EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指帶電可編程只讀存儲器。是一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。

中穎Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用來存放用戶數據。EEROM大小可以通過option(代碼選項)選擇0~4K不等。EEPROM按照扇區進行劃分，每個扇區的大小512字節(較早的產品，每個扇區大小256字節)，最多支持8個扇區。

中穎的EEPROM編程/擦除次數：至少100000次

中穎的EEPROM數據保存年限：至少10年

中穎EEPROM的操作原則：

1 必須關閉所有中斷

如果在操作EEPROM期間，不關閉中斷，可能會導致程序跑飛或者其它異常情況;中穎MCU要求對于EEPROM的擦除和編程，需要按照規定關閉所有中斷(EA=0)，等到編程完成后再打開中斷。

2 如何訪問EEPROM

中穎芯片對于EEPROM的讀、擦和寫都是通過寄存器FLASHCON的FAC位置1來操作。當FAC=0時，MOVC指令或者SSP功能訪問Main Block區域;當FAC=1時，MOVC指令或者SSP功能訪問類EEPROM區域或信息存儲區。

3 操作EEPROM前，清WDT

在對EEPROM的操作前，清WDT,保證操作期間不溢出

4 抗干擾

同時，為了抗干擾，防止誤操作，EEPROM編程可以參考如下例程：

uchar ssp_flag；

voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇區擦除

{

ssp_flag= 0xA5;

_push_(IEN0);//中斷控制壓棧

IEN0&=0x7F;//關總中斷

FLASHCON = 0x01; //訪問EEPROM區

RSTSTAT = 0; //清WDT

XPAGE= nAddrH<<1 ;???????????????????????? ?????????????????????????

IB_CON1 = 0xE6;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判斷，增強抗干擾

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00;//切回FLASH區

_pop_(IEN0);//恢復總中斷

}

voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData) // 扇區編程

{

ssp_flag= 0x5A;

_push_(IEN0); //中斷控制壓棧

IEN0&=0x7F;//關總中斷

FLASHCON= 0x01; //訪問EEPROM區

RSTSTAT = 0; //清WDT

XPAGE= nAddrH;

IB_OFFSET= nAddrL;

IB_DATA= nData; // 燒寫內容

IB_CON1 = 0x6E;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判斷，增強抗干擾

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00; //切回FLASH區

_pop_(IEN0); //恢復總中斷