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四維圖新榮登汽車領跑者榜單 瑞薩電子開發嵌入式STT-MRAM寫入技術

牽手一起夢 ? 來源:綜合四維圖新和瑞薩電子 ? 作者:綜合四維圖新和瑞 ? 2022-03-22 14:27 ? 次閱讀

四維圖新榮登汽車領跑者榜單

近日,2021未來汽車生態大會云端召開,同期發布 “汽車領跑者”榜單,四維圖新憑借新品——動態風險預警平臺,榮登“2021汽車領跑者榜單·最佳產品/解決方案/創新應用”獎。該榜單聚焦汽車行業新生態,成為行業風向標。

隨著交通領域邁入“交通設施數字感知、信息網絡廣泛覆蓋、行業治理在線協同、技術應用創新活躍”的數字交通體系,自動駕駛汽車成為各大廠商搶灘布局的風口。但從測試到量產,自動駕駛汽車將要解決多項技術瓶頸,目前制約其快速發展的難題之一是決策規劃。

面對自動駕駛交通場景復雜、環境不確定性強、傳感器精度有限等痛點,四維圖新依托大數據、云計算人工智能等核心技術,基于自研核心算法打造動態風險預警平臺,為用戶提供高精事件、道路天氣、道路摩擦系數、定位信號弱區等9類動態風險預警服務,歷史擁堵趨勢分析、歷史風險視頻分析等4類歷史數據分析,紅綠燈服務、緊急車輛提醒等車路協同服務及位置參考服務等功能。

瑞薩電子開發嵌入式 STT-MRAM 寫入技術,顯著降低物聯網應用中的 MCU 功耗

瑞薩電子公司是先進半導體解決方案的主要供應商,宣布開發出兩種技術,可減少自旋轉移矩磁性隨機存取存儲器 (STT-MRAM) 寫入操作的能量和電壓應用時間,以下簡稱 MRAM)。在 16 nm FinFET 邏輯工藝中嵌入 MRAM 存儲單元陣列的 20 兆位 (Mbit) 測試芯片上,寫入能量減少了 72%,電壓施加時間減少了 50%。新技術是: 1) 帶有斜率脈沖應用的自終止寫入方案,其中寫入脈沖由于每個存儲單元的寫入特性而自動且自適應地終止;2) 優化比特數的寫入序列,同時施加寫入電壓。

瑞薩電子專注于通過允許高達 10% 的寫入失敗位來大幅降低寫入電壓這一事實。首先,通過降壓轉換器電路使用從MCU的IO電壓產生的低寫入電壓同時向寫入單元中的所有位施加寫入電壓。在該步驟中,根據各個位的寫入特性,使用上一節中描述的帶有斜率脈沖的自終止寫入方案來執行自終止寫入操作。接下來,使用電荷泵電路產生的高寫入電壓對剩余的 10% 位執行寫入操作。由于使用這種技術,寫入電壓應用分兩個階段完成,與將寫入單元分成四組或更多組的傳統方法相比,整體寫入電壓施加時間可減少50%或更多。此外,對于絕大多數位,該技術不需要耗電的電荷泵來進行寫入操作,而是使用通過降壓轉換器從外部電源電壓獲得的寫入電壓。有效地,這減少了寫入能量的消耗。

綜合四維圖新和瑞薩電子官網整合

審核編輯:郭婷

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