本文對晶片采用HF溶液洗凈的晶片氫氟酸處理后的護(hù)發(fā)素及干燥方法,使用異丙基去除上述晶片表面殘存的HF的步驟,關(guān)于晶片氫氟酸處理后的護(hù)發(fā)素和干燥方法,其特點(diǎn)是在對上述晶片施加82-84℃溫度的同時通過吹氮?dú)馊コ砻鍵PA的步驟,通過使用IPA護(hù)發(fā)素代替純護(hù)發(fā)素,不僅可以去除雜質(zhì),而且在經(jīng)過氫氟酸處理后暴露在晶片表面的疏水區(qū)域也可以充分涂布IPA。通過采用本發(fā)明的烤箱干燥方式,可以抑制干燥時局部干燥時間差所產(chǎn)生的水跡,比傳統(tǒng)的IPA氣相干燥方式簡單,具有突破性地降低成本的效果。
審核編輯:符乾江
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