AHS量子霍爾傳感器的優(yōu)勢有哪些
AHS量子霍爾傳感器，也叫量子阱霍爾傳感器，利用分子束外延技術 制造薄膜晶片，以及量子阱霍爾效應（QWHE）設計，這使得量子霍爾傳 感器具備其他霍爾傳感器所不具有的優(yōu)良特征。
AHS是英國曼切斯特大學創(chuàng)始人Mohamed Missous，英國皇家工程院院士、曼徹斯特大學教授孵化，教授專注于研究利用砷化鎵中的量子阱霍爾效應磁傳感技術。中科院一開始研究的是方勢阱技術，后發(fā)現量子阱二維平面捕捉電子的能力更強。
AHS量子霍爾傳感器優(yōu)勢：
1、量子阱技術
2、以砷化鎵為基底，利用分子束外延技術制造薄膜復合技術和器件設計和加工等方面所積 累的大量專業(yè)知識，一體化的產品加工，讓傳感器的性能更優(yōu)。“二維電子氣 (2-DEG)”薄膜，這種結構由 III-V 族化合物制成，具有比coms硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍爾效應器件和磁電阻器更出色的特性。可以通過“帶隙工作”控制原子的比例。
兩個優(yōu)勢的結合，能讓量子霍爾傳感器相比SI基霍爾傳感器工作溫度更廣，約為200℃；比InAs 或 InSb霍爾效應器件檢測磁場為范圍更寬，約為20nT-2T；工作頻率更寬，適合波動范圍的磁場，DC-6MHZ。
“二維電子氣 (2-DEG)”技術目前在國內僅能做為學術上研究，其制作工藝復雜，理論知識深厚。
審核編輯：湯梓紅
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