III-V族化學-機械拋光工藝開發
摘要
III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術出現適合在工業規模上實現這樣的集成。耦合為這些混合器件文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁的設計和制造提供了許多優勢，但對于 一種高效的耦合，是一種非常薄(幾十納米)且均勻的鍵合層。 然而BCB在SOI波導結構上的平坦性較差。
關鍵詞:消失偶聯，膠接，BCB，化學機械平整度，平整度
介紹
硅光子學顯得非常有前途，使大規模的研究領域成為無源器件和一些有源器件的制造在集成光子學。 然而,硅它的間接帶隙阻礙了所以它不適用于光源的制造。解決這個問題的一個辦法是混合集成硅與III-V半導體。 在混合集成中，是III-V 半導體被綁定在SOI之上波導電路。
實驗
將BCB配方環烯3022-35旋涂于空白硅上并進行圖紋處理SOI樣本。 粘附促進劑AP3000旋轉涂布前使用。略
審核編輯：符乾江
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