RS1M快恢復(fù)二極管，主要是指與快速晶閘管、高頻率晶閘管和GT0、IGCT、leGT等晶閘管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M快恢復(fù)二極管通常電流大，電壓高，反向恢復(fù)時間一般在1微秒以上，多采用擴散型通過結(jié)構(gòu)和電子輻射技術(shù)，電流從數(shù)十安培到數(shù)千安培，電壓從數(shù)百伏到3000伏不等。

然而，還有一種快恢復(fù)二極管，它與IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢復(fù)二極管，它不但性能快，還需要軟特性，以避免高電壓峰值、射頻干擾和電磁干擾。一般國外生產(chǎn)IGBT、M0SFET的公司也生產(chǎn)了與之配套的快速恢復(fù)二極管，目前國內(nèi)還沒有商業(yè)IGBT和快速恢復(fù)二極管的量產(chǎn)。因為快恢復(fù)二極管比較IGBT來說，較為低端，但隨著我國綜合實力的提升，快恢復(fù)二極管也宣布正式立項，未來有著很好的發(fā)展趨勢。

RS1M快恢復(fù)二極管的技術(shù)性能及標準是：

(1)恢復(fù)速率快，即反向恢復(fù)時間trr要小。

(2)正向壓降小，即標準VF小，以降低通電情況下的功能損耗。

(3)反向漏電流Ir小，以減少關(guān)閉情況下功能損耗。

(4)反向峰值電流小，減少了二極管反向電流對控制電路中其它開關(guān)裝置的影響;

(5)反向恢復(fù)的軟S較大，減少電壓瞬間感應(yīng)過沖，避免震蕩。

(6)快速恢復(fù)二極管還必須有很好的溫度穩(wěn)定性，以減少或避免由于器件溫度升高而造成的性能退化現(xiàn)象。具有正的溫度系數(shù)的正壓功率二極管具有良好的溫度穩(wěn)定性。

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審核編輯：湯梓紅