨立高側和低側驅動,還配置具有死區時間,同時STDRIVE高電壓驅動器含有運算放大器比較器能幫助設計轉換器保護電路。這個系列的所有器件都能在-40℃至125℃的溫度范圍內工作,其中TDXX系列最高可以覆蓋至150℃,TDXX系列中有不少先進的IGBT驅動。
(圖源:ST)

TD351就是其中一款先進的IGBT驅動,包括了控制和保護功能,旨在設計一個高可靠性工業驅動系統。創新的主動米勒鉗位功能消除了大多數應用中對負柵極驅動的需要,并允許為高壓側驅動器使用簡單的自舉電源。TD351具有兩級關閉功能,電平和延遲可調。在過流或短路情況下,該功能可防止在關閉時產生過大的過壓。同樣的延遲在開啟時應用,以防止脈沖寬度失真。在保護上該器件還做了2kV的ESD。同樣在這個系列中,TD350E在擁有這些相同的功能同時,另外配置了IGBT去飽和保護和故障狀態輸出,并與脈沖變壓器和光耦信號兼容,將整體驅動水平又做了一次拔高。

而STGAP2HD IGBT驅動則使用了ST最新的電流隔離技術,在寬體封裝中提供了6kV瞬態電壓能力。4 A的電流能力以及軌對軌輸出,使STGAP2HD適用于功率轉換和工業電機驅動逆變器等中高功率應用。STGAP2HD的聯鎖功能可防止輸出同時處于高電平,避免在邏輯輸入命令錯誤的情況下出現直通情況。聯鎖功能可通過專用配置引腳禁用,以允許兩個通道獨立并行運行,輸入到輸出的傳播延遲結果控制在75ns以內,提供了高PWM控制精度。

UCC217xx IGBT驅動

TI的UCC217xx IGBT驅動系列有三大特性,強大的驅動電流、極高的CMTI 和極短的傳播延遲。當然在保護功能、系統尺寸以及成本上也都屬于業內領先水平。
(圖源:TI)

UCC21750是一款電隔離單通道柵極驅動器,用于具有高達 2121V 直流工作電壓的IGBT,具有高級保護功能功能、出色的動態性能和穩健性。輸入側通過SiO2電容隔離技術與輸出側相隔離,支持高達1.5kVRMS的工作電壓、12.8kVPK的浪涌抗擾度,并提供較低的器件間偏移和高CMTI。該器件采用SOIC-16 DW封裝,將尺寸控制到較小范圍的同時,還有著>8mm的爬電距離。

UCC21750的輸出能力極強,擁有±10A的電流能力,這種峰值的驅動電流絕對是行業頂尖水平。同時擁有33V的最大輸出驅動電壓。與峰值電流電壓同樣高的還有它的CMTI,大于100kV/μs也是業內高水平。UCC21750的傳播延遲最大為130ns,脈沖/器件間偏移最大為30ns。

內部源米勒鉗位,發生故障時的400mA軟關斷,UVLO等等都給器件帶來了足夠的可靠性。這樣具有DESAT和內部米勒鉗位的5.7kVrms,±10A單通道隔離式柵極驅動器是驅動IGBT的可靠選擇。

小結

總的來說,作為場控核心,一個好的IGBT驅動應該在放大、隔離以及保護上面面俱到。用于工業場景驅動的IGBT也都在這些方面做了相當大的拔高。
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